本申请涉及半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。提供尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的洗涤性能优异、且闪点高的用于半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。洗涤液，其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物、及水的用于半导体基板或装置的洗涤液，该水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。洗涤方法，所述洗涤方法包括下述步骤：使用该洗涤液，从半导体基板或装置将在该半导体基板上形成的残余物或膜、或者在该装置上附着的残余物或膜进行洗涤，所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
【技术实现步骤摘要】
半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法
[0001]本申请是申请日为2017年3月1日、专利技术名称为“半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法”的中国专利技术专利申请No.201780014217.X(PCT申请号为PCT/JP2017/008134)的分案申请。
[0002]本专利技术涉及半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。
技术介绍
[0003]半导体器件是在硅晶圆等半导体基板上层叠金属布线、低电介质层、绝缘层等而形成的，这样的半导体器件是利用光刻法(所述光刻法中，将抗蚀剂图案作为掩模而实施蚀刻处理)对上述各层进行加工而制造的。上述光刻法中的抗蚀剂图案形成工序中，通过形成与曝光波长对应的抗蚀剂膜、被设置于这些抗蚀剂膜的下层的防反射膜、牺牲膜等膜等而形成抗蚀剂图案。
[0004]认为在这样的抗蚀剂图案形成工序中，需要进行将附着于基板(其是在基板上形成了涂膜后的基板)的背面部或端缘部或这两方的不需要的涂膜除去的工序、将存在于基板(其是在基板上形成了膜后的基板)上的膜整体除去的工序等多道洗涤工序。此外，使用洗涤液将在蚀刻工序中产生的来自金属布线层、低电介质层的残余物除去，以使得不会妨碍下一工序、并且不会成为半导体器件发生故障的原因。
[0005]另外，附着于装置(所述装置向基板供给用于形成前述的各种涂膜的材料)的残余物、膜会在配管内发生堵塞，或者对抗蚀剂图案的形成、后续的工序造成不良影响，认为也需要对这样的供给装置适时地进行洗涤处理(例如，参见专利文献1)。
[0006]此外，半导体器件的制造工序中，从再加工(rework)之类的成品率的提高、再利用之类的环境负担的降低这样的观点考虑，已利用洗涤液将在基板上形成的膜及其残余物除去。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本特开2006
‑
332082号公报
技术实现思路
[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]然而，对于以往的洗涤液而言，有时得不到充分的洗涤性能。例如，有时作为牺牲膜而形成的、由包含硅原子的无机物(以下，有时称为“含有硅原子的无机物”。)形成的膜或其残余物难以被除去等，要求洗涤液具有更高的洗涤性能。此外，为了使制品的保存、管理等处理容易进行，优选洗涤液的闪点高于以往的洗涤液。
[0012]本专利技术是鉴于以上的课题而作出的，目的在于提供尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的洗涤性能优异、且闪点高的用于半导体基板或装置的洗涤液及
洗涤方法。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本申请的专利技术人发现，在含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物、及水的洗涤液中，使用闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂作为该水溶性有机溶剂时，该洗涤液的尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的除去性能优异，而且闪点高，从而完成了本专利技术。
[0015]具体而言，本专利技术提供以下的方案。
[0016]本专利技术的第1方式是一种洗涤液，其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物及水的用于半导体基板或装置的洗涤液，其中，该水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。
[0017]另外，本专利技术的第2方式是一种洗涤方法，所述洗涤方法包括下述步骤：使用本专利技术的第1方式涉及的洗涤液，从半导体基板或装置将在该半导体基板上形成的残余物或膜、或者在该装置上附着的残余物或膜进行洗涤，所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
[0018]本申请涉及下述项。
[0019]项1、一种洗涤液，其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物及水的用于半导体基板或装置的洗涤液，其中，
[0020]所述水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。
[0021]项2、如项1所述的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂的闪点为60～150℃。
[0022]项3、如项2所述的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由3
‑
甲氧基
‑3‑
甲基
‑1‑
丁醇、二异丙二醇单甲基醚、N
‑
甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、甲基二甘醇、乙基二甘醇、及丁基二甘醇组成的组中的至少1种。
[0023]项4、如项2所述的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由二异丙二醇单甲基醚、N
‑
甲基吡咯烷酮、及乙基二甘醇组成的组中的至少1种。
[0024]项5、如项1～4中任一项所述的洗涤液，其用于洗涤在半导体基板上形成的残余物或膜、或者在装置上附着的残余物或膜，所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
