片式熔断电阻器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种片式熔断电阻器的制造方法，属于片式电阻制造方法；旨在提供一种具有熔断功能的片式电阻器的制造方法。它包括表电极和背电极制作、电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；其方法是：印刷电阻表电极和熔断电阻表电极，印刷背电极，电阻表电极、熔断电阻表电极烧结，印刷电阻体，印刷熔断电阻体，电阻体和熔断电阻体烧结，电阻体激光调阻，印刷包封层，包封层固化，一次裂片、端涂电极，端电极烧结，二次裂片、镀镍、镀锡铅合金。本发明专利技术制造的产品体积小、重量轻，是一种大规模生产片式熔断电阻器的理想方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻器的制造方法，尤其涉及一种具有熔 断保护功能的电阻器制造方法。
技术介绍
熔断电阻器是继保护电路中采用的熔断器、压敏电阻器、 热敏电阻器等之后出现的又一新型元件，是兼有电阻器和熔断器双重作用 的负荷功能电阻器。在正常状态下具有通用电阻器的功能，当流过熔断电 阻的电流大到一定程度时，熔断电阻就会因超负荷而迅速熔断，从而起到 过流熔断器的作用，使电路得到保护，防止故障扩大；当实现熔断功能后， 又可达到用户需要的目标阻值范围。目前，传统的熔断电阻器均为非片式 结构，主要存在体积大、重量重、制造成本高等缺陷；因此更没有一种用 于制造片式熔断电阻器的方法，
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术旨在提供一种片 式熔断电阻器的制造方法，利用该方法能够制造出体积小、重量轻的片式 熔断电阻器。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案包括表电极制作、背电极 制作、电阻体制作、激光调阻、包封、烧结、裂片、端涂、电镀；其特征 在于具体方法如下1) 按常规方法在陶瓷基片表面印刷互不连通的电阻表电极和熔断电阻 表电极，保证印刷厚度干燥后达到8 25U ;电极浆料为常规的银浆料；2) 按常规方法在陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷厚度干燥后达到10 20ti;电极浆料为常规的银浆料；3) 将印刷有背电极、电阻表电极、熔断电阻表电极的陶瓷基片850±2T:烧结8 12min;4) 在烧结后的陶瓷基片表面按常规方法印刷电阻体，保证印刷厚度干 燥后达到12 28w ，电阻浆料为常规的氧化钌浆料；5) 在印刷有电阻体的陶瓷基片表面印刷熔断电阻体，保证印刷厚度干 燥后达到3 9y;其中，熔断电阻体浆料是由下列重量百分比的原料按常 规方法配制而成的钯银合金浆料金属银60 85%、金属钯1%、常规辅料 14 39%;6) 将印刷有电阻体和熔断电阻体的陶瓷基片820 90(TC烧结6 15min;7) 按常规方法对电阻体进行激光调阻，使其阻值达到所需的目标阻值 和精度，并保证电阻体与熔断电阻体的阻值比^20;8) 在电阻体和熔断电阻体的表面按常规方法印刷低温环氧树脂将两者 覆盖，干燥；9) 将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片200 23(TC低温烧结固化25 35min;10) 将低温烧结固化后的陶瓷基片按常规方法一次裂片，并在裂片条 的端面涂刷端电极，保证端电极将电阻表电极与熔断电阻表电极并联连通， 干燥；11) 将涂刷有端电极膜的裂片条600士2。C烧结5 9min;12)按常规方法进行二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚 度为2 7U，锡铅合金层厚度为3 18li 。与现有技术比较，本专利技术由于采用了上述技术方案，在传统的片式厚 膜电阻器制造方法的基础上增加了熔断电阻体印刷工序和烧结工序，并在 后续的端涂工序中通过银浆将电阻表电极、熔断电阻表电极并联连通，因 此能够以较低的成本制造出体积小、重量轻，能够满足使用要求的片式熔 断电阻器。具体实施例方式下面结合具体的实施例对本专利技术作进一歩说明1) 按常规方法在氧化铝含量为96%的陶瓷基片表面印刷互不连通的电阻表电极和熔断电阻表电极，125。C干燥10min;保证印刷厚度干燥后达到 8 25u ，电极浆料为常规的银浆料；电阻表电极与熔断电阻表电极断开的 目的是为了后续的工序便于调阻；2) 按常规方法在上述陶瓷基片背面印刷背电极，125'C干燥lOmin; 保证印刷厚度干燥后达到10 20y ，电极浆料为常规的银浆料；3) 将上述印刷有背电极、电阻表电极、熔断电阻表电极的陶瓷基片 850士2。C烧结8 12min;4) 在烧结后的陶瓷基片表面按常规方法印刷电阻体，125。C干燥 10min;保证印刷厚度干燥后达到12 28w，电阻浆料为常规的氧化钌浆 料；5) 在印刷有电阻体的陶瓷基片表面印刷熔断电阻体，100 15(TC干燥 10min;保证印刷厚度干燥后达到3 9u，熔断电阻浆料是由下列重量百分比的原料按常规方法配制而成的粑银合金浆料金属银60 85%、金属 钯1%、常规辅料14 39%;6) 将印刷有电阻体和熔断电阻体的陶瓷基片820士2。C 900士2。C烧 结6 15min;7) 按常规方法对电阻体进行激光调阻，使其阻值达到所需的目标阻值和精度，并保证电阻体与熔断电阻体的阻值比》20;8) 在电阻体和熔断电阻体的表面按常规方法印刷低温环氧树脂将两者 覆盖，100 150。C干燥10min;9) 将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片200土2。