发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种发光二极管，包括：衬底；外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，至少所述外延层的横截面的外轮廓为花瓣状结构，所述花瓣状结构包括依次连接的圆弧；第一电极，位于所述第二半导体层上。本实用新型专利技术的技术方案使得发光二极管的光提取效率和可靠性得到提高。可靠性得到提高。可靠性得到提高。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管独特的优势使得其有巨大的应用潜力。发光效率是评价发光二极管的重要参数，影响发光二极管发光效率的因素主要有两个，一个是电子转化为光子的效率，称之为内量子效率，另一个是有源层产生的光子从发光二极管内部出射的效率，称之为光提取效率，两者共同决定了发光二极管的发光效率。其中，内量子效率是由半导体发光材料晶体质量、外延结构和工作条件决定，目前，GaN基蓝光发光二极管的内量子效率已超过85％，但是发光二极管的光提取效率还有较大提升空间，高光提取效率发光二极管的研究得到国内外研究人员的广泛重视。
[0003]以如图1所示的发光二极管为例，发光二极管中的外延层包含自下向上形成于衬底11正面的P型半导体层14、多量子阱层15和N型半导体层16，N型半导体层16上形成有上电极17(N电极)，衬底11背面形成有下电极18(P电极)，所述P型半导体层14通过键合层12与所述衬底11键合，且P型半导体层14与所述键合层12之间还包括反射镜层13，以提高正面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，至少所述外延层的横截面的外轮廓为花瓣状结构，所述花瓣状结构包括依次连接的圆弧；第一电极，位于所述第二半导体层上。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，各个所述圆弧相同。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述圆弧的交点与所述花瓣状结构的中心之间的距离均相等。4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述圆弧的数量n至少为三个。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述圆弧的数量n满足：2π/n≤α≤π，sin(π/n)R≤r≤R，其中，α为所述圆弧的弧度，r为所述圆弧的半径，R为各个所述圆弧的交点相连围成的圆的半径，a为所述衬底横截面的最短边长。6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，至少所述外延层的侧壁与所述外延层的中心之间的水平距离沿所述外延层至所述衬底方向逐渐增大。7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱英强，梁兴华，张乾，洪灿皇，陈俊鸿，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：