[0025]项6、一种洗涤方法，所述洗涤方法包括下述步骤：使用项1～5中任一项所述的洗涤液，从半导体基板或装置将在所述半导体基板上形成的残余物或膜、或者在所述装置上附着的残余物或膜进行洗涤，所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
[0026]专利技术的效果
[0027]通过本专利技术，可提供尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的洗涤性能优异、且闪点高的用于半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。以下，有时将“由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜”统称为“无机物膜”。本专利技术中，“由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜”可以是包含含有硅原子的无机物作为主成分的残余物或膜，也可以是仅由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜，本专利技术的洗涤液能更有效地除去后者。
具体实施方式
[0028]以下，详细地说明本专利技术的实施方式。
[0029]＜洗涤液＞
[0030]本实施方式的洗涤液是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物、及水的洗涤液，其中，该水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。所述洗涤液适于作为用于半导体基板或装置的洗涤液。
[0031]对于本实施方式的洗涤液而言，闪点高，能有效地除去存在于半导体基板上的由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜、或附着于装置(也包括配管等)的由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜，优选的是，进而也能有效地除去由抗蚀剂形成的残余物或膜(以下，有时将该“由抗蚀剂形成的残余物或膜”统称为“抗蚀剂膜”。)。这样的洗涤液也适合于期望通用性(即能应用于洗涤对象不同的多种洗涤用途)的情况。
[0032]本实施方式中，“由抗蚀剂形成的残余物或膜”可以是含有抗蚀剂作为主成分的残余物或膜。
[0033][水溶性有机溶剂][0034]本实施方式的洗涤液中使用的水溶性有机溶剂是二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。
[0035](二醇醚系溶剂)
[0036]本说明书中，所谓二醇醚系溶剂，是指二醇所具有的2个羟基中的至少1个形成了醚的溶剂，所谓二醇，是指在脂肪族烃的2个碳原子上各取代1个羟基而形成的化合物。该脂肪族烃可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种洗涤液，其是仅由水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物及水构成的用于半导体基板或装置的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的选自由二醇醚系溶剂及非质子性极性溶剂组成的组中的一者，所述季铵氢氧化物由下述通式(1)表示，所述洗涤液用于洗涤于半导体基板上形成的残余物或膜、或者于装置上附着的残余物或膜，所述残余物或膜是由含有硅原子的无机物形成的，且所述洗涤液不包括含有0.5～15质量％的季铵氢氧化物、65～97质量％的(b)水溶性有机溶剂及0.5～30质量％的(c)水的用于剥离/溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，上述式中，R
11
、R
12
、R
13
、及R
14
各自独立地表示碳原子数1或2的烷基或羟基烷基。2.如权利要求1所述的洗涤液，其中，所述非质子性极性溶剂仅由环丁砜构成。3.如权利要求1所述的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由3
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甲氧基
‑3‑
甲基
‑1‑
丁醇、二异丙二醇单甲基醚、N
‑
甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、甲基二甘醇、乙基二甘醇、及丁基二甘醇组成的组中的至少1种。4.如权利要求1所述的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由二异丙二醇单甲基醚、N
‑
甲基吡咯烷酮、及乙基二甘醇组成的组中的至少1种。5.一种洗涤液，其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物及水的用于半导体基板或装置的洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂包含闪点为60℃以上的非质子性极性溶剂，所述非质子性极性溶剂仅由环丁砜构成，所述季铵氢氧化物由下述通式(1)表示，所述洗涤液用于洗涤于半导体基板上形成的残余物或膜、或者于装置上附着的残余物或膜，所述残余物或膜是由含有硅原子的无机物形成的，且所述洗涤液不包括含有0.5～15质量％的季铵氢氧化物、65～97质量％的(b)水溶性有机溶剂及0.5～30质量％的(c)水的用于剥离/溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，上述式中，R
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、R
12
、R
13
、及R
14
各自独立地表示碳原子数1或2的烷基或羟基烷基。6.仅由水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物及水构成的用于半导体基板或装置的洗涤液在于半导体基板上形成的残余物或膜、或者于装置上附着的残余物或膜的洗涤中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：并木拓海，原口高之，施仁杰，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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