压电振动器件制造技术

本发明专利技术提供一种压电振动器件。该压电振动器件至少具备核心部(5)，核心部(5)中包含振动部(11)被气密密封的三枚重叠结构的晶体谐振器(50)、及作为发热体的加热用IC(52)，晶体谐振器(50)的至少第二密封部件(30)的第二主面(302)的整体与加热用IC(52)热耦合。(302)的整体与加热用IC(52)热耦合。(302)的整体与加热用IC(52)热耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电振动器件


[0001]本专利技术涉及一种压电振动器件。

技术介绍

[0002]近年来，各种电子设备的动作频率的高频化、封装体的小型化或低矮化(薄型化)在不断发展。因此，随着高频化、封装体的小型化及低矮化的发展，也要求压电振动器件(例如，晶体谐振器、晶体振荡器等)顺应高频化、封装体的小型化及低矮化。
[0003]这种压电振动器件的壳体由近似长方体形状的封装体构成。该封装体包括例如由玻璃或水晶构成的第一密封部件及第二密封部件、及压电振动板，该压电振动板例如由水晶构成，且两个主面上形成有激励电极。并且，第一密封部件与第二密封部件隔着压电振动板层叠并接合，配置于封装体的内部(内部空间)的压电振动板的振动部被气密密封。
[0004]然而，晶体谐振器等压电振子基于固有的频率温度特性，振动频率相应于温度而发生变化。于是，现有技术中出现了为使压电振子周围的温度保持恒定而将压电振子封入恒温槽内的恒温槽型压电振荡器(Oven－Controlled Xtal(crystal)Oscillator：以下，也称为“OCXO”)(例如，参照专利文献1)。
[0005]如上所述的压电振动器件中，在将压电振子与发热体(例如加热用IC或加热基板等)隔开间隔地配置的情况下，压电振子与发热体之间可能会产生温度差，从而会因此而降低OCXO的温度调节精度。因此，可能会导致OCXO的振荡频率不稳定。
[0006]【专利文献1】：日本特许第6376681号公报

