金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种绝缘膜的厚度厚的金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法。金属填充微细结构体具有：绝缘膜；及多个导体，沿绝缘膜的厚度方向贯通且以彼此电绝缘的状态设置。绝缘膜的厚度方向上的长度为100μm以上。多个导体分别由金属构成，并且曝露于绝缘膜的厚度方向上的一个面及厚度方向上的另一个面上，在导体中，曝露于一个面上的第1金属部与曝露于另一个面上的第2金属部的构成金属不同。不同。不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法


[0001]本专利技术有关一种具有沿绝缘膜的厚度方向贯通且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体的金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法，尤其有关一种绝缘膜的厚度厚的金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]在设置于绝缘性基材上的多个贯通孔中填充金属等导电性物质而成的结构体为近年来在奈米技术中也受到注目的领域的一，例如作为各向异性导电性部件的用途备受期待。
[0003]各向异性导电性部件仅通过插入到半导体元件等电子组件与电路基板之间并进行加压而获得电子组件与电路基板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子组件等的电连接部件及进行功能检查时的检查用连接器等被广泛使用。
[0004]半导体元件等电子组件的小型化尤其显著。在如以往引线接合(wire bonding)那样的直接连接布线基板的方式、覆晶接合(flip chip bonding)及热压接合(thermo compression bonding)等中，有时无法充分保证电子组件的电连接的稳定性，因此作为电子连接部件，各向异性导电性部件受到注目。
[0005]例如，在专利文献1中，记载有一种金属填充微细结构体的制造方法，其包括如下工序：阳极氧化处理工序，对铝基板的单侧的表面实施阳极氧化处理以在铝基板的单侧的表面上形成阳极氧化膜，该阳极氧化膜具有在厚度方向上存在的微孔和在微孔的底部存在的阻挡层；阻挡层去除工序，在阳极氧化处理工序之后，去除阳极氧化膜的阻挡层；金属填充工序，在阻挡层去除工序之后，实施电解电镀处理以在微孔的内部填充金属；及基板去除工序，在金属填充工序之后，去除铝基板以获得金属填充微细结构体。另外，专利文献1的阳极氧化膜为绝缘膜。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2015/029881号

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]在上述专利文献1的金属填充微细结构体的制造方法中进行探讨后发现，在阻挡层去除工序后的金属填充工序中，根据电解电镀处理的条件，在阳极氧化膜的微孔即贯通孔的内部的金属填充变得不够充分。因此，在阳极氧化膜的厚度厚且贯通孔的长度长的情况下，有无法在贯通孔的内部充分填充金属的忧虑，因而有可能无法形成长的导体。作为结果，会有无法制造绝缘膜的厚度厚的金属填充微细结构体的情形，对绝缘膜的厚膜化的对应不够充分。
[0011]本专利技术的目的为提供一种绝缘膜的厚度厚的金属填充微细结构体和金属填充微
细结构体的制造方法。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]为了完成上述目的，本专利技术的一方式提供一种金属填充微细结构体，其具有：绝缘膜；及多个导体，沿绝缘膜的厚度方向贯通且以彼此电绝缘的状态设置，绝缘膜的厚度方向上的长度为100μm以上，多个导体分别由金属构成，并且曝露于绝缘膜的厚度方向上的一个面及厚度方向上的另一个面上，在导体中，曝露于一个面的第1金属部与曝露于另一个面的第2金属部的构成金属不同。
[0014]关于多个导体，优选曝露于一个面上的第1金属部的第1直径与曝露于另一个面上的第2金属部的第2直径分别不同。
[0015]优选，第1金属部由Zn或Ni构成，第2金属部由Cu构成。
[0016]绝缘膜优选为阳极氧化膜。
[0017]本专利技术的另一方式提供一种金属填充微细结构体的制造方法，其包括形成工序，在该形成工序中，对具有沿厚度方向延伸的多个贯通孔的绝缘膜，在多个贯通孔中填充金属而形成导体，形成工序包括：第1工序，使用交流电解电镀法，从绝缘膜的厚度方向上的一个面侧在多个贯通孔中分别形成第1金属部；及第2工序，使用直流电解电镀法，在多个贯通孔的第1金属部上形成第2金属部，第1金属部与第2金属部的构成金属不同。
[0018]优选，在第1工序之前或在第1工序与第2工序之间包括将贯通孔进行扩径的扩径工序。
[0019]优选，第1金属部由Zn或Ni构成，第2金属部由Cu构成。
[0020]绝缘膜的厚度方向上的长度优选为100μm以上。
[0021]绝缘膜优选为阳极氧化膜。
[0022]专利技术效果
[0023]根据本专利技术，能够提供一种在厚度厚的绝缘膜的贯通孔内形成有导体的金属填充微细结构体。并且，根据本专利技术，能够在厚度厚的绝缘膜的贯通孔内形成导体来制造金属填充微细结构体。
附图说明
[0024]图1是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖面图。
[0025]图2是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖面图。
[0026]图3是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖面图。
[0027]图4是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖面图。
[0028]图5是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖面图。
[0029]图6是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖面图。
[0030]图7是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖面图。
[0031]图8是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖面图。
[0032]图9是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖面图。
[0033]图10是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖面图。
[0034]图11是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖面图。
[0035]图12是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖面图。
[0036]图13是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖面图。
[0037]图14是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖面图。
[0038]图15是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖面图。
[0039]图16是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖面图。
[0040]图17是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖面图。
[0041]图18是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖面图。
[0042]图19是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的阳极氧化膜的制造方法的另一例的一工序的示意性剖面图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属填充微细结构体，其具有：绝缘膜；及多个导体，沿所述绝缘膜的厚度方向贯通且以彼此电绝缘的状态设置，所述绝缘膜的所述厚度方向上的长度为100μm以上，所述多个所述导体分别由金属构成，并且曝露于所述绝缘膜的所述厚度方向上的一个面及所述厚度方向上的另一个面，在所述导体中，曝露于所述一个面的第1金属部与曝露于所述另一个面的第2金属部的构成金属不同。2.根据权利要求1所述的金属填充微细结构体，其中，关于所述多个所述导体，曝露于所述一个面的所述第1金属部的第1直径与曝露于所述另一个面的第2金属部的第2直径分别不同。3.根据权利要求1或2所述的金属填充微细结构体，其中，所述第1金属部由Zn或Ni构成，所述第2金属部由Cu构成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属填充微细结构体，其中，所述绝缘膜为阳极氧化膜。5.一种金属填充微细结构体的制造方法，其具有形成工序，在所述形成工序中，对具有沿厚度方向延伸的多个贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀田吉则，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：