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一种量子点层图案化的方法，包括：在基底(1)上依次形成层叠的前膜层和牺牲层(5)；其中，牺牲层与前膜层中其中之一为亲水性，另一个为疏水性；在牺牲层上形成具有通孔的光刻胶(6)，通孔对应目标区域，在光刻胶的遮挡下刻蚀目标区域的牺牲层；覆盖量子...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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一种量子点层图案化的方法，包括：在基底(1)上依次形成层叠的前膜层和牺牲层(5)；其中，牺牲层与前膜层中其中之一为亲水性，另一个为疏水性；在牺牲层上形成具有通孔的光刻胶(6)，通孔对应目标区域，在光刻胶的遮挡下刻蚀目标区域的牺牲层；覆盖量子...