玻璃基线路板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种玻璃基线路板及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供双面镀铜玻璃基板；在双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层；对正性光刻胶层进行图形化曝光和显影，以使未曝光区域的正性光刻胶层保留在双面镀铜玻璃基板上；对双面镀铜玻璃基板进行蚀刻，以将未受正性光刻胶层保护的区域内的铜镀层去除，得到双面铜线路玻璃基板；将双面铜线路玻璃基板上的正性光刻胶层进行脱模。本发明专利技术制备的玻璃基线路板能够实现超高线路密度，能够满足应用设备微型化的要求，并且可靠性、稳定性和耐高温性能较好，本发明专利技术的制备方法生产效率较高、成本较低。成本较低。成本较低。

【技术实现步骤摘要】
玻璃基线路板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及线路板
，特别是涉及一种玻璃基线路板及其制备方法。

技术介绍

[0002]线路板最早使用的是纸基覆铜印制板。自半导体晶体管于20世纪50年代出现以来，对印制线路板的需求量急剧上升，使用的电子设备体积越来越小，电路布线密度和难度越来越大，这就要求印制线路板具有超高线路密度、微型化和高可靠性。
[0003]随着显示技术的进步，miniled背光技术变得越来越流行，广泛用于各种设计和应用领域，例如天花板设计、3C产品玻璃面板应用、阳光房设计、天窗设计等。传统的印制线路板由于其本身材料的限制，印制线路板的散热性较差，并且在大尺寸应用中容易翘曲变形，可靠性和稳定性不好。
[0004]而且，传统的印制线路板的制作通常使用负性干膜作为抗蚀层，负性干膜的最高解析度线宽线距一般在15μm～25μm，电路布线密度难度大，难以实现超高线路密度和应用设备微型化。
[0005]因此，寻求一种能够实现超高线路密度、实现设备微型化、具有高可靠性和稳定性的线路板，已成为本领域的一个重要研究方向。

