掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法，涉及显示技术领域，用于在实现量子点全彩图案化的同时，克服大面积图案化，高分辨率，转印成膜过程中按压变形，R/G/B串扰，光刻方案显影工艺损伤膜层，以及成膜渗漏等问题。所述掩膜板包括：掩膜板本体和功能层；所述掩膜板本体包括多个掩膜开口，所述功能层位于所述掩膜板本体的一侧，所述功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。开口。开口。

【技术实现步骤摘要】
掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，量子点显示产品中，实现量子点全彩图案化的方法通常包括有喷墨打印，转印，光刻等技术。喷墨打印技术能够实现大面积的图案化，但是受限于较低的分辨率，以及墨水的配制和昂贵的喷墨设备。转印技术虽然能够实现高分辨率，但是受限于印章大小以及印章按压过程的变形，使得转印的量子点膜层往往出现裂纹，从而导致器件效率非常低。光刻技术能够同时实现大面积、高分辨率的全彩图案化，但现有的直接光刻方法存在R/G/B的串扰问题，以及多次显影工艺造成的留膜率问题和器件亮度效率损失的问题。而在考虑采用液相成膜技术结合掩膜板实现量子点全彩图案化时，需要考虑液相成膜存在液体向掩模板下渗漏的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法，用于在实现量子点全彩图案化的同时，克服大面积图案化，高分辨率，转印成膜过程中按压变形，R/G/B串扰，光刻方案显影工艺损伤膜层，以及成膜渗漏等问题。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]本专利技术的第一方面提供一种掩膜板，包括：掩膜板本体和功能层；所述掩膜板本体包括多个掩膜开口，所述功能层位于所述掩膜板本体的一侧，所述功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。
[0006]可选的，所述功能层包括层叠设置的第一功能层和第二功能层，所述第一功能层位于所述掩膜板本体与所述第二功能层之间；
[0007]所述第一功能层包括整层结构，该整层结构在所述掩膜板本体上的正投影覆盖所述多个掩膜开口；或者，所述第一功能层包括多个第一功能图形，所述第一功能图形在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖对应的所述掩膜开口；
[0008]所述第二功能层包括整层结构，该整层结构在所述掩膜板本体上的正投影覆盖所述多个掩膜开口；或者，所述第二功能层包括多个第二功能图形，所述第二功能图形在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖对应的所述掩膜开口。
[0009]可选的，所述第一功能层包括空穴传输层，所述第二功能层包括空穴注入层；或者，
[0010]所述第一功能层包括电子传输层，所述第二功能层包括电子注入层。
[0011]基于上述掩膜板的技术方案，本专利技术的第二方面提供一种掩膜板的制作方法，用于制作上述掩膜板，所述制作方法包括：
[0012]提供衬底基板；
[0013]在所述衬底基板的一侧形成功能层；
[0014]在所述衬底基板上形成多个掩膜开口，以形成掩膜板本体，所述功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。
[0015]可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成功能层的步骤具体包括：
[0016]在所述衬底基板的第一侧形成第一功能材料层；
[0017]对所述第一功能材料层进行图案化，形成第一功能层，所述第一功能层包括多个第一功能图形；
[0018]在所述衬底基板的第一侧继续形成第二功能层，所述第二功能层覆盖所述第一功能层。
[0019]可选的，所述在所述衬底基板上形成多个掩膜开口的步骤具体包括：
[0020]在所述衬底基板的第二侧形成掩膜层，所述第二侧与所述第一侧沿垂直于所述衬底基板的方向相对；
[0021]对所述掩膜层进行图案化形成掩膜图形；
[0022]以所述掩膜图形为掩膜，对所述衬底基板进行刻蚀，形成所述多个掩膜开口，所述第一功能图形在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖对应的所述掩膜开口，所述第二功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。
[0023]基于上述掩膜板的技术方案，本专利技术的第三方面提供一种显示基板的制作方法，采用上述掩膜板制作，所述制作方法包括：
[0024]提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层和电极层，所述电极层位于所述驱动电路层背向所述衬底基板的一侧，所述驱动电路层包括多个驱动电路，所述电极层包括多个电极图形，所述电极图形与对应的所述驱动电路耦接；
[0025]将所述掩膜板与所述驱动背板对位，使所述掩膜板中的功能层与所述电极层贴合，所述掩膜板中的掩膜开口在所述驱动背板上的正投影，与对应的所述电极图形交叠；
