一种开关电源吸收回路集成电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种开关电源吸收回路集成电路，由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2和二极管D6组成，引脚PIN1连接电容C1、电阻R1和电阻R2一端，电阻R1和电阻R2另一端连接电阻R3和电阻R4一端，电阻R3和电阻R4另一端连接电容C1另一端，电阻R1和电阻R2并联，电阻R3和电阻R4并联；电容C1另一端连接电阻R5和电阻R6一端，电阻R5和电阻R6另一端连接电容C2和二极管D6一端，电容C2和二极管D6的另一端连接引脚PIN2，电阻R5和电阻R6并联，电容C2和二极管D6并联。本实用新型专利技术的优点是：元器件较小，占用PCB面积小，封装后EMI效果好。效果好。效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源吸收回路集成电路


[0001]本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种开关电源吸收回路集成电路。

技术介绍

[0002]开关电源的主元件大都有寄生电感与电容，寄生电容Cp—般都与开关元件或二极管并联，而寄生电感通常与其串联。由于这些寄生电容与电感的作用，开关元件在通断工作时，往往会产生较大的电压浪涌与电流浪涌。
[0003]开关的通断与二极管反向恢复时都要产生较大电流浪涌与电压浪涌。而抑制开关接通时电流浪涌的最有效方法是采用零电压开关电路。另一方面，开关断开的电压浪涌与二极管反向恢复的电压浪涌可能会损坏半导体元件，同时也是产生噪声的原因。为此，开关断开时，就需要采用吸收电路。二极管反向恢复时，电压浪涌产生机理与开关断开时相同，因此，这种吸收电路也适用于二极管电路。
[0004]RC吸收网络由电阻Rs与电容Cs串联的一种电路，同时与开关并联连接的结构。若开关断开，蓄积在寄生电感中的能量对开关的寄生电容充电的同时，也会通过吸收电阻对吸收电容充电。这样，由于吸收电阳的作用，其阻抗将变大，那么，吸收电容也就等效地増加了开关的并联电容的容量，从而抑制开关断开的电压浪涌。而在开关接通时，吸收电容又通过开关放电，此时，其放电电流将被通常采用RCD吸收电路，它由电阻RS、电容Cs和二极管VDs构成，其中电阻R也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开，蓄积在寄生电感中的能量将通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，从而使开关电压被吸收二极管所钳位(约为1V左右)，同时寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容则通过电阻放电。
[0005]采用RC和RCD吸收电路也可以对变压器消磁，而不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都会在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅可以消耗变压器漏感中蓄积的能量，而且也能消耗变压器励磁能量，因此，这种方式同时降低了变换器的变换效率由于RCD吸收电路是通过二极管对开关电压针位，效果要比RC好，同时，它也可以采用较大电阻，但能量损耗也比RC小。
[0006]在开关电源小于120W的应用中，基本上采用反激的拓朴结构。如附图2所示，虚线区域部分即是开关电源吸收回路，在反激开关电源应用中，功率不同其吸收电路的参数会有差异。
[0007]然而上述吸收回路电路在实际应用中，需要根据不同功率进行调试参数，且占用PCB板较大面积；在极小体积的开关电源应用中，其电路的EMI却难以达标。

