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电容器结构和包括电容器结构的半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:38561205
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提供了一种电容器结构和包括电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括:第一电极,在基底上,并且在与基底的上表面基本平行的水平方向上彼此间隔开;第一支撑图案,接触第一电极的侧壁;介电层,在第一电极的表面和第一支撑图案的表面上;以及第二电极,在...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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