C 230士2t:低温烧结 固化25 35min;10) 将低温烧结固化后的陶瓷基片按常规方法一次裂片，并在裂片条 的端面涂刷端电极，保证端电极将电阻表电极与熔断电阻表电极并联连通， 125。C干燥10min;11) 将涂刷有端电极膜的裂片条600士2。C烧结5 9min;12) 按常规方法进行二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚 度为2 7u，锡铅合金层厚度为3 18u 。权利要求1.一种，包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、烧结、裂片、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下1)按常规方法在陶瓷基片表面印刷互不连通的电阻表电极和熔断电阻表电极，保证印刷厚度干燥后达到8～25μ；电极浆料为常规的银浆料；2)按常规方法在陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷厚度干燥后达到10～20μ；电极浆料为常规的银浆料；3)将印刷有背电极、电阻表电极、熔断电阻表电极的陶瓷基片850±2℃烧结8～12min；4)在烧结后的陶瓷基片表面按常规方法印刷电阻体，保证印刷厚度干燥后达到12～28μ，电阻浆料为常规的氧化钌浆料；5)在印刷有电阻体的陶瓷基片表面印刷熔断电阻体，保证印刷厚度干燥后达到3～9μ；其中，熔断电阻体浆料是由下列重量百分比的原料按常规方法配制而成的钯银合金浆料金属银60～85％、金属钯1％、常规辅料14～39％；6)将印刷有电阻体和熔断电阻体的陶瓷基片820～900℃烧结6～15min；7)按常规方法对电阻体进行激光调阻，使其阻值达到所需的目标阻值和精度，并保证电阻体与熔断电阻体的阻值比≥20；8)在电阻体和熔断电阻体的表面按常规方法印刷低温环氧树脂将两者覆盖，干燥；9)将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片200～230℃低温烧结固化25～35min；10)将低温烧结固化后的陶瓷基片按常规方法一次裂片，并在裂片条的端面涂刷端电极，保证端电极将电阻表电极与熔断电阻表电极并联连通，干燥；11)将涂刷有端电极膜的裂片条600±2℃烧结5～9min；12)按常规方法进行二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚度为2～7μ，锡铅合金层厚度为3～18μ。全文摘要本专利技术公开了一种，属于片式电阻制造方法；旨在提供一种具有熔断功能的片式电阻器的制造方法。它包括表电极和背电极制作、电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；其方法是印刷电阻表电极和熔断电阻表电极，印刷背电极，电阻表电极、熔断电阻表电极烧结，印刷电阻体，印刷熔断电阻体，电阻体和熔断电阻体烧结，电阻体激光调阻，印刷包封层，包封层固化，一次裂片、端涂电极，端电极烧结，二次裂片、镀镍、镀锡铅合金。本专利技术制造的产品体积小、重量轻，是一种大规模生产片式熔断电阻器的理想方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式熔断电阻器的制造方法，包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、烧结、裂片、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下：　１）按常规方法在陶瓷基片表面印刷互不连通的电阻表电极和熔断电阻表电极，保证印刷厚度干燥后达到８～２ ５μ；电极浆料为常规的银浆料；　２）按常规方法在陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷厚度干燥后达到１０～２０μ；电极浆料为常规的银浆料；　３）将印刷有背电极、电阻表电极、熔断电阻表电极的陶瓷基片８５０±２℃烧结８～１２ｍｉｎ；　 　４）在烧结后的陶瓷基片表面按常规方法印刷电阻体，保证印刷厚度干燥后达到１２～２８μ，电阻浆料为常规的氧化钌浆料；　５）在印刷有电阻体的陶瓷基片表面印刷熔断电阻体，保证印刷厚度干燥后达到３～９μ；其中，熔断电阻体浆料是由下列重量百分比 的原料按常规方法配制而成的钯银合金浆料：金属银６０～８５％、金属钯１％、常规辅料１４～３９％；　６）将印刷有电阻体和熔断电阻体的陶瓷基片８２０～９００℃烧结６～１５ｍｉｎ；　７）按常规方法对电阻体进行激光调阻，使其阻值达到所需的 目标阻值和精度，并保证电阻体与熔断电阻体的阻值比≥２０；　８）在电阻体和熔断电阻体的表面按常规方法印刷低温环氧树脂将两者覆盖，干燥；　９）将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片２００～２３０℃低温烧结固化２５～３５ｍｉｎ；　１０） 将低温烧结固化后的陶瓷基片按常规方法一次裂片，并在裂片条的端面涂刷端电极，保证端电极将电阻表电极与熔断电阻表电极并联连通，干燥；　１１）将涂刷有端电极膜的裂片条６００±２℃烧结５～９ｍｉｎ；　１２）按常规方法进行二次裂片，然后镀 镍、镀锡铅合金；保证镍层厚度为２～７μ，锡铅合金层厚度为３～１８μ。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢强，张平，周瑞山，张铎，韩玉成，谢云露，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：52[中国|贵州]