一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法，该结构包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。本发明专利技术通过对汇流排、假指、间隙、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。易于大规模推广。易于大规模推广。

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法


[0001]本专利技术涉及声表面波电子器件
，具体涉及一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法。

技术介绍

[0002]作为移动通讯的基础和关键，射频前端是雷达、卫星通信电子和移动终端产品的核心组件。射频前端滤波器用于滤除各类寄生杂波，噪音等多种干扰信号，主要包括滤波器/双工器、功率放大器和标签等器件单元。由于声表面波(SAW)滤波器具有体积小、一致性好、可靠性高、损耗低、滤波性能佳等特点，声表面波滤波器已经成为雷达、卫星通信电子和移动终端等最主流的射频前端滤波器。随着高速移动通讯对低损耗、高平坦度等高性能SAW滤波器的需求越来越高，实现横向杂波模式抑制非常的重要。
[0003]声表面波滤波器的结构一般包括衬底层、压电层和电极指条层，而电极指条层包括汇流排、假指和指条组件，声表面波滤波器的杂波模式抑制设计主要包括寄生杂波和横向杂波模式抑制设计，其中，寄生杂波模式抑制取决于其压电材料及其切向、电极材料及尺寸、膜层拓扑结构等，而横向杂波模式抑制取决于指条和孔径方向上的结构、材料设计。各种杂波模式的存在限制了SAW滤波器在高性能元器件领域的应用，因此急需设计一种能够有效抑制寄生杂波模式或横向杂波的声表面波器件。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的上述不足，本专利技术要解决的技术问题是：如何提供一种能够有效抑制横向杂波模式，提高声表面波器件使用性能的声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。
[0006]优选的，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述指条包括沿竖向方向设置的第一指条部和第二指条部，所述第一指条部靠近所述第二指条部的一端向下倾斜，所述第二指条部靠近所述第一指条部的一端向上倾斜，所述第一指条部的倾斜角度和所述第二指条部的倾斜角度相同，且所述第一指条部和第二指条部相互靠近的一端相接形成指条过渡连接部，以使得所述指条整体呈类V型结构，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。
[0007]优选的，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置直接相交形成角形过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。
[0008]优选的，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过圆弧面过渡连接形成圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连
接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。
[0009]优选的，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过内凹圆弧面过渡连接形成内凹圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过外凸圆弧面过渡连接形成外凸圆弧过渡区。
[0010]优选的，所述第一指条部和所述第二指条部外形尺寸相同，以使得所述指条过渡连接部位于所述指条的中间位置。
[0011]优选的，相邻两个所述指条之间的轴向距离不小于所述指条的轴向宽度。
[0012]优选的，所述第一指条部和所述第二指条部的轴向宽度与对应位置所述假指的轴向宽度相同。
[0013]优选的，相邻的所述指条两两一组，同一组的两个所述指条中，其中一个所述指条的第一指条部远离所述第二指条部的一端向上延伸并与所述汇流排相接，另一个所述指条的第二指条部远离所述第一指条部的一端向下延伸与所述汇流排连接。
[0014]一种声表面波器件横向杂波模式抑制方法，采用上述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有以下有点：1、声表面波在传播过程中往往存在一定的能流角，使得声表面波在孔径方向（即与指条平行的方向）上存在散射，进而导致声表面波器件在通带范围内或临带附近存在横向杂波，使得声表面波器件通带平坦度、插入损耗等性能恶化，本方案通过将指条组件整体设计为类鱼刺形结构，可有效抑制声表面波在孔径方向上存在散射，进而减少横向杂波模式寄生，提高声表面波的性能。
[0016]2、声表面波在传播过程中，在形状畸变处往往导致声波能量以体波的形式向压电体内散射，导致声表面波器件的Q值（品质因数）恶化，矩形度下降，甚至杂波模式寄生，本专利技术中指条过渡连接部设计为单侧角形过渡区、单侧圆弧过渡区和双侧圆弧过渡均均可有效抑制声表面波能量向压电体内散射，提高声表面器件的Q值和矩形度，一定程度上抑制杂波模式寄生。
[0017]3、本专利技术通过对汇流排、假指、间隙、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例一中声表面波器件横向杂波模式抑制结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例二中声表面波器件横向杂波模式抑制结构的结构示意图；图3为本专利技术实施例三中声表面波器件横向杂波模式抑制结构的结构示意图。
[0019]附图标记说明：汇流排1、假指2、指条3、第一指条部31、第二指条部32、指条过渡连接部33、间隙4。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
[0021]本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一个”“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件，并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。“上”“下”“左”“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0022]实施例一：如附图1所示，本专利技术提供一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构，主要是对电极指条层的结构进行优化，包括汇流排1、假指2、间隙4和指条组件，指条组件整体呈类鱼刺形结构。
[0023]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指、间隙和指条组件，其特征在于，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。2.根据权利要求1所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述指条包括沿竖向方向设置的第一指条部和第二指条部，所述第一指条部靠近所述第二指条部的一端向下倾斜，所述第二指条部靠近所述第一指条部的一端向上倾斜，所述第一指条部的倾斜角度和所述第二指条部的倾斜角度相同，且所述第一指条部和第二指条部相互靠近的一端相接形成指条过渡连接部，以使得所述指条整体呈类V型结构，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。3.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置直接相交形成角形过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。4.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过圆弧面过渡连接形成圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑泽渔，杜雪松，陈正林，罗鸿飞，肖强，董加和，贺艺，潘虹芝，詹雪奎，梁柳洪，马晋毅，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：