一种减光罩像素的阵列基板及其制作方法技术

技术编号:38576707 阅读:10 留言:0更新日期:2023-08-26 23:24
本发明专利技术涉及显示器技术领域,提供一种减光罩像素的阵列基板及其制作方法,包括:基板;第一金属层,形成栅极与第一公共电极;第一绝缘层;半导体层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面;第二金属层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,形成源极、漏极与像素电极;第二绝缘层;第三绝缘层开设了第一挖洞;第三金属层,形成第二公共电极,所述第二公共电极遮盖所述源极;第四绝缘层开设了第二挖洞;像素电极层,还通过所述第二挖洞与所述漏极连接。本发明专利技术的优点在于:减少光罩成本,增加储存电容,降低源极与像素电极层的耦合电场,有助于电子墨水的稳定移动,避免影响到显示色彩的饱和度。避免影响到显示色彩的饱和度。避免影响到显示色彩的饱和度。

【技术实现步骤摘要】
一种减光罩像素的阵列基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示器
,具体地涉及一种减光罩像素的阵列基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子墨水的发展,电子书、电子标签等备受广泛应用,使用者对电子纸显示屏解析度的需求日益提升,产品逐渐往高PPI发展,而限制像素储存电容的空间,为了确保电子纸能稳定维持显示所需的驱动电压,传统像素的阵列基板采用两层储存电容,如图1所示,包括:
[0003]基板1;
[0004]第一金属层,固定设置在所述基板1,形成栅极2与第一像素电极19,所述栅极2与所述第一像素电极19分隔;
[0005]第一绝缘层4,固定设置在所述第一金属层与所述基板1的上表面,所述第一绝缘层4开设第一挖洞15,所述第一像素电极19露出于所述第一挖洞15;
[0006]半导体层5,固定设置在所述第一绝缘层4的上表面,还位于所述栅极2的正上方;
[0007]第二金属层,固定设置在所述第一绝缘层4的上表面,形成源极6、漏极7与公共电极21,所述源极6与所述半导体层5的左端连接,所述漏极7与所述半导体层5的右端连接,所述漏极7还通过所述第一挖洞15与所述第一像素电极19连接,所述公共电极21与所述漏极7分隔;
[0008]第二绝缘层9,固定设置在所述第二金属层与所述半导体层5的上表面,所述第二绝缘层9开设第二挖洞16,所述漏极7露出于所述第二挖洞16;
[0009]第三绝缘层10,固定设置在所述第二绝缘层9的上表面,所述第三绝缘层10开设第三挖洞17,所述第二挖洞16露出于所述第三挖洞17;
[0010]第三金属层,固定设置在所述第三绝缘层10的上表面,形成第二像素电极20,所述第二像素电极20通过所述第三挖洞17以及所述第二挖洞16与所述漏极7连接;
[0011]像素电极层13,固定设置在所述第三金属层的上表面。
[0012]在图1之中,使用光罩蚀刻制程进行挖洞,在第一绝缘层开设第一挖洞,在第二绝缘层开设第二挖洞,在第三绝缘层开设第三挖洞;公共电极与第一像素电极之间夹着第一绝缘层形成第一层储存电容,公共电极与第二像素电极之间夹着第二绝缘层和第三绝缘层形成第二层储存电容。对于传统像素的阵列基板,栅极与扫描线连接,源极与资料线连接,像素电极层与电子墨水连接;在图1之中,第二像素电极与像素电极层直接接触,源极和位于上方的像素电极层产生耦合电场,进而影响电子墨水的移动,容易使显示色彩的饱和度不佳。
[0013]因此,如何减少光罩成本,增加储存电容,降低源极与像素电极层的耦合电场,是本领域亟待解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0014]本专利技术要解决的技术问题,在于提供一种减光罩像素的阵列基板及其制作方法,减少光罩成本,增加储存电容,降低源极与像素电极层的耦合电场。
[0015]本专利技术是这样实现的:
[0016]一种减光罩像素的阵列基板,包括:
[0017]基板;
[0018]第一金属层,固定设置在所述基板的上表面,形成栅极与第一公共电极,所述栅极与所述第一公共电极分隔;
[0019]第一绝缘层,固定设置在所述第一金属层与所述基板的上表面;
[0020]半导体层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,还位于所述栅极的正上方;
[0021]第二金属层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,形成源极、漏极与像素电极,所述源极与所述半导体层的左端连接,所述漏极与所述半导体层的右端连接,所述像素电极与所述漏极连接;
[0022]第二绝缘层,固定设置在所述第二金属层、所述半导体层与所述第一绝缘层的上表面;
[0023]第三绝缘层,固定设置在所述第二绝缘层的上表面,所述第三绝缘层开设了第一挖洞,所述第二绝缘层露出于所述第一挖洞;
[0024]第三金属层,固定设置在所述第三绝缘层的上表面,形成第二公共电极,所述第二公共电极遮盖所述源极;
[0025]第四绝缘层,固定设置在所述第三金属层的上表面,还通过所述第一挖洞与所述第二绝缘层连接,所述第四绝缘层开设了第二挖洞,所述第二挖洞向下穿透所述第二绝缘层,所述漏极露出于所述第二挖洞;
[0026]像素电极层,固定设置在所述第四绝缘层的上表面,还通过所述第二挖洞与所述漏极连接。
[0027]进一步地,所述第二金属层还形成资料线,所述资料线与所述源极连接,所述第二公共电极还遮盖所述资料线。
[0028]进一步地,还包括:
[0029]公共电极层,固定设置在所述第四绝缘层的上表面,还与所述像素电极层分隔;
[0030]所述第四绝缘层还开设了第三挖洞与第四挖洞,所述第三挖洞向下穿透所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层,所述第一公共电极露出于所述第三挖洞,所述公共电极层通过所述第三挖洞与所述第一公共电极连接,所述第二公共电极露出于所述第四挖洞,所述公共电极层通过所述第四挖洞与所述第二公共电极连接。
[0031]进一步地,还包括:
[0032]电子墨水,所述电子墨水的两端分别与所述像素电极层、所述公共电极层连接。
[0033]进一步地,所述像素电极层与所述公共电极层都是ITO材料。
[0034]进一步地,所述第一金属层、第二金属层、第三金属层都是Mo/Al叠层金属或者Ti/Al叠层金属或者Cu材料。
[0035]进一步地,所述半导体层是a

