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一种半导体器件的制造方法，包括：蚀刻衬底，从而形成单元沟槽和虚设沟槽；在衬底上形成初步隔离结构，其中第一虚设凹陷形成在初步隔离结构中并与虚设沟槽重叠；在初步隔离结构上形成下掩模层，其中第二虚设凹陷形成在下掩模层中并与第一虚设凹陷重叠；形成填...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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