OLED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种OLED显示面板及其制备方法。其中，OLED显示面板的制备方法包括：形成阳极层的图形和像素界定挡墙的图形；形成空穴注入层的图形；形成空穴传输层的图形；形成发光层的整层图形，并通过图案化工艺形成为多个独立的发光单元区，每个发光单元区形成在像素界定挡墙限定的像素区域内。本发明专利技术在形成发光层的最终图形时，先形成发光层的整层图形，后再通过图案化工艺在各像素区域内分别形成发光单元区，这些发光单元区所发出的颜色的光或直接透射，或照射在量子点层上激发生成其他颜色的光，用于显示。本发明专利技术无需借助于FMM，可降低工艺成本，降低工艺难度；以及还不受FMM的尺寸的限制，适应于生成大尺寸的OLED显示面板。适应于生成大尺寸的OLED显示面板。适应于生成大尺寸的OLED显示面板。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]OLED显示面板因自发光、轻薄、高对比度等技术优势广泛运用于手机、显示器、电视等各种显示产品。现有OLED技术可实现NTSC＞100％色域，而量子点(QD)因发光光谱窄，色纯度高等优势可实现超高色彩饱和度NTSC>120％。OLED技术与QD技术的结合，可以实现更好的显示效果。目前OLED技术与QD技术结合的显示产品，其技术原理是靠蓝色有机发光层(EML
‑
Blue)发出的蓝光去激发红色、绿色量子点层。该技术在蒸镀有机发光层时，需用到高精细金属掩版(FMM)，利用FMM mask蒸镀形成像素发光单元；在蒸镀时，mask需要很高的对位精度，在实际之别时成功率相对较低，容易出现对位偏差。同时，FMM还限制OLED大尺寸化。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种OLED显示面板及其制备方法，以解决上述现有技术中制备OLED显示面板所使用的高精细金属掩版(FMM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述OLED显示面板的制备方法包括：步骤S1，在已经形成有薄膜晶体管、且具有平坦表面的基板上，形成阳极层的图形，以及形成像素界定挡墙的图形；步骤S2，形成空穴注入层的图形；步骤S3，形成空穴传输层的图形；步骤S4，形成发光层的整层图形，并通过图案化工艺，将发光层的整层图形加工形成为多个独立的发光单元区，每个发光单元区形成在像素界定挡墙限定的像素区域内。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，形成空穴注入层的整层图形；在步骤S3中，形成空穴传输层的整层图形。3.根据权利要求2所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括以下步骤S41～S42：步骤S41，形成发光层的整层图形；步骤S42，通过图案化工艺，将发光层的整层图形加工形成为多个独立的发光单元区，每个发光单元区形成在像素界定挡墙限定的像素区域内；所述OLED显示面板的制备方法还包括以下步骤S5～S7：步骤S5，形成电子传输层的整层图形；步骤S6，形成第一层阴极的整层图形；步骤S7，形成第一封装层的图形；所述步骤S5～S7在步骤S41之后，且在步骤S42之前进行。4.根据权利要求3所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S42中，进行图案化工艺时，采用半透掩膜板曝光，并经刻蚀先后形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于与像素界定挡墙对应的区域，所述第一过孔贯穿所述第一封装层、第一层阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：王然龙，蒲洋，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：