发光器件及包含发光器件的显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种发光器件及包含发光器件的显示装置，发光器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层以及隔热层，隔热层包括第一隔热子层和/或第二隔热子层，第一隔热子层设置于阳极与发光层之间，第二隔热子层设置于阴极与发光层之间，第一隔热子层和第二隔热子层的材料彼此独立地包括通式为XY2的化合物，X选自VIB族的金属元素，Y选自VIA族的非金属元素，从而有效地将发光层产生的热量导离发光器件，并降低热量分别朝向阳极和阴极的转移量，促进了发光器件的电子

【技术实现步骤摘要】
发光器件及包含发光器件的显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种发光器件及包含发光器件的显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]目前，发光器件存在电子
‑
空穴传输失衡的问题，该问题在QLED中尤为严重，主要表现为：QLED的电子注入水平通常高于空穴注入水平，造成发光层出现电子积累的现象，从而增大非发光复合的几率(例如俄歇复合)而损失能量，对发光器件的光电性能和使用寿命造成极为不利的影响，导致发光器件在运作过程中出现性能衰减的问题，例如：发光效率下降、使用寿命缩短等。
[0004]因此，如何改善发光器件的电子
‑
空穴传输失衡的问题，对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种发光器件及包含发光器件的显示装置，以改善因载流子注入不平衡而导致发光器件的工作性能不佳的问题。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：
[0008]阳极；
[0009]阴极，与所述阳极相对设置；
[0010]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0011]隔热层，包括第一隔热子层和/或第二隔热子层，所述第一隔热子层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述第二隔热子层设置于所述阴极与所述发光层之间；
[0012]其中，所述第一隔热子层的材料包括通式为XY2的化合物，所述X选自VIB族的金属元素，所述Y选自VIA族的非金属元素；第二隔热子层的材料包括通式为AB2的化合物，所述A选自VIB族的金属元素，所述B选自VIA族的非金属元素。
[0013]进一步地，所述第一隔热子层由层叠设置的第一Y原子层、X原子层和第二Y原子层组成，所述X原子层设置于所述第一Y原子层与所述第二Y原子层之间；所述第二隔热子层由层叠设置的第一B原子层、A原子层和第二B原子层组成，所述A原子层设置于所述第一B原子层与所述第二B原子层之间。
[0014]进一步地，所述X选自钼、铬或钨中的至少一种，所述Y选自硫、碲或硒中的至少一
种；和/或，所述A选自钼、铬或钨中的至少一种，所述B选自硫、碲或硒中的至少一种。
[0015]进一步地，所述通式为XY2的化合物选自MoS2、MoSe2、WS2或WSe2中的至少一种；和/或，所述通式为AB2的化合物选自MoS2、MoSe2、WS2或WSe2中的至少一种。
[0016]可选地，所述第一隔热子层掺杂有第一金属元素，所述第一金属元素选自锂、钠、铌、钙、镁或锡中的至少一种。
[0017]进一步地，按照摩尔百分比计算，所述第一隔热子层包括：5％至10％的所述第一金属元素，以及90％至95％的所述通式为XY2的化合物。
[0018]可选地，所述第二隔热子层掺杂有第二金属元素，所述第二金属元素选自铼、钾或铯中的至少一种。
[0019]进一步地，按照摩尔百分比计算，所述第二隔热子层包括：5％至10％的所述第二金属元素，以及90％至95％的所述通式为AB2的化合物。
[0020]进一步地，所述发光层：所述第一隔热子层的厚度为1：(0.024～0.08)；和/或，所述发光层：所述第二隔热子层的厚度为1：(0.024～0.08)。
[0021]进一步地，所述第一隔热子层的厚度为0.6nm至2.0nm，所述第二隔热子层的厚度为0.6nm至2.0nm。
[0022]进一步地，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；
[0023]其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
[0024]所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
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VI族化合物或I
‑
III
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VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
[0025]进一步地，所述发光器件还包括空穴功能层，当所述发光器件包括所述第一隔热子层时，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述第一隔热子层之间；当所述发光器件不包括所述第一隔热子层时，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；
[0026]其中，所述空穴功能层包括空穴注入层和/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及隔热层，包括第一隔热子层和/或第二隔热子层，所述第一隔热子层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述第二隔热子层设置于所述阴极与所述发光层之间；其中，所述第一隔热子层的材料包括通式为XY2的化合物，所述X选自VIB族的金属元素，所述Y选自VIA族的非金属元素；第二隔热子层的材料包括通式为AB2的化合物，所述A选自VIB族的金属元素，所述B选自VIA族的非金属元素。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一隔热子层由层叠设置的第一Y原子层、X原子层和第二Y原子层组成，所述X原子层设置于所述第一Y原子层与所述第二Y原子层之间；所述第二隔热子层由层叠设置的第一B原子层、A原子层和第二B原子层组成，所述A原子层设置于所述第一B原子层与所述第二B原子层之间。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述X选自钼、铬或钨中的至少一种，所述Y选自硫、碲或硒中的至少一种；和/或，所述A选自钼、铬或钨中的至少一种，所述B选自硫、碲或硒中的至少一种。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述通式为XY2的化合物选自MoS2、MoSe2、WS2或WSe2中的至少一种；和/或，所述通式为AB2的化合物选自MoS2、MoSe2、WS2或WSe2中的至少一种。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一隔热子层掺杂有第一金属元素，所述第一金属元素选自锂、钠、铌、钙、镁或锡中的至少一种。6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，按照摩尔百分比计算，所述第一隔热子层包括：5％至10％的所述第一金属元素，以及90％至95％的所述通式为XY2的化合物。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二隔热子层掺杂有第二金属元素，所述第二金属元素选自铼、钾或铯中的至少一种。8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，按照摩尔百分比计算，所述第二隔热子层包括：5％至10％的所述第二金属元素，以及90％至95％的所述通式为AB2的化合物。9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层：所述第一隔热子层的厚度为1：(0.024～0.08)；和/或，所述发光层：所述第二隔热子层的厚度为1：(0.024～0.08)。10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第一隔热子层的厚度为0.6nm至2.0nm，所述第二隔热子层的厚度为0.6nm至2.0nm。11.根据权利要求1至10任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
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VI族化合物或I
‑
III
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VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、
HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
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V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、S...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华民，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：