一种脱毛仪残留高压自动释放电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种脱毛仪残留高压自动释放电路，包括P

【技术实现步骤摘要】
一种脱毛仪残留高压自动释放电路


[0001]本技术涉及医疗设备领域，具体为一种脱毛仪残留高压自动释放电路。

技术介绍

[0002]现有技术中脱毛仪的工作原理是通过升压模块电路产生脉冲高压到储能模块聚集电荷能量，再通过氙气灯转换为光热能量作用于毛囊，达到脱毛的效果。这些脱毛仪产品有个共同的缺陷，关机断电或者意外掉电后其内部储能电容会有残留高压，最高可达400伏，这种残留的高压会对消费者及售后维护人员构成人身安全隐患。因此，亟需一种能自动释放储能模块残留高压的脱毛仪。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在脱毛仪仪器关机断电或者意外掉电后持续释放储能电容上的残留高压，直到储能电容两端电压泄放接近于零，保证消费者或售后维护人员在使用维护脱毛仪时的人身安全。
[0004]为实现上述目的，本技术通过如下技术手段实现：
[0005]一种脱毛仪残留高压自动释放电路，包括P
‑
MOS管Q9、NPN三极管Q2、二极管、电容、电阻。所述二极管设有5个，分别为二极管D2、二极管D3、二极管D7、二极管D8、二极管D9；所述电容设有2个，分别为电容C14、电容C26；所述电阻包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31、电阻R36。所述P
‑
MOS管Q9第1脚分别与电阻R36、二极管D8相连接，第2脚分别与电容C26、二极管D9相连接；第3脚分别与电阻R12、二极管D7相连接。所述NPN三极管Q2引脚B与电阻R12、电阻R13相连接，引脚C分别与电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31相连接，所述电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31并联；所述电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31分别与二极管D2、二极管D3、电容C14相连接。所述电容C14、电容C26、电阻R13引脚和NPN三极管Q2引脚E接地。
[0006]所述二极管D8与电阻R36、二极管D9相连接；所述二极管D9与电容C26相连接。
[0007]所述电阻R12与二极管D7、电阻R13相连接；所述二极管D7连接MCU模块。
[0008]所述二极管D2与二极管D3并联，所述二极管D2、二极管D3分别与电容C14相连接。
[0009]所述二极管D2第1脚、二极管D3第1脚和电容C14均连接氙气灯，二极管D2第2脚、二极管D3第2脚均连接升压电路模块。
[0010]所述二极管D8和二极管D9均连接电源端。
[0011]本技术的有益效果：
[0012]本技术的残留高压自动释放电路简单可靠，在脱毛仪上应用非常人性化，在脱毛仪关机断电或者意外掉电时，能自动释放内部储能电容上的残留高压，消除残留高压对消费者及售后维护人员造成的安全隐患。
附图说明
[0013]图1为本技术实施例中脱毛仪残留高压自动释放电路图。
具体实施方式
[0014]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0015]一种脱毛仪残留高压自动释放电路，包括P
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MOS管Q9、NPN三极管Q2、二极管、电容、电阻。所述二极管设有5个，分别为二极管D2、二极管D3、二极管D7、二极管D8、二极管D9；所述电容设有2个，分别为电容C14、电容C26；所述电阻包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31、电阻R36。所述P
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MOS管Q9第1脚分别与电阻R36、二极管D8相连接，第2脚分别与电容C26、二极管D9相连接；第3脚分别与电阻R12、二极管D7相连接。所述NPN三极管Q2引脚B与电阻R12、电阻R13相连接，引脚C分别与电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31相连接，所述电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31并联；所述电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31分别与二极管D2、二极管D3、电容C14相连接。所述电容C14、电容C26、电阻R13引脚和NPN三极管Q2引脚E接地。
[0016]所述二极管D8与电阻R36、二极管D9相连接；所述二极管D9与电容C26相连接。
[0017]所述电阻R12与二极管D7、电阻R13相连接；所述二极管D7连接MCU模块。
[0018]所述二极管D2与二极管D3并联，所述二极管D2、二极管D3分别与电容C14相连接。
[0019]所述二极管D2第1脚、二极管D3第1脚和电容C14均连接氙气灯，二极管D2第2脚、二极管D3第2脚均连接升压电路模块。
[0020]所述二极管D8和二极管D9均连接电源端。
[0021]本技术的原理为：
[0022]脱毛仪开机后，MCU根据人机交互指令控制升压电路模块升压，储能模块电容C14积蓄电荷，电压逐步上升；MCU检测储能模块电容C14是否达到目标电压，若已达到目标电压，则MCU发出指令给到升压电路模块停止升压。
[0023]同时，电源电路VOUT通过二极管D9给超级电容C26充电，电源电路VOUT通过二极管D8控制P
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MOS管Q9截止，从而不影响MCU通过二极管D7变换控制调压；当储能模块电容C14电压超出目标电压时，MCU通过二极管D7输出高电平信号控制NPN三极管Q2导通泄放部分能量，直到储能模块电容C14电压降至目标电压后MCU切换输出低电平以控制NPN三极管Q2截止。
[0024]当人机交互发出“脱毛”指令时，MCU先检测储能模块电容C14是否达到目标电压，若已达到目标电压，MCU控制氙气灯点火模块给氙气灯点火，触发氙气灯闪光完成一次脱毛动作，若未达到目标电压，则等待储能模块电容C14积蓄电荷，电压逐步上升至目标电压。
[0025]当仪器关机断电或掉电后，电源电路VOUT跳变为低电平，P
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MOS管Q9由截止状态跳变为导通状态，超级电容C26通过P
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MOS管Q9使NPN三极管Q2导通，储能模块电容C14与四个并联电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31以及电源负极构成放电回路，储能电容C14上的残留电荷在四个并联电阻上转化为热能，两端电压逐渐降低直到接近于零。自动释放电路持续工作，直到储能模块电压降为零，到达释放储能电容残留高压的目的。通过调整电阻R14、R15、R30和R31阻值的大小可以调整放电时间的长短，电阻R14、R15、R30和R31优选相同电阻
值。
[0026]当脱毛仪再次上电开机时，电源电路VOUT通过二极管D9给超级电容C26充电，同时电源电路VOUT通过二极管D8控制P
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MOS管Q9立即切换为截止状态，从而不影响MCU通过D7控制调压，保证仪器正常运行。
[0027]本技术的有益效果：
[0028]本技术的残留高压自动释放电路简单可靠，在脱毛仪上应用非常人性化，在脱毛仪关机断电或者意外掉电时，残本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种脱毛仪残留高压自动释放电路，其特征在于：包括P
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MOS管Q9、NPN三极管Q2、二极管、电容、电阻；所述二极管设有5个，分别为二极管D2、二极管D3、二极管D7、二极管D8、二极管D9；所述电容设有2个，分别为电容C14、电容C26；所述电阻包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31、电阻R36；所述P
‑
MOS管Q9第1脚分别与电阻R36、二极管D8相连接，第2脚分别与电容C26、二极管D9相连接；第3脚分别与电阻R12、二极管D7相连接；所述NPN三极管Q2引脚B与电阻R12、电阻R13相连接，引脚C分别与电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31相连接，所述电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31并联；所述电阻R14、电阻R15、电阻R30、电阻R31分别与二极管D2、二极管D3、电容C14相连接；所述电容C14、电容C26、电阻R13引脚和NPN三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹丽兵，张敏，
申请(专利权)人：可孚医疗科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：