【技术实现步骤摘要】
电容器结构和包括电容器结构的半导体装置
[0001]本申请要求于2022年2月8日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0016221号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
[0002]示例实施例涉及一种电容器结构和/或包括该电容器结构的半导体装置。更具体地，示例实施例涉及一种电容器结构和/或包括该电容器结构的DRAM装置。
技术介绍
[0003]随着包括在DRAM装置中的电容器的下电极的高宽比(aspect ratio)增大，可能有必要形成支撑图案以支撑下电极，使得下电极不塌陷。然而，当形成支撑图案时，下电极的表面的一部分被支撑图案覆盖，使得下电极的表面的面积减小，并且因此电容器的电容量会减小。此外，当形成支撑图案时，下电极会被部分地损坏。
技术实现思路
[0004]示例实施例提供了具有改善的特性的电容器结构和/或半导体装置。
[0005]根据示例实施例，一种电容器结构可以包括：第一电极，在基底上，并且在与基底的上表...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电容器结构，所述电容器结构包括：第一电极，在基底上，并且在与基底的上表面平行的水平方向上彼此间隔开；第一支撑图案，接触第一电极的侧壁；介电层，在第一电极的表面和第一支撑图案的表面上；以及第二电极，在介电层上，其中，第一支撑图案在与基底的上表面平行的第一方向上布置，第一支撑图案在第一电极的在第二方向上的中心部分处接触第一电极的侧壁，第二方向与基底的上表面平行，并且与第一方向正交，并且第一支撑图案在第一电极的在第二方向上的边缘部分处不与第一电极的侧壁接触。2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，第一支撑图案中的每个第一支撑图案具有在第一方向上延伸的条形形状。3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，第一支撑图案在第二方向上具有相同的宽度。4.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，第一电极之中的每个对应的第一电极在一对相邻的第一支撑图案之间，一对相邻的第一支撑图案分别接触对应的第一电极的在第一方向上的相对位置，并且在第一方向上的每对相邻的第一支撑图案包括第一第一支撑图案和第二第一支撑图案，第一第一支撑图案和第二第一支撑图案相对于在该第一第一支撑图案与该第二第一支撑图案之间的对应的第一电极对称。5.根据权利要求1所述的电容器结构，所述电容器结构还包括：第二支撑图案，接触第一电极的侧壁，第二支撑图案在与基底的上表面正交的竖直方向上与第一支撑图案间隔开，其中，介电层在第一电极的表面、第一支撑图案的表面和第二支撑图案的表面上。6.根据权利要求5所述的电容器结构，其中，第二支撑图案在与基底的上表面平行的第三方向上布置，第三方向与第一方向形成锐角，第二支撑图案在第一电极的在第四方向上的中心部分处与第一电极的侧壁接触，第四方向与基底的上表面平行，并且与第三方向正交，并且第二支撑图案在第一电极的在第四方向上的边缘部分处不与第一电极的侧壁接触。7.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，第二支撑图案中的每个第二支撑图案具有在第三方向上延伸的条形形状。8.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，第一电极中的每个对应的第一电极在一对相邻的第二支撑图案之间，一对相邻的第二支撑图案分别接触第一电极中的对应的第一电极的在第三方向上的相对位置，并且在第三方向上的每对相邻的第二支撑图案包括第一第二支撑图案和第二第二支撑图案，第一第二支撑图案和第二第二支撑图案相对于第一电极中的在该第一第二支撑图案与该第二第二支撑图案之间的对应的第一电极对称。9.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，第一电极中的每个第一电极具有在竖直方向上延伸的柱形形状，并且
竖直方向与基底的上表面正交。10.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，第一电极包括金属，并且第二电极包括金属氮化物或掺杂有杂质的硅锗。11.一种电容器结构，所述电容器结构包括：第一电极，在基底上，并且在与基底的上表面平行的水平方向上彼此间隔开；第一支撑图案，在与基底的上表面平行的第一方向上布置，第一支撑图案在第一电极的在竖直方向上的中心部分处接触第一电极的侧壁，竖直方向与基底的上表面正交，并且第一支撑图案沿着第一方向通过第一电极彼此间隔开；第二支撑图案，在与基底的上表面平行的第三方向上布置，第三方向与第一方向形成锐角，第二支撑图案在第一电极的在竖直方向上的上部处接触第一电极的侧壁，第二支撑图案在竖直方向上与第一支撑图案间隔开，并且第二支撑图案沿着第三方向通过第一电极彼此间隔开；介电层，在第一电极的表面、第一支撑图案的表面和第二支撑图案的表面上；以及第二电极，在介电层上。12.根据权利要求11所述的电容器结构，其中，第一支撑图案中的每个第一支撑图案具有在第一方向上延伸的...
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