Si或者金属氧化物或者LTPS材料。
[0036]进一步地,所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层与第四绝缘层都是SixNx或
者SixOx或者SixNxOx材料。
[0037]一种减光罩像素的阵列基板的制作方法,包括以下步骤:
[0038]S1、将第一金属层固定设置在基板的上表面,形成栅极与第一公共电极,所述栅极与所述第一公共电极分隔;
[0039]S2、将第一绝缘层固定设置在所述第一金属层与所述基板的上表面;
[0040]S3、将半导体层固定设置在所述第一绝缘层的上表面,所述半导体层还位于所述栅极的正上方;
[0041]S4、将第二金属层固定设置在所述第一绝缘层的上表面,形成源极、漏极与像素电极,所述源极与所述半导体层的左端连接,所述漏极与所述半导体层的右端连接,所述像素电极与所述漏极连接;
[0042]S5、将第二绝缘层固定设置在所述第二金属层、所述半导体层与所述第一绝缘层的上表面;
[0043]S6、将第三绝缘层固定设置在所述第二绝缘层的上表面,所述第三绝缘层开设了第一挖洞,所述第二绝缘层露出于所述第一挖洞;
[0044]S7、将第三金属层固定设置在所述第三绝缘层的上表面,形成第二公共电极,所述第二公共电极遮盖所述源极;
[0045]S8、将第四绝缘层固定设置在所述第三金属层的上表面,所述第四绝缘层还通过所述第一挖洞与所述第二绝缘层连接,所述第四绝缘层开设了第二挖洞、第三挖洞与第四挖洞,所述第二挖洞向下穿透所述第二绝缘层,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减光罩像素的阵列基板,其特征在于,包括:基板;第一金属层,固定设置在所述基板的上表面,形成栅极与第一公共电极,所述栅极与所述第一公共电极分隔;第一绝缘层,固定设置在所述第一金属层与所述基板的上表面;半导体层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,还位于所述栅极的正上方;第二金属层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,形成源极、漏极与像素电极,所述源极与所述半导体层的左端连接,所述漏极与所述半导体层的右端连接,所述像素电极与所述漏极连接;第二绝缘层,固定设置在所述第二金属层、所述半导体层与所述第一绝缘层的上表面;第三绝缘层,固定设置在所述第二绝缘层的上表面,所述第三绝缘层开设了第一挖洞,所述第二绝缘层露出于所述第一挖洞;第三金属层,固定设置在所述第三绝缘层的上表面,形成第二公共电极,所述第二公共电极遮盖所述源极;第四绝缘层,固定设置在所述第三金属层的上表面,还通过所述第一挖洞与所述第二绝缘层连接,所述第四绝缘层开设了第二挖洞,所述第二挖洞向下穿透所述第二绝缘层,所述漏极露出于所述第二挖洞;像素电极层,固定设置在所述第四绝缘层的上表面,还通过所述第二挖洞与所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的一种减光罩像素的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层还形成资料线,所述资料线与所述源极连接,所述第二公共电极还遮盖所述资料线。3.根据权利要求1所述的一种减光罩像素的阵列基板,其特征在于,还包括:公共电极层,固定设置在所述第四绝缘层的上表面,还与所述像素电极层分隔;所述第四绝缘层还开设了第三挖洞与第四挖洞,所述第三挖洞向下穿透所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层,所述第一公共电极露出于所述第三挖洞,所述公共电极层通过所述第三挖洞与所述第一公共电极连接,所述第二公共电极露出于所述第四挖洞,所述公共电极层通过所述第四挖洞与所述第二公共电极连接。4.根据权利要求1所述的一种减光罩像素的阵列基板,其特征在于,还包括:电子墨水,所述电子墨水的两端分别与所述像素电极层、所述公共电极层连接。5.根据权利要求1所述的一种减光罩像素的阵列基板,其特征在于,所述像素电极层与所述公共电极层都是ITO材料。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈廷安郭智宇
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司
类型:发明
国别省市:

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