技术实现思路

[0006]基于此，有必要提供一种能够实现超高线路密度、可靠性和稳定性较好、生产效率较高的玻璃基线路板及其制备方法。
[0007]根据本专利技术的一个方面，提供了一种玻璃基线路板的制备方法，包括如下步骤：
[0008]提供双面镀铜玻璃基板；
[0009]在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层；
[0010]对所述正性光刻胶层进行图形化曝光和显影，以使未曝光区域的正性光刻胶层保留在所述双面镀铜玻璃基板上；
[0011]对所述双面镀铜玻璃基板进行蚀刻，以将未受正性光刻胶层保护的区域内的铜镀层去除，得到双面铜线路玻璃基板；
[0012]将所述双面铜线路玻璃基板上的所述正性光刻胶层进行脱模。
[0013]在其中一些实施例中，在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层，包括如下步骤：
[0014]在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜；
[0015]在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第二正性光刻胶层；
[0016]在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜，并去除所述双面镀铜玻璃基板第一面上的保护膜；
[0017]在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第一正
性光刻胶层。
[0018]在其中一些实施例中，对所述正性光刻胶层进行图形化曝光，包括如下步骤：
[0019]对所述双面镀铜玻璃基板第一面上的所述第一正性光刻胶层进行图形化曝光；
[0020]去除所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上的保护膜；
[0021]对所述双面镀铜玻璃基板第二面上的所述第二正性光刻胶层进行图形化曝光。
[0022]在其中一些实施例中，固化形成所述第二正性光刻胶层的固化温度为85℃～95℃，固化时间为45s～55s。
[0023]在其中一些实施例中，固化形成所述第一正性光刻胶层的固化温度为110℃～130℃，固化时间为120s～140s。
[0024]在其中一些实施例中，所述第一正性光刻胶层和所述第二正性光刻胶层的厚度均为0.5μm～8μm。
[0025]在其中一些实施例中，在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜之后，且在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶之前，还包括对所述第二面的铜镀层进行清洗的步骤。
[0026]在其中一些实施例中，在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜之后，且在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶之前，还包括对所述第一面的铜镀层进行清洗的步骤。
[0027]在其中一些实施例中，所述正性光刻胶的粘度为5cp～10cp，所述正性光刻胶的线宽线距分辨力解析度在1.5μm以上，所述正性光刻胶的颗粒度低于100pcs/mL。
[0028]在其中一些实施例中，所述图形化曝光为激光直写曝光，曝光量为290mJ/cm2～310mJ/cm2。
[0029]在其中一些实施例中，所述显影采用的显影液中包含甲基氢氧化铵，显影电导率为45ms/cm2～55ms/cm2，显影温度为23℃～27℃，显影时间为140s～160s。
[0030]在其中一些实施例中，所述蚀刻采用的蚀刻液为含有双氧水的铜蚀刻液，蚀刻液浓度为2mol/L～3mol/L，蚀刻温度为30℃～40℃，蚀刻时间为170s～230s。
[0031]在其中一些实施例中，所述脱模采用的脱模液为碱溶液，脱模液浓度为1mol/L～2mol/L，脱模温度为40℃～50℃，脱模时间为250s～350s。
[0032]根据本专利技术的另一方面，提供了一种玻璃基线路板，所述玻璃基线路板通过本专利技术上述的玻璃基线路板的制备方法制备得到。
[0033]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0034]本专利技术采用玻璃基板，并采用正性光刻胶作为抗蚀层，通过曝光、显影、蚀刻和脱模等步骤制备得到玻璃基线路板；正性光刻胶的线宽线距解析度高，并且与玻璃基板的结合较好；相比于传统的采用负性干膜作为抗蚀层、采用纸质基板或塑料基板的方法，本专利技术所制备的玻璃基线路板可以实现超高的电路布线密度，其线宽线距可达到7μm～11μm，可以满足应用设备微型化的要求。
[0035]此外，本专利技术的线路板采用玻璃基板，具有良好的散热性和平整度，其尺寸稳定性和可靠性更好，且耐高温性能较高，可使玻璃基线路板具有良好的电器性能。
[0036]再者，本专利技术采用双面镀铜玻璃基板、双面同时加工作业的方式，可以提高生产效率、降低生产成本，且能够更好地保证产品的稳定性和质量。
附图说明
[0037]图1为本专利技术一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0038]图2为本专利技术另一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0039]图3为本专利技术另一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0040]图4为本专利技术另一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0041]图5为本专利技术一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0042]图6为本专利技术另一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0043]图7为本专利技术另一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图；
[0044]图8为本专利技术另一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图。
具体实施方式
[0045]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供双面镀铜玻璃基板；在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层；对所述正性光刻胶层进行图形化曝光和显影，以使未曝光区域的正性光刻胶层保留在所述双面镀铜玻璃基板上；对所述双面镀铜玻璃基板进行蚀刻，以将未受正性光刻胶层保护的区域内的铜镀层去除，得到双面铜线路玻璃基板；将所述双面铜线路玻璃基板上的所述正性光刻胶层进行脱模。2.根据权利要求1所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层，包括如下步骤：在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜；在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第二正性光刻胶层；在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜，并去除所述双面镀铜玻璃基板第一面上的保护膜；在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第一正性光刻胶层。3.根据权利要求2所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶层进行图形化曝光，包括如下步骤：对所述双面镀铜玻璃基板第一面上的所述第一正性光刻胶层进行图形化曝光；去除所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上的保护膜；对所述双面镀铜玻璃基板第二面上的所述第二正性光刻胶层进行图形化曝光。4.根据权利要求2所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，固化形成所述第二正性光刻胶层的固化温度为85℃～95℃，固化时间为45s～55s；和/或固化形成所述第一正性光刻胶层的固化温度为110℃～130℃，固化时间为120s～140s；和/或所述第一正性光刻胶层和所述第二正性光刻胶层的厚度均为0.5μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：易伟华，张迅，刘松林，胡剑义，
申请(专利权)人：湖北通格微电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：