包括形成凹陷填充图案的半导体器件的制造方法技术

一种半导体器件的制造方法，包括：蚀刻衬底，从而形成单元沟槽和虚设沟槽；在衬底上形成初步隔离结构，其中第一虚设凹陷形成在初步隔离结构中并与虚设沟槽重叠；在初步隔离结构上形成下掩模层，其中第二虚设凹陷形成在下掩模层中并与第一虚设凹陷重叠；形成填充第二虚设凹陷的虚设凹陷填充图案；在下掩模层和虚设凹陷填充图案上形成上掩模层；使用下掩模层和上掩模层作为掩模形成栅极沟槽；以及在栅极沟槽中形成栅极结构。槽中形成栅极结构。槽中形成栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
包括形成凹陷填充图案的半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术构思的示例性实施方式涉及半导体器件的制造方法。更具体地，本专利技术构思的示例性实施方式涉及包括形成凹陷填充图案的半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件由于其特点诸如小型化、多功能化、低制造成本等，在电子工业中越来越重要。半导体器件通常可分为配置成存储逻辑数据的半导体存储器件、配置成算术处理逻辑数据的半导体逻辑器件、包括存储元件和逻辑元件的混合半导体器件等。根据电子工业的发展，对半导体器件的特性的需求逐渐增加。例如，对半导体器件的高可靠性、高速度、多功能化等的需求正在逐渐增加。为了满足这些期望的特性，半导体器件的结构变得越来越复杂。此外，半导体器件变得越来越集成化。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术构思的示例性实施方式，一种半导体器件的制造方法包括：蚀刻衬底，从而形成单元沟槽和虚设沟槽；在衬底上形成初步隔离结构，其中第一虚设凹陷形成在初步隔离结构中并与虚设沟槽重叠；在初步隔离结构上形成下掩模层，其中第二虚设凹陷形成在下掩模层中并与所述第一虚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括：蚀刻衬底，从而形成单元沟槽和虚设沟槽；在所述衬底上形成初步隔离结构，其中第一虚设凹陷形成在所述初步隔离结构中并与所述虚设沟槽重叠；在所述初步隔离结构上形成下掩模层，其中第二虚设凹陷形成在所述下掩模层中并与所述第一虚设凹陷重叠；形成填充所述第二虚设凹陷的虚设凹陷填充图案；在所述下掩模层和所述虚设凹陷填充图案上形成上掩模层；使用所述下掩模层和所述上掩模层作为掩模形成栅极沟槽；以及在所述栅极沟槽中形成栅极结构。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中：形成所述初步隔离结构包括：在所述衬底上形成第一初步隔离层；在所述第一初步隔离层上形成第二初步隔离层；在所述第二初步隔离层上形成第一虚设隔离层，使得所述第一虚设隔离层填充所述虚设沟槽；以及去除所述第二初步隔离层的上部，从而形成第二虚设隔离层，其中所述第一虚设凹陷由所述第一虚设隔离层、所述第二虚设隔离层和所述第一初步隔离层形成。3.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二虚设凹陷是所述下掩模层的顶表面的凹陷部分。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中形成所述虚设凹陷填充图案包括在所述下掩模层上形成凹陷填充层，以及去除所述凹陷填充层的上部。5.根据权利要求4所述的制造方法，其中去除所述凹陷填充层的所述上部包括通过化学机械抛光工艺选择性地去除所述凹陷填充层的所述上部。6.根据权利要求5所述的制造方法，其中所述凹陷填充层包括在所述化学机械抛光工艺中相对于所述下掩模层具有选择性的材料。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中：所述下掩模层包括硅氧化物，并且所述凹陷填充层包括硅氮化物、硅碳氮化物、多晶硅或硼氮化物。8.一种半导体器件的制造方法，包括：蚀刻衬底，从而形成单元沟槽和虚设沟槽；在所述衬底之上形成下掩模层，其中所述下掩模层包括单元凹陷和虚设凹陷，其中所述单元凹陷与所述单元沟槽重叠，所述虚设凹陷与所述虚设沟槽重叠；形成填充所述虚设凹陷的虚设凹陷填充图案和填充所述单元凹陷的单元凹陷填充图案；在所述下掩模层、所述虚设凹陷填充图案和所述单元凹陷填充图案上形成上掩模层；使用所述下掩模层和所述上掩模层作为掩模形成栅极沟槽；以及在所述栅极沟槽中形成栅极结构。9.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述单元凹陷和所述虚设凹陷是所述下掩模
层的顶表面的凹陷部分。10.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述单元凹陷填充图案的顶表面、所述虚设凹陷填充图案的顶表面和所述下掩模层的顶表面形成平坦的共面表面。11.根据权利要求8所述的制造方法，进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永仁，朴钟爀，权炳昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：