量子点层图案化的方法技术

一种量子点层图案化的方法，包括：在基底(1)上依次形成层叠的前膜层和牺牲层(5)；其中，牺牲层与前膜层中其中之一为亲水性，另一个为疏水性；在牺牲层上形成具有通孔的光刻胶(6)，通孔对应目标区域，在光刻胶的遮挡下刻蚀目标区域的牺牲层；覆盖量子点材料，并对目标区域的量子点进行固化；去除剩余的牺牲层和光刻胶，在目标区域形成图案化的量子点层。在目标区域形成图案化的量子点层。在目标区域形成图案化的量子点层。在目标区域形成图案化的量子点层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓远，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：