一种发光芯片及显示面板制造技术

本申请涉及一种发光芯片及显示面板，发光芯片包括：外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的侧面至少部分为斜面，斜面自第二半导体层向第一半导体层延伸，且与第一半导体层之间的夹角为锐角；第一电极，与第一半导体层电连接；第二电极，与第二半导体层电连接；反射层，反射层覆盖外延层的侧面，发光芯片靠近第一半导体层的一侧不透光，所述发光芯片靠近所述第二半导体层的一侧为出光侧。发光芯片发出的光均从出光面积相对较小的出光侧出光，达到了聚光效果，发光芯片亮度更高，有利于屏幕显示。且发光芯片自身便具有聚光效果，无需再额外制作微型透镜，降低了制作难度以及制作成本。降低了制作难度以及制作成本。降低了制作难度以及制作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种发光芯片及显示面板


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种发光芯片及显示面板。

技术介绍

[0002]Micro Lens(微透镜)是在发光芯片的出光一侧设置具有聚光效果的膜层，例如聚二甲基硅氧烷膜层或二氧化硅膜层，该膜层形成了微型透镜结构，使发光芯片发出的光线在透镜的界面处发生折射，从而实现光线的聚焦。利用微透镜的聚光特性，达到了增亮效果，使得发光芯片在同功耗下可保持更高的亮度，更有利于屏幕显示。但因为微透镜的尺寸往往在几微米级别甚至更低，在发光芯片的出光一侧额外设置膜层，不仅制作难度大，制作的精度也难以控制，且制作的成本也高。
[0003]因此，如何降低制作成本是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片及显示面板，旨在解决微透镜的制作增加了制作成本的问题。
[0005]一种发光芯片，包括：
[0006]外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述外延层的侧面至少部分为斜面，所述斜面自所述第二半导体层向所述第一半导体层延伸，且与所述第一半导体层之间的夹角为锐角；
[0007]第一电极，与所述第一半导体层电连接；
[0008]第二电极，与所述第二半导体层电连接；
[0009]反射层，所述反射层覆盖所述外延层的侧面，所述发光芯片靠近所述第一半导体层的一侧不透光，所述发光芯片靠近所述第二半导体层的一侧为出光侧。
[0010]上述发光芯片包括斜面，该斜面自第二半导体层向第一半导体层延伸，且与第一半导体层之间的夹角为锐角，由此可缩小第二半导体层出光一侧的出光面积。且反射层覆盖外延层的侧面，可使得发光芯片发出的光均从出光面积相对较小的出光侧出光，达到了聚光效果，发光芯片在同功耗下可保持更高的亮度，更有利于屏幕显示。而且该发光芯片自身便具有聚光效果，无需再额外制作微型透镜，降低了制作难度以及制作成本。发光芯片的斜面容易制作，制作的精度也好控制，有利于提高尺寸精度，使得发光芯片的出光效果更好。
[0011]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括：驱动基板，以及若干如上所述的发光芯片，所述驱动基板的一面上设置若干键合部，各所述发光芯片分别通过所述键合部键合在所述驱动基板上。
[0012]上述显示面板包括若干发光芯片，发光芯片通过设置的斜面，缩小了第二半导体层出光一侧的出光面积。且通过反射层的反射，使得发光芯片发出的光均从出光面积相对较小的出光侧出光，达到了聚光效果，发光芯片在同功耗下可保持更高的亮度，更有利于屏
幕显示。而且发光芯片自身便具有聚光效果，无需再额外制作微型透镜，降低了显示面板的制作难度以及制作成本。发光芯片的斜面容易制作，制作的精度也好控制，有利于提高透镜结构的尺寸精度，显示面板的显示效果更好。
附图说明
[0013]图1为本申请实施例提供的发光芯片的一种结构示意图；
[0014]图2为本申请实施例提供的外延层的一种结构示意图；
[0015]图3为本申请实施例提供的发光芯片的另一种结构示意图；
[0016]图4为本申请实施例提供的发光芯片发出的光从其出光侧射出示意图；
[0017]图5为本申请另一可选实施例提供的显示面板的结构示意图；
[0018]附图标记说明：
[0019]1‑
第一半导体层；2
‑
有源层；3
‑
第二半导体层；4
‑
第二电极；5
‑
第一电极；6
‑
反射层；7
‑
外延层；8
‑
斜面；9
‑
驱动基板。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0021]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0022]目前在制作的过程中，因为Micro Lens(微透镜)的尺寸往往在几微米级别甚至更低，发光芯片的出光一侧额外设置膜层，不仅制作难度大，制作的精度也难以控制，且制作的成本也高。
[0023]基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
[0024]本申请一可选实施例：
[0025]本实施例提供了一种发光芯片，如图1
‑
图3所示，包括：外延层7、第一电极5、第二电极4，以及反射层6。
[0026]其中，外延层7包括依次层叠设置的第一半导体层1、有源层2及第二半导体层3，外延层7的侧面至少部分为斜面8，斜面8自第二半导体层3向第一半导体层1延伸，且与第一半导体层1之间的夹角α为锐角。由此可缩小发光芯片上第二半导体层3出光一侧的出光面积。
[0027]可以理解的是，“外延层7的侧面至少部分为斜面8”中的至少部分包括：外延层7层叠方向上的至少部分以及外延层7周向上的至少部分。斜面8自第二半导体层3向第一半导体层1延伸，即斜面8的上端位于第二半导体层3的侧面，斜面8的下端可以位于有源层2的侧面，或者也可位于第一半导体层1的侧面。斜面8与第一半导体层1之间的夹角α，即斜面8与第一半导体层1远离有源层2的一面之间的夹角，或者是斜面8与第一半导体层1靠近有源层2的一面之间的夹角。一些实施方式中，第一半导体层1可为N型半导体层，则第二半导体层3
为P型半导体层；或者，第一半导体层1为P型半导体层，则第二半导体层3为N型半导体层。本实施例中的N型半导体可包括GaN、InGaN、AlGaN、GaAs、InGaAs、PGaAs、中的一种或多种。在本实施例中，有源层2可以包括量子阱层，还可以包括其他结构。
[0028]本实施例中的发光芯片可以是微型LED芯片，例如包括但不限于Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)、Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微米量级发光二极管)、纳米级发光二极管。本实施例中的发光芯片可以为发出红光的红光LED芯片，或发出蓝光的蓝光LED芯片，当然也可根据需求设置为发出其他颜色光的LED芯片，在此不再一一赘述。
[0029]本实施例中的第一电极5与第一半导体层1电连接；第二电极4与第二半导体层3电连接。本实施例中的反射层6覆盖外延层7的侧面，发光芯片靠近第一半导体层1的一侧不透光，发光芯片靠近第二半导体层3的一侧为出光侧。如图4所示，由此可使得发光芯片发出的光均从出光面积相对较小的出光侧出光，达到了聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述外延层的侧面至少部分为斜面，所述斜面自所述第二半导体层向所述第一半导体层延伸，且与所述第一半导体层之间的夹角为锐角；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接；反射层，所述反射层覆盖所述外延层的侧面，所述发光芯片靠近所述第一半导体层的一侧不透光，所述发光芯片靠近所述第二半导体层的一侧为出光侧。2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述斜面自所述第二半导体层远离所述有源层的一面，延伸至所述第一半导体层远离所述有源层的一面。3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述斜面自所述第二半导体层远离所述有源层的一面，延伸至所述第一半导体层靠近所述有源层的一面。4.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述斜面环绕所述外延层将所述外延层围合。5.如权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，所述外延层为圆台形或棱台形。...

【专利技术属性】
技术研发人员：简弘安，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：