技术实现思路

[0008]本技术的主要目的在于提供一种开关电源吸收回路集成电路，以解决
技术介绍
中存在的技术问题。
[0009]为了实现上述目的，本技术提供了一种开关电源吸收回路集成电路，由电阻
R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2和二极管D6组成，引脚PIN1连接电容C1、电阻R1和电阻R2一端，电阻R1和电阻R2另一端连接电阻R3和电阻R4一端，电阻R3和电阻R4另一端连接电容C1另一端，电阻R1和电阻R2并联，电阻R3和电阻R4并联；电容C1另一端连接电阻R5和电阻R6一端，电阻R5和电阻R6另一端连接电容C2和二极管D6一端，电容C2和二极管D6的另一端连接引脚PIN2，电阻R5和电阻R6并联，电容C2和二极管D6并联。
[0010]优选地，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6采用四分之一瓦1％精度的电阻。此处电阻的精度能稳定吸收回路集成电路的效果，四分之一瓦电阻的功率能改善封装后的散热效果和匹配开关电源功率。
[0011]更优选地，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6采用二分之一瓦0.5％精度的电阻。此处电阻的精度能稳定吸收回路集成电路的效果，四分之一瓦电阻的功率能改善封装后的散热效果和匹配开关电源功率。
[0012]优选地，所述电容C1、电容C2采用电容的容量值达到的误差精度为5％。此处电容的精度能稳定吸收回路集成电路的效果，能改善封装后的散热效果和匹配开关电源功率。
[0013]更优选地，所述电容C1、电容C2采用电容的容量值达到的误差精度为1％。此处电容的精度能稳定吸收回路集成电路的效果，能改善封装后的散热效果和匹配开关电源功率。
[0014]优选地，所述二极管D6采用快恢复二极管。
[0015]更优选地，所述快恢复二极管采用1000V 1A。
[0016]更优选地，所述快恢复二极管采用1000V 1.5A。
[0017]本技术是将上述方案中具有电气关系的元件与线路做到集成电路中，引出引脚PIN1与PIN2，将几个元器件缩小为一个集成元件，集成后可以做成贴片或插件，根据不同的功率选择不同功率参数的集成元件。
[0018]本技术为开关电源设计提供了一款集成电路元件，简单的替代原分立器件，缩小了空间，设计紧凑，增加的电容C2能明显改善集成电路的EMI。
[0019]本技术的优点是：元器件较小，占用PCB面积小，封装后EMI效果好。
附图说明
[0020]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0021]图1是本技术原理图；
[0022]图2是本技术现有技术图。
具体实施方式
[0023]下面可以参照附图1以及文字内容理解本技术的内容以及本技术与现有技术之间的区别点。下文通过附图以及列举本技术的一些可选实施例的方式，对本技术的技术方案(包括优选技术方案)做进一步的详细描述。需要说明的是：本实施例中的任何技术特征、任何技术方案均是多种可选的技术特征或可选的技术方案中的一种或几种，为了描述简洁的需要本文件中无法穷举本技术的所有可替代的技术特征以及可替
代的技术方案，也不便于每个技术特征的实施方式均强调其为可选的多种实施方式之一，所以本领域技术人员应该知晓：可以将本技术提供的任意技术手段进行替换或将本技术提供的任意两个或更多个技术手段或技术特征互相进行组合而得到新的技术方案。本实施例内的任何技术特征以及任何技术方案均不限制本技术的保护范围，本技术的保护范围应该包括本领域技术人员不付出创造性劳动所能想到的任何替代技术方案以及本领域技术人员将本技术提供的任意两个或更多个技术手段或技术特征互相进行组合而得到的新的技术方案。
[0024]本技术实施例提供了一种开关电源吸收回路集成电路。
[0025]下面结合图1对本技术提供的技术方案进行更为详细的阐述。
[0026]实施例1
[0027]一种开关电源吸收回路集成电路，由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2和二极管D6组成，引脚PIN1连接电容C1、电阻R1和电阻R2一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电源吸收回路集成电路，其特征在于，由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2和二极管D6组成，引脚PIN1连接电容C1、电阻R1和电阻R2一端，电阻R1和电阻R2另一端连接电阻R3和电阻R4一端，电阻R3和电阻R4另一端连接电容C1另一端，电阻R1和电阻R2并联，电阻R3和电阻R4并联；电容C1另一端连接电阻R5和电阻R6一端，电阻R5和电阻R6另一端连接电容C2和二极管D6一端，电容C2和二极管D6的另一端连接引脚PIN2，电阻R5和电阻R6并联，电容C2和二极管D6并联。2.如权利要求1所述的开关电源吸收回路集成电路，其特征在于，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6采用四分之一瓦1％精度的电阻。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：周钰，万志兵，
申请(专利权)人：深圳市周励电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：