玻璃基MiniLED线路板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种玻璃基Mini LED线路板及其制备方法，所述方法包括提供一玻璃基板，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；利用激光蚀刻导电层，在导电层上形成与标准线路图对应的线路图。在本发明专利技术实施例中，在通过磁控溅射的方式构建导电层之后，直接利用激光在导电层上进行蚀刻，不仅极大的降低了设备因素、人为因素和环境因素对产品良品率的影响，提高了产品良品率，还实现了缩短工艺周期、提升生产效率的目的。同时，该制备方法未使用昂贵的光刻胶，还实现了降低了生产成本的目的。还实现了降低了生产成本的目的。还实现了降低了生产成本的目的。

【技术实现步骤摘要】
玻璃基Mini LED线路板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种玻璃基Mini LED线路板及其制备方法。

技术介绍

[0002]当前，在制备玻璃基Mini LED线路板时，通常采用玻璃开料、真空溅射铜膜、涂胶(使用光刻胶)、曝光、显影、蚀刻、阻焊油墨等一系列工艺。其中，涂胶、曝光、显影、蚀刻属于黄光制程。该黄光制程不仅需要在无尘车间中进行，还需要四个工位的设备及人力。
[0003]在制备玻璃基Mini LED线路板的过程中，黄光制程所涉及到的工艺路线长且复杂，导致制备效率低；所使用的光刻胶较为昂贵导致加工费用高；以及对设备、环境和人均有一定的要求，导致产品的良品率不稳定。
[0004]由此可知，现有制备玻璃基Mini LED线路板的过程中，存在工艺复杂、成本高、效率低和良品率不稳定的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种玻璃基Mini LED线路板及其制备方法，以解决现有制备玻璃基Mini LED线路板工艺复杂、成本高、效率低和良品率不稳定的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：
[0007]本专利技术实施例第一方面公开了一种玻璃基Mini LED线路板的制备方法，所述方法包括：
[0008]提供一玻璃基板；
[0009]在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；
[0010]使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；
[0011]利用激光蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图。
[0012]可选的，利用激光蚀刻所述导电层之前，还包括：
[0013]利用CCD相机定位标准线路图在所述导电层上的位置；
[0014]所述利用激光蚀刻所述导电层，包括：
[0015]基于所述位置利用激光蚀刻所述导电层。
[0016]可选的，采集形成于所述导电层上的线路图，将所述线路图与所述标准线路图进行比对；
[0017]若存在不一致的位置，对所述位置进行标注，并在完成比对之后对标注的位置进行维修。
[0018]可选的，提供一玻璃基板，包括：
[0019]提供一白玻璃；
[0020]利用开料机按照预设尺寸切割所述白玻璃，并对切割后的白玻璃利用去离子水和碱性清洗剂进行清洗，得到玻璃基板。
[0021]可选的，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：
[0022]在所述玻璃基板的上表面磁控溅射铜材料，形成铜导电层；
[0023]或者，在所述玻璃基板的上表面磁控溅射铝材料，形成铝导电层。
[0024]可选的，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：
[0025]将所述玻璃基板置于所述真空磁控溅射线腔体内，所述真空磁控溅射线腔体由缓冲室、过渡室、溅射室和出片室构成；
[0026]控制所述缓冲室、过渡室、溅射室和出片室处于预设温度时，在预设磁控溅射条件下，对所述玻璃基板上表面溅射厚度的铜或铝材料，形成铜导电层或铝导电层；
[0027]其中，所述缓冲室、过渡室、溅射室和出片室的预设温度分别为250
±
50℃、150
±
50℃、100
±
50℃和50
±
50℃；
[0028]所述预设磁控溅射条件包括：所述溅射室腔内使用Ar保护气体，所述Ar的气体流量取值范围为100
±
50Sccm，所述溅射室腔内气压取值范围为1
×
10
‑1至7
×
10
‑1pa，溅射电流取值范围为1至13A，溅射电压取值范围为300至700V，溅射功率取值范围为1至7KW，靶材为铜靶或铝靶，靶材的传送速度为0.1至1.0m/min。
[0029]可选的，利用激光蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图，包括：
[0030]利用皮秒紫外激光器，在激光波长为355nm ps，激光能量为30w，光学质量为M2<1.3，蚀刻速度为100至3000mm/s，最小聚焦光斑直径为Φ10μm，产品精度≤
±
30μm的蚀刻条件下蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图。
[0031]本专利技术实施例第二方面公开了一种玻璃基Mini LED线路板，所述玻璃基Mini LED线路板根据本专利技术实施例第一方面公开的玻璃基Mini LED线路板的制备方法制备得到；
[0032]所述玻璃基Mini LED线路板包括玻璃基板和形成有与标准线路图对应的线路图的导电层。
[0033]可选的，所述导电层为铜导电层或铝导电层。
[0034]可选的，若所述导电层为铜导电层，所述铜导电层的厚度为2μm。
[0035]基于上述本专利技术实施例提供的玻璃基Mini LED线路板及其制备方法，所述方法包括提供一玻璃基板；在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；利用激光蚀刻导电层，在导电层上形成与标准线路图对应的线路图。在本专利技术实施例中，在通过磁控溅射的方式构建导电层之后，直接利用激光在导电层上进行蚀刻，不仅极大的降低了设备因素、人为因素和环境因素对产品良品率的影响，提高了产品良品率，还实现了缩短工艺周期、提升生产效率的目的。同时，该制备方法未使用昂贵的光刻胶，还实现了降低了生产成本的目的。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0037]图1为本专利技术实施例公开的一种玻璃基Mini LED线路板的制备方法的流程示意
图；
[0038]图2为本专利技术实施例公开的另一种玻璃基Mini LED线路板的制备方法的流程示意图；
[0039]图3为本专利技术实施例公开的另一种玻璃基Mini LED线路板的制备方法的工艺流程图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基Mini LED线路板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一玻璃基板；在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；利用激光蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用激光蚀刻所述导电层之前，还包括：利用CCD相机定位标准线路图在所述导电层上的位置；所述利用激光蚀刻所述导电层，包括：基于所述位置利用激光蚀刻所述导电层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：采集形成于所述导电层上的线路图，将所述线路图与所述标准线路图进行比对；若存在不一致的位置，对所述位置进行标注，并在完成比对之后对标注的位置进行维修。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，提供一玻璃基板，包括：提供一白玻璃；利用开料机按照预设尺寸切割所述白玻璃，并对切割后的白玻璃利用去离子水和碱性清洗剂进行清洗，得到玻璃基板。5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：在所述玻璃基板的上表面磁控溅射铜材料，形成铜导电层；或者，在所述玻璃基板的上表面磁控溅射铝材料，形成铝导电层。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：将所述玻璃基板置于所述真空磁控溅射线腔体内，所述真空磁控溅射线腔体由缓冲室、过渡室、溅射室和出片室构成；控制所述缓冲室、过渡室、溅射室和出片室处于预设温度时，在预设磁控溅射条件下，对所述玻璃基板上表面溅射厚度的铜或铝材料，形成铜导电层或铝导电层；其中，所述缓冲室、过渡室、溅射室和出片室的预设温度分别为250
±

【专利技术属性】
技术研发人员：易伟华，张迅，洪华俊，曾庆乐，匡剑胜，陈才，
申请(专利权)人：湖北通格微电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：