技术实现思路

[0007]鉴于上述情况，本专利技术的目的在于，提供一种能使包含振动部被气密密封的三枚重叠结构的压电振子、及发热体的核心部的温度更迅速地上升至目标温度的压电振动器件。
[0008]作为解决上述技术问题的技术方案，本专利技术采用下述结构。即，本专利技术的压电振动器件至少具备核心部，其特征在于：所述核心部包含振动部被气密密封的三枚重叠结构的压电振子、及发热体，所述压电振子的至少一个主面的整体与所述发热体热耦合。并且，也可以在所述压电振子上安装振荡用IC，在此情况下，较佳为，振荡用IC的有源表面(Active surface)的整体与压电振子或发热体热耦合。
[0009]基于上述结构，由于三枚重叠结构的压电振子的至少一个主面的整体与发热体热耦合，所以能够高效地对压电振子进行加热。由此，能够使核心部更迅速地升温至目标温度，从而能够抑制压电振动器件的频率变动。
[0010]上述结构中，较佳为，所述压电振子的热容量小于所述发热体的热容量。基于该结构，由于三枚重叠结构的压电振子的热容量小于发热体的热容量，所以能够使压电振子迅速升温。从而，能够抑制压电振动器件的频率变动。
[0011]上述结构中，较佳为，所述核心部安装于由绝缘材料构成的封装体的内部，并且，
盖体与所述封装体接合而将所述核心部气密密封。基于该结构，由于核心部安装于由绝缘材料构成的封装体的内部并由盖体气密密封，所以核心部不会暴露于外部环境，从而能够使核心部保持恒温。
[0012]上述结构中，较佳为，所述核心部包含通过接合材料与所述发热体接合的基板，所述基板由导热率低于所述封装体的绝缘材料构成。基于该结构，由于核心部包含由导热率低于所述封装体的绝缘材料构成的基板(核心基板)，所以能够抑制被发热体加后的压电振子的热传递至例如以矾土之类的陶瓷为基材的封装体侧。
[0013]上述结构中，较佳为，所述绝缘材料为水晶、玻璃、或树脂。基于该结构，由于核心部包含由水晶、玻璃、或树脂构成的基板(核心基板)，所以能够抑制被发热体加热后的压电振子的热传递至例如以矾土之类的陶瓷为基材的封装体侧。
[0014]上述结构中，较佳为，所述基板通过第一粘合剂接合于所述封装体。基于该结构，由水晶、玻璃、或树脂构成的基板(核心基板)通过第一粘合剂与封装体接合，因而，能够抑制核心部的热传递至封装体侧。
[0015]上述结构中，较佳为，所述压电振子与所述发热体通过第二粘合剂接合，所述第二粘合剂的导热率高于所述第一粘合剂的导热率。基于该结构，由于第二粘合剂的导热率高于第一粘合剂的导热率，所以来自发热体的热能在传递至封装体侧之前先高效地传递至压电振子。
[0016]专利技术效果：
[0017]基于本专利技术的压电振动器件，由于三枚重叠结构的压电振子的至少一个主面的整体与发热体热耦合，所以能够高效地对压电振子进行加热。由此，能够使核心部更迅速地升温至目标温度，从而能够抑制压电振动器件的频率变动。
附图说明
[0018]图1是表示应用了本专利技术的实施方式所涉及的OCXO的概要结构的截面图。
[0019]图2是表示图1的OCXO的核心部及核心基板的概要结构的截面图。
[0020]图3是表示图2的核心部及核心基板的俯视图。
[0021]图4是示意性地表示图2的核心部的晶体振荡器(晶体谐振器及振荡用IC)的各构成部分的概要结构图。
[0022]图5是图4的晶体振荡器的第一密封部件的第一主面侧的概要俯视图。
[0023]图6是图4的晶体振荡器的第一密封部件的第二主面侧的概要俯视图。
[0024]图7是图4的晶体振荡器的晶体振动片的第一主面侧的概要俯视图。
[0025]图8是图4的晶体振荡器的晶体振动片的第二主面侧的概要俯视图。
[0026]图9是图4的晶体振荡器的第二密封部件的第一主面侧的概要俯视图。
[0027]图10是图4的晶体振荡器的第二密封部件的第二主面侧的概要俯视图。
[0028]图11是表示第一变形例所涉及的OCXO的概要结构的截面图。
[0029]图12是表示图11的OCXO的俯视图。
[0030]图13是表示第二变形例所涉及的OCXO的概要结构的截面图。
[0031]图14是表示第三变形例所涉及的OCXO的概要结构的截面图。
[0032]＜附图标记说明＞
[0033]1ꢀꢀꢀꢀꢀ
OCXO(压电振动器件)
[0034]2ꢀꢀꢀꢀꢀ
封装体
[0035]4ꢀꢀꢀꢀꢀ
核心基板
[0036]5ꢀꢀꢀꢀꢀ
核心部
[0037]11
ꢀꢀꢀꢀ
振动部
[0038]50
ꢀꢀꢀꢀ
晶体谐振器(压电振子)
[0039]52
ꢀꢀꢀꢀ
加热用IC(发热体)
具体实施方式
[0040]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。以下，对将本专利技术应用于OCXO(Oven－Controlled Xtal(crystal)Oscillator)的实施方式进行说明。
[0041]如图1所示，本实施方式所涉及的OCXO1被构成为，在陶瓷等制的近似长方体的封装体(壳体)2的内部配置有核心部5，并由盖体3气密密封。在封装体2上形成有上方开口的凹部2a，核心部5以气密状态被封入凹部2a的内部。周壁部2b包围着凹部2a，盖体3通过密封材料8被缝焊而固定在周本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电振动器件，至少具备核心部，其特征在于：所述核心部包含振动部被气密密封的三枚重叠结构的压电振子、及发热体，所述压电振子的至少一个主面的整体与所述发热体热耦合。2.根据权利要求1所述的压电振动器件，其特征在于：在所述压电振子上安装有振荡用IC，所述振荡用IC的有源表面的整体与所述压电振子或所述发热体热耦合。3.根据权利要求1或2所述的压电振动器件，其特征在于：所述压电振子的热容量小于所述发热体的热容量。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的压电振动器件，其特征在于：所述核心部安装于由绝缘材料构成的封装体的内部，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：古城琢也，
申请(专利权)人：株式会社大真空，
类型：发明
国别省市：