[0026]在所述掩膜板背向所述驱动背板的一侧制作量子点膜层，所述量子点膜层的至少部分位于所述掩膜开口内；
[0027]将所述掩膜板与所述驱动背板分离，位于所述掩膜开口内的量子点膜层，以及位于该量子点膜层与所述电极图形之间的所述功能层留在所述驱动背板上。
[0028]可选的，所述制作方法还包括：
[0029]在制作量子点膜层之后，在将所述掩膜板与所述驱动背板分离之前，在所述量子点膜层背向所述掩膜板的一侧制作第三功能层，所述第三功能层的至少部分位于所述掩膜开口内；
[0030]将所述掩膜板与所述驱动背板分离后，位于所述掩膜开口内的第三功能层留在所述驱动背板上。
[0031]可选的，所述制作方法还包括：在将所述掩膜板与所述驱动背板分离后，在所述量子点膜层背向所述掩膜板的一侧制作第三功能层。
[0032]基于上述显示基板的制作方法的技术方案，本专利技术的第四方面提供一种显示基板，，采用上述制作方法制作，所述显示基板包括：
[0033]驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层和电极层，所述电极层位于所述驱动电路层背向所述衬底基板的一侧，所述驱动电路层包括多个驱动电路，所述电极层包括多个
电极图形，所述电极图形与对应的所述驱动电路耦接；
[0034]功能层和量子点膜层，所述功能层位于所述电极层与所述量子点膜层之间。
[0035]本专利技术提供的技术方案中，设置所述掩膜板本体包括多个掩膜开口，所述功能层位于所述掩膜板本体的一侧，所述功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。本专利技术提供的技术方案中，掩膜板的一侧设置有在掩膜开口处悬空的功能层，在利用所述掩膜板制作量子点膜层时，解决了液相成膜渗漏的问题。而且，由于所述功能层是构成QLED器件的一部分，因而在分离掩膜板之后，部分功能层和量子点膜层能够被保留在驱动背板的像素区域内，避免了构成器件的功能层和量子点膜层受到损伤。在利用本专利技术提供的掩膜板制作显示基板时，能够利用掩膜板结合液相成膜的方法实现QLED器件的制作，该方法能够用于在实现量子点全彩图案化的同时，克服大面积图案化，高分辨率，成膜过程中按压变形，R/G/B串扰，以及显影工艺损伤膜层等问题。
附图说明
[0036]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0037]图1为本专利技术实施例提供的衬底基板和第一功能材料层的示意图；
[0038]图2为本专利技术实施例提供的对第一功能材料层进行曝光的示意图；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：掩膜板本体和功能层；所述掩膜板本体包括多个掩膜开口，所述功能层位于所述掩膜板本体的一侧，所述功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述功能层包括层叠设置的第一功能层和第二功能层，所述第一功能层位于所述掩膜板本体与所述第二功能层之间；所述第一功能层包括整层结构，该整层结构在所述掩膜板本体上的正投影覆盖所述多个掩膜开口；或者，所述第一功能层包括多个第一功能图形，所述第一功能图形在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖对应的所述掩膜开口；所述第二功能层包括整层结构，该整层结构在所述掩膜板本体上的正投影覆盖所述多个掩膜开口；或者，所述第二功能层包括多个第二功能图形，所述第二功能图形在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖对应的所述掩膜开口。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一功能层包括空穴传输层，所述第二功能层包括空穴注入层；或者，所述第一功能层包括电子传输层，所述第二功能层包括电子注入层。4.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～3中任一项所述的掩膜板，所述制作方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板的一侧形成功能层；在所述衬底基板上形成多个掩膜开口，以形成掩膜板本体，所述功能层在所述掩膜板本体上的正投影，覆盖所述多个掩膜开口。5.根据权利要求4所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的一侧形成功能层的步骤具体包括：在所述衬底基板的第一侧形成第一功能材料层；对所述第一功能材料层进行图案化，形成第一功能层，所述第一功能层包括多个第一功能图形；在所述衬底基板的第一侧继续形成第二功能层，所述第二功能层覆盖所述第一功能层。6.根据权利要求5所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成多个掩膜开口的步骤具体包括：在所述衬底基板的第二侧形成掩膜层，所述第二侧与所述第一侧沿垂直于所述衬底基板的方向相对；对所述掩膜层进行图案化形成掩膜图形；以所述掩膜图形为掩膜，对所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：党文辉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：