显示面板及其制备方法、掩模版技术

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、掩模版，该制备方法包括：在衬底上依次形成层叠设置的第一材料层以及第二材料层；在第二材料层上形成通槽，以裸露出部分第一材料层；基于掩模版对当前得到的半成品进行第一次刻蚀，在第一次刻蚀过程中，利用掩模版上的第一对位图形对半成品进行定位，且掩模版上的第二对位图形在衬底上的正投影被通槽在衬底上的正投影覆盖；基于掩模版对当前得到的半成品进行第二次刻蚀，其中，在第二次刻蚀过程中，利用第二对位图形对半成品进行定位，且第二对位图形在衬底上的正投影被通槽在衬底上的正投影覆盖。本申请所提供的制备方法能够降低制备成本。本申请所提供的制备方法能够降低制备成本。本申请所提供的制备方法能够降低制备成本。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、掩模版


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制备方法、掩模版。

技术介绍

[0002]在显示
中，掩模版是光刻工艺中必备物料，由于掩模版的制备工艺难度大，因此目前掩模版的售价较高，从而造成显示面板的制备成本高。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种显示面板及其制备方法、掩模版，能够降低制备成本。
[0004]本申请实施例第一方面提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：在衬底上依次形成层叠设置的第一材料层以及第二材料层；在所述第二材料层上形成通槽，以裸露出部分所述第一材料层；基于掩模版，对当前得到的半成品进行第一次刻蚀，其中，在所述第一次刻蚀过程中，利用所述掩模版上的第一对位图形对所述半成品进行定位，且所述掩模版上的第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖，且所述第一次刻蚀过程对当前得到的半成品中与所述第二材料层材料相同的膜层进行刻蚀，以及对所述第一材料层刻蚀的速率小于对所述第二材料层刻蚀的速率；基于所述掩模版，对当前得到的半成品进行第二次刻蚀，其中，在所述第二次刻蚀过程中，利用所述第二对位图形对所述半成品进行定位，且所述第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖。
[0005]本申请实施例第二方面提供一种掩模版，应用于加工显示面板，所述显示面板包括依次层叠设置的衬底、第一材料层以及第二材料层，所述第二材料层设有通槽，以裸露出部分所述第一材料层，所述掩模版设有第一对位图形以及第二对位图形；在利用所述掩模版对所述显示面板进行第一次刻蚀时，利用所述第一对位图形对所述显示面板进行定位，以及所述第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖，且所述第一次刻蚀过程对当前得到的半成品中材料与所述第二材料层相同的膜层进行刻蚀，以及对所述第一材料层刻蚀的速率小于对所述第二材料层刻蚀的速率；在利用所述掩模版对所述显示面板进行第二次刻蚀时，利用所述第二对位图形对所述显示面板进行定位，且所述第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖。
[0006]本申请实施例第三方面提供一种显示面板，包括：衬底；第一材料层，设置于所述衬底一侧；第二材料层，设置于所述第一材料层背离所述衬底一侧，形成有通槽，以裸露出部分所述第一材料层；其中，在利用掩模版对所述显示面板中材料与所述第二材料层相同的膜层进行刻蚀时，利用所述掩模版上的第一对位图形对所述显示面板进行对位，所述掩模版上的第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖，且对所述第一材料层刻蚀的速率小于对所述第二材料层刻蚀的速率。
[0007]有益效果是：在本申请的方案中，预先在第二材料层上形成通槽，使得从通槽处裸露出第一材料层，同时由于在第一次刻蚀过程中，对第一材料层刻蚀的速率小于对第二材
料层刻蚀的速率，因此在第一次刻蚀过程中不会将第二对位图形转移到当前得到的半成品上，从而后续在第二次刻蚀过程中，只会存在一个第二对位图形(也就是掩模版上的第二对位图形)，可以保证掩模版的顺利对位，实现第一次刻蚀过程中与第二次刻蚀过程中共用掩模版，相比现有技术中，本申请可以实现两次刻蚀过程中使用同一掩模版，从而降低制备成本。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0009]图1是本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图；
[0010]图2是对应图1制备方法的制备过程图；
[0011]图3是一实施方式中掩膜版的俯视结构视图；
[0012]图4是现有技术中的制备过程图；
[0013]图5是通槽位置处第一材料层至第三材料层的结构示意图；
