一种内置吸收回路的场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种内置吸收回路的场效应管，场效应管由栅极G、源极S和漏极D组成，所述场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，瞬变电压抑制二极管D1正极连接引出引脚VDC，栅极G和源极S保持不变。本实用新型专利技术的优点是：元器件较小，占用PCB面积小，封装后EMI效果好，散热效果好。散热效果好。散热效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种内置吸收回路的场效应管


[0001]本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种内置吸收回路的场效应管。

技术介绍

[0002]开关电源的主元件大都有寄生电感与电容，寄生电容Cp—般都与开关元件或二极管并联，而寄生电感通常与其串联。由于这些寄生电容与电感的作用，开关元件在通断工作时，往往会产生较大的浪涌电压与浪涌电流。
[0003]开关的通断与二极管反向恢复时都要产生较大浪涌电流与浪涌电压。而抑制开关接通时浪涌电流的最有效方法是采用零电压开关电路。另一方面，开关断开的浪涌电压与二极管反向恢复的浪涌电压可能会损坏半导体元件，同时也是产生噪声的原因。为此，开关断开时，就需要采用吸收电路。二极管反向恢复时，浪涌电压产生机理与开关断开时相同，因此，这种吸收电路也适用于二极管电路。
[0004]在开关电源小于120W的应用中，基本上采用反激的拓朴结构。所使用的场效应管一般为600V或650V为主，也有用于电表电源的高压MOSFET，高压达1200V。电流从1A到12A为主。在实际使用中mosfet的D极接高频变压器的初级绕组的一端，G极接驱动信号，S极接采样功率电阻。同时mosfet的D极接吸收回路到市电整流后的高压，如附图2所示，D1与D2组成在MOSFET截止时变压器初级绕组两端产生反射电压的吸收回路，D2一般取FR系列的快恢复二极管，如FR107,FR157,FR207；D1是TVS管，一般取P6KE180～240(600W 180V
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240V)或1.5KE180～240(1KW 180V～240V)。
[0005]上述吸收回路电路在实际应用中，需要根据不同功率进行选择，而所选择的二极管根据开关电源的功率，选择比较固定的两个二极管，两个二极管分布在场效应管D极，需要占用PCB板较大面积；在体积需要较小的场合无法满足应用需要，外置吸收回路会导致EMI无法达标。

技术实现思路

[0006]本技术的主要目的在于提供一种内置吸收回路的场效应管，以解决
技术介绍
中存在的技术问题。
[0007]为了实现上述目的，本技术提供了一种内置吸收回路的场效应管，场效应管由栅极G、源极S和漏极D组成，所述场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，瞬变电压抑制二极管D1正极连接引出引脚VDC，栅极G和源极S保持不变。
[0008]优选地，所述内置吸收回路的场效应管，场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极和电压器初级绕组一端，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，瞬变电压抑制二极管D1正极连接引出引脚VDC和电压器初级绕组另一端。
[0009]将瞬变电压抑制二极管D1和快速恢复二极管D2内置到现有场效应管结构内共同封装组成内置吸收回路的场效应管。
[0010]优选地，所述瞬变电压抑制二极管D1采用FR系列，快速恢复二极管D2采用TVS管构成高压场效应管。
[0011]更优选地，所述瞬变电压抑制二极管D1采用FR107、FR157或FR207，快速恢复二极管D2采用P6KE180～240(600W 180V
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240V)或1.5KE180～240(1KW 180V～240V)。
[0012]本技术为开关电源设计提供了一款集成电路元件，简单的替代原分立器件，缩小了空间，设计紧凑，封装后能明显改善场效应管的EMI。
[0013]本技术的优点是：元器件较小，占用PCB面积小，封装后EMI效果好，散热效果好。
附图说明
[0014]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0015]图1是本技术原理图；
[0016]图2是本技术现有技术图；
[0017]图3是本技术封装效果图。
具体实施方式
[0018]下面可以参照附图1以及文字内容理解本技术的内容以及本技术与现有技术之间的区别点。下文通过附图以及列举本技术的一些可选实施例的方式，对本技术的技术方案(包括优选技术方案)做进一步的详细描述。需要说明的是：本实施例中的任何技术特征、任何技术方案均是多种可选的技术特征或可选的技术方案中的一种或几种，为了描述简洁的需要本文件中无法穷举本技术的所有可替代的技术特征以及可替代的技术方案，也不便于每个技术特征的实施方式均强调其为可选的多种实施方式之一，所以本领域技术人员应该知晓：可以将本技术提供的任意技术手段进行替换或将本技术提供的任意两个或更多个技术手段或技术特征互相进行组合而得到新的技术方案。本实施例内的任何技术特征以及任何技术方案均不限制本技术的保护范围，本技术的保护范围应该包括本领域技术人员不付出创造性劳动所能想到的任何替代技术方案以及本领域技术人员将本技术提供的任意两个或更多个技术手段或技术特征互相进行组合而得到的新的技术方案。
[0019]本技术实施例提供了一种内置吸收回路的场效应管。
[0020]下面结合图1对本技术提供的技术方案进行更为详细的阐述。
[0021]实施例1
[0022]一种内置吸收回路的场效应管，场效应管由栅极G、源极S和漏极D组成，所述场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，瞬变电压抑制二极管D1正极连接引出引脚VDC，栅极G和源极S保持不变。
[0023]实施例2
[0024]如实施例1所述内置吸收回路的场效应管，场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极和电压器初级绕组一端，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，
瞬变电压抑制二极管D1正极连接引出引脚VDC和电压器初级绕组另一端；将瞬变电压抑制二极管D1和快速恢复二极管D2内置到现有场效应管结构内共同封装组成内置吸收回路的场效应管；所述瞬变电压抑制二极管D1采用FR系列，快速恢复二极管D2采用TVS管构成高压场效应管；所述瞬变电压抑制二极管D1采用FR107、FR157或FR207，快速恢复二极管D2采用P6KE180～240(600W 180V
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240V)或1.5KE180～240(1.5KW 180V～240V)。
[0025]实施例3
[0026]如实施例1或3所述内置吸收回路的场效应管，图1中原MOSFET管的G极与S极保持不变，D极还是连接变压器初级绕组的一端，内置的D1,D2出的引脚名VDC直接接市电整流滤波后一端及变压器初级绕组的VDC端；
[0027]其中相应的MOSFET会有不同的D1,D2配置，下表是主要配置：
[0028]表一：
[0029]D1D2MOSFET(Q1)P6K220FR107600
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650V,1A
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...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内置吸收回路的场效应管，场效应管由栅极G、源极S和漏极D组成，其特征在于，所述场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，瞬变电压抑制二极管D1正极连接引出引脚VDC，栅极G和源极S保持不变。2.如权利要求1所述内置吸收回路的场效应管，其特征在于，所述内置吸收回路的场效应管，场效应管的漏极D连接快速恢复二极管D2正极和电压器初级绕组一端，快速恢复二极管D2负极连接瞬变电压抑制二极管D1负极，瞬变电压抑制二极管D1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周钰，万志兵，
申请(专利权)人：深圳市周励电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：