一种存储器及电子设备制造技术

本申请公开了一种存储器及电子设备。其中，存储器包括堆叠的多层存储阵列，多层存储阵列中的每一层存储阵列包括：矩阵排列的多个存储单元，多条源线，多条位线以及多条字线。由于存储单元为铁电晶体管，从而使该存储器具有较高的存储密度、低功耗和高速度等优势。并且，由于是多层存储阵列堆叠的三维结构，因此可以有效地增加存储容量。另外，由于多层存储阵列中至少两层存储阵列中相同位置的源线互连，和/或位线互连，和/或字线互连。从而通过源线互连、位线互连或字线互连可以减少用于连接存储阵列与控制电路的走线的数量，从而减少走线的占用面积，增大存储阵列的占用面积比例，进而进一步增大存储器的存储容量。而进一步增大存储器的存储容量。而进一步增大存储器的存储容量。而进一步增大存储器的存储容量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：卜思童，方亦陈，张恒，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：