【技术实现步骤摘要】
一种高分辨率量子点图形化方法
[0001]本专利技术属于高分辨率微显示领域,尤其涉及一种高分辨率量子点图形化方法。
技术介绍
[0002]量子点由于1.色纯度高,发光谱峰较窄且分布对称;2.发射光谱可调,通过控制量子点尺寸和材料可改变其发射波长,进而控制发光颜色;3.色彩表现力好,覆盖的色域大于100%NTSC;4.发光效率高,量子效率高达90%,光稳定性好;5.具有实现纳米级像素的潜力,可用于制造超高分辨率屏幕等优点,正在被广泛研究。
[0003]在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:
[0004]目前显示行业的量子点制造工艺主要使用喷墨打印工艺。1.但是喷墨打印的分辨率低,无法做到小线宽,不适用于高分辨率。2.喷墨打印制造效率低,即使是多喷头设备,也不能满足量产的高效率需求。3.喷墨打印需要开发新的打印设备和量子点墨水,设备和研发成本高。4.喷墨打印干燥过程中形貌不易控制,会存在“咖啡环”效应,是一种打印过程中常见的现象,它会导致功能材料的不均匀沉积,影响打印图案的分辨率以及器件的性能。5.受限于机械精度和稳定性,喷墨打印容易出现不均匀,导致条纹状显示色差等异常。常规光刻工艺,一般使用365nm,248nm或193nm等光源曝光,而量子点在这些光源下存在光致激发现象,量子点的光致激发现象会吸收短波长的光和发射长波长的光,这些都会影响光刻工艺,导致光刻胶曝光效果变差,甚至无法曝光,所以常规光刻工艺很难应用到量子点上。
[0005]CN105810851B
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高分辨率量子点图形化方法,其特征在于,包括如下步骤:1)量子点涂布和烘烤;2)制备透明保护层;3)遮光层涂布和烘烤固化;4)涂布高分辨率光刻胶
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曝光
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显影;5)遮光层、透明保护层、量子点干法刻蚀;6)光刻胶、遮光层干法灰化去除。2.如权利要求1所述的高分辨率量子点图形化方法,其特征在于,上述第1)步中,量子点涂布和烘烤是制备量子点薄膜层;使用涂胶机涂布,涂胶机工艺条件:涂布厚度100
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2000nm,转速200
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4000转/分钟,温度20
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40℃,喷涂量2
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10mL,时间10
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50s。3.如权利要求2所述的高分辨率量子点图形化方法,其特征在于,上述第2)步中,透明保护层制备是用于保护量子点层;使用涂布工艺,采用透明光刻胶,厚度100
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5000nm,转速500
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3000转/分钟,温度20
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50℃,喷涂量2
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10mL,时间10
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60s。4.如权利要求2所述的高分辨率量子点图形化方法,其特征在于,上述第2)步中,透明保护层制备是用于保护量子点层;使用涂布工艺,采用无机材料,无机材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铟,使用薄膜沉积工艺,氧化硅工艺条件:厚度10
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1000nm,时间5
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500s,压力1
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1000mtorr,温度50
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450℃,功率50
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5000W,SIH4流量10
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1000sccm,N2O或O2流量10
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5000sccm。5.如权利要求4所述的高分辨率量子点图形化方法,其特征在于,上述第2)步中,氮化硅工艺条件:厚度10
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1000nm,时间10
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400s,压力1
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1000mtorr,温度50
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450℃,功率20
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5000W,SIH4流量10
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1000sccm,NH3流量10
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2000sccm;氧化铟锡工艺条件:厚度10
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200nm,使用氧化铟锡靶材,时间2
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200s,压力1
【专利技术属性】
技术研发人员:吕迅,尹立平,祖伟,徐瑞,
申请(专利权)人:安徽熙泰智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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