[0014]图6是第二基准图形与第二对位图形在衬底上的正投影的相对位置示意图；
[0015]图7是本申请显示面板一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0017]需要说明的是，本申请中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0018]结合图1以及图2，在本申请一实施方式中，显示面板的制备方法包括：
[0019]S110：在衬底11上依次形成层叠设置的第一材料层12以及第二材料层13。
[0020]具体地，第二材料层13设置在第一材料层12背离衬底11一侧。其中，衬底11可以是柔性衬底，也可以是硬性衬底，本申请对衬底11的材料不做限制。
[0021]S120：在第二材料层13上形成通槽131，以裸露出部分第一材料层12。
[0022]具体地，可以采用任何一种方式在第二材料层13上形成通槽131，例如化学腐蚀的方式或者机械切割的方式，在此不做限制。其中通槽131的大小需要根据下文的第二对位图形进行设置，具体可参见下文介绍。
[0023]S130：基于掩模版20，对当前得到的半成品进行第一次刻蚀，其中，在第一次刻蚀过程中，利用掩模版20上的第一对位图形201对当前得到的半成品进行定位，且掩模版20上的第二对位图形202在衬底11上的正投影被通槽131在衬底11上的正投影覆盖，且第一次刻蚀过程对当前得到的半成品中与第二材料层13材料相同的膜层进行刻蚀，以及对第一材料层12刻蚀的速率小于对第二材料层13刻蚀的速率。
[0024]具体地，掩模版20(mask)简称掩模，是光刻工艺不可缺少的部件，掩模版20上承载有设计图形，在利用掩模版20对待加工工件进行刻蚀时，将掩模版20放置在待加工工件的上方，然后经过一系列制程，可以将掩模版20的图形转移到待加工工件上。
[0025]在本实施方式中，结合图2以及图3，掩模版20包括第一对位图形201以及第二对位图形202，当光线透过掩模版20时，可以把第一对位图形201以及第二对位图形202投射到位于掩模版20下方的半成品上。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次形成层叠设置的第一材料层以及第二材料层；在所述第二材料层上形成通槽，以裸露出部分所述第一材料层；基于掩模版，对当前得到的半成品进行第一次刻蚀，其中，在所述第一次刻蚀过程中，利用所述掩模版上的第一对位图形对所述半成品进行定位，且所述掩模版上的第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖，且所述第一次刻蚀过程对当前得到的半成品中与所述第二材料层材料相同的膜层进行刻蚀，以及对所述第一材料层刻蚀的速率小于对所述第二材料层刻蚀的速率；基于所述掩模版，对当前得到的半成品进行第二次刻蚀，其中，在所述第二次刻蚀过程中，利用所述第二对位图形对所述半成品进行定位，且所述第二对位图形在所述衬底上的正投影被所述通槽在所述衬底上的正投影覆盖。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层的材料包括金属材料，所述第二材料层的材料包括无机材料；优选地，所述第一材料层的材料包括钼、铜、金中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述掩模版，对当前得到的半成品进行第二次刻蚀之前，还包括：在所述第二材料层背离所述衬底一侧形成第一平坦化层，其中，所述第一平坦化层至少部分填充在所述通槽内；优选地，所述第一平坦化层的材料包括有机胶。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述掩模版，对当前得到的半成品进行第二次刻蚀之前，还包括：在所述第二材料层背离所述衬底一侧形成第三材料层，其中，所述第三材料层包括遮光块以及用于与所述第二对位图形对位的第二基准图形，所述遮光块与所述第二基准图形在所述衬底上的正投影不重合，所述遮光块在所述衬底上的正投影覆盖所述第二对位图形在所述衬底上的正投影；优选地，所述第三材料层的材料包括金属材料；优选地，所述第三材料层的材料包括钼、铜、金、氧化铟锡、银中的一种或者几种的组合。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二对位图形包括多个子对位图形，所述遮光块的数量为多个，多个所述遮光块与多个所述子对位图形一一对应，所述子对位图形在所述衬底上的正投影被对应的所述遮光块在所述衬底上的正投影覆盖。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于掩模版，对当前得到的半成品进行第一次刻蚀之前，还包括：在所述第二材料层背离所述衬底一侧的部分表面上形成第四材料层，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋喜厦，王晓鹏，费国东，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：