【技术实现步骤摘要】
一种制备锗单晶的单晶炉及其工艺
[0001]本专利技术涉及单晶炉
，特别是涉及一种制备锗单晶的单晶炉及其工艺。
技术介绍
[0002]直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法，是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力较小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。直拉法是以定向的籽晶为生长晶核，因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好，直径和长度都可以很大，生长速率也较高，要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。
[0003]现有技术中用直拉法生长单晶硅时，需要使用到单晶炉，通过加热器对放在坩埚中的硅料加热至熔体，随后利用提拉头将籽晶浸入硅熔体中，在籽晶下方生长并提拉单晶棒，现有的单晶炉在制备好锗单晶后，需要人工将副炉体进行转动，随后将副炉体内的锗单晶取出，如此不便于人们将锗单晶取出。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种制备锗单晶的单晶炉及其工艺，以解决现有技术存在的问题。
[000...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备锗单晶的单晶炉，其特征在于，包括：提升部，所述提升部包括底板(1)，所述底板(1)的顶面一侧设置有导向装置，所述导向装置上传动连接有转向装置；熔融部，所述熔融部设置在所述提升部的一侧，所述熔融部包括支架(2)，所述支架(2)固接在所述底板(1)的顶面另一侧，所述支架(2)的顶部固接有熔融装置，所述熔融装置的顶部一侧设置有进料装置，所述熔融装置内设置有石英坩埚(3)，所述石英坩埚(3)的底部通过转动轴(4)传动连接有传动装置，且所述传动装置设置在所述熔融装置的底部，所述进料装置的出料端位于所述石英坩埚(3)的上方；生成部，所述生成部设置在所述熔融装置的顶部，所述生成部的侧壁与所述转向装置固接，所述生成部内腔设置有生成装置。2.根据权利要求1所述的一种制备锗单晶的单晶炉，其特征在于：所述导向装置包括下横板(5)和上横板(6)，所述下横板(5)固接在所述底板(1)的顶面一侧，所述下横板(5)的顶面一侧固接有导向柱(7)，所述下横板(5)的顶面另一侧转动连接有导向螺杆(8)的一端，所述导向螺杆(8)的另一端与所述上横板(6)底面转动连接，所述导向柱(7)的顶部与所述上横板(6)底面固接，所述上横板(6)的顶面固接有导向电机(9)，所述导向电机(9)的输出端贯穿所述上横板(6)与所述导向螺杆(8)的顶部固接，所述导向柱(7)和所述导向螺杆(8)外壁与所述转向装置传动连接。3.根据权利要求2所述的一种制备锗单晶的单晶炉，其特征在于：所述转向装置包括上转向板(10)和下转向板(11)，所述导向柱(7)和所述导向螺杆(8)均贯穿所述上转向板(10)和所述下转向板(11)，且所述导向柱(7)与所述上转向板(10)和所述下转向板(11)滑动接触，所述导向螺杆(8)与所述上转向板(10)和所述下转向板(11)通过螺纹连接，所述上转向板(10)的顶面固接有转向电机(12)，所述转向电机(12)的输出端贯穿所述上转向板(10)固接有转向轴(13)，所述转向轴(13)的底部与所述下转向板(11)的顶面转动连接，所述转向轴(13)贯穿设置有两固定板(14)的一端，所述转向轴(13)与两所述固定板(14)固接，两所述固定板(14)的另一端与所述生成装置侧壁固接。4.根据权利要求3所述的一种制备锗单晶的单晶炉，其特征在于：所述熔融装置包括水冷壳体(15)，所述水冷壳体(15)的底面与所述支架(2)顶面固接，所述水冷壳体(15)外壁内开设有水冷腔，所述水冷腔内设置有盘管(16)，所述水冷壳体(15)的外壁上分别固接有进水泵(17)和出水泵(18)，所述进水泵(17)和所述出水泵(18)分别与所述盘管(16)的两端连通设置，所述进水泵(17)和所述出水泵(18)分别外接有水冷设备，所述水冷壳体(15)内设置有加热机构。5.根据权利要求4所述的一种制备锗单晶的单晶炉，其特征在于：所述加热机构包括保温层(19)，所述保温层(19)固接在所述水冷壳体(15)的内壁上，所述保温层(19)的内壁上固接有石墨烯加热筒(20)，所述石英坩埚(3)设置在所述石墨烯加热筒(20)内，所述转动轴(4)的底部贯穿所述保温层(19)和所述水冷壳体(15)与所述传动装置传动连接。6.根据权利要求5所述的一种制备锗单晶的单...
【专利技术属性】
技术研发人员：张建，李怀宇，吴建成，马敬涛，徐建雷，裴光华，
申请(专利权)人：保定晶泽光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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