低温等离子体射流阵列产生电极制造技术

本发明专利技术涉及一种低温等离子体射流阵列产生电极，包括：针簇电极、密封盖及反应腔；密封盖设置为底部敞开的半封闭式结构；密封盖密封的顶部开设有电极安装孔及气管接口；反应腔设置为顶部敞开的半封闭式结构，反应腔的顶部经密封盖的底部延伸至密封盖的内侧并与密封盖密闭连接；针簇电极安装在电极安装孔内，针簇电极的放电端设置在反应腔内；反应腔的底部开设有等离子体溢出孔群。该低温等离子体射流阵列产生电极，高压电源通过限流电阻接通针簇电极，同时气瓶中的反应气体通过密封盖气管接口注入反应腔，在高压电源和反应气体的综合作用下，反应气体和等离子射流将从反应腔的等离子体溢出孔喷射而出，可产生单端的大面积低温等离子体射流阵列。离子体射流阵列。离子体射流阵列。

【技术实现步骤摘要】
低温等离子体射流阵列产生电极


[0001]本专利技术涉及等离子体
，特别涉及一种低温等离子体射流阵列产生电极。

技术介绍

[0002]低温等离子具有非常广阔的应用前景，在杀菌、消毒、表面处理等方面得到了广泛的应用。目前众多应用中存在两个显著需求：第一，低温等离子体能在不受电极结构制约的开放环境中产生。实际上等离子体的产生往往都在两个电极之间，击穿电压的大小决定了电极之间的距离不会太大，两电极之间空间有限往往影响了应用。第二，能产生大面积或大体积的稳定弥散低温等离子。实际在大气压空气中放电很容易由汤逊放电转化为流注放电，形成火花击穿通道，大面积或大体积的稳定弥散空气低温等离子的产生存在困难。
[0003]用稀有气体注入电极反应腔，并从一端高速喷出，在空气环境中产生等离子体射流可以解决第一个需求，但是射流呈现为细竖状等离子体，实际应用中无法满足第二个需求。如何进一步优化低温等离子体射流产生的电极结构，在空气中产生大面积或大体积的稳定弥散空气低温等离子，是本领域亟需研究的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对现有技术中存在的低温等离子体射流器件难以在空气中产生大面积或大体积的稳定弥散空气低温等离子的技术问题，提供了一种低温等离子体射流阵列产生电极。
[0005]本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：
[0006]一种低温等离子体射流阵列产生电极，包括：针簇电极、密封盖及反应腔；所述密封盖设置为底部敞开的半封闭式结构；所述密封盖密封的顶部开设有贯穿内部的电极安装孔及气管接口；所述反应腔设置为顶部敞开的半封闭式结构，所述反应腔的顶部经所述密封盖的底部延伸至所述密封盖的内侧并与所述密封盖密闭连接；所述针簇电极安装在所述电极安装孔内，所述针簇电极的放电端设置在所述反应腔内；所述反应腔的底部开设有等离子体溢出孔群，所述等离子体溢出孔群与所述针簇电极相对设置。
[0007]进一步地：所述电极安装孔的数量大于或等于1；所述针簇电极的数量和所述电极安装孔的数量一致。
[0008]进一步地：所述电极安装孔及所述针簇电极均设置为3个。
[0009]进一步地：每个所述等离子体溢出孔群包含至少一个等离子体溢出孔；
[0010]每个所述等离子体溢出孔群内设置的所述等离子体溢出孔的数量相同；
[0011]所述等离子体溢出孔的数量的总数量m与所述针簇电极的总数量n满足关系式：m＝kn，其中k为大于或等于1的正整数；
[0012]每个所述等离子体溢出孔群中的多个所述等离子体溢出孔对称分布在上方对应的所述针簇电极在所述反应腔的正投影上和/或周围。
[0013]进一步地：所述密封盖的材质为绝缘材料。
[0014]进一步地：反应腔的材质采用绝缘透明材料。
[0015]本专利技术提供的低温等离子体射流阵列产生电极至少具备以下有益效果或优点：
[0016]本专利技术提供的低温等离子体射流阵列产生电极，密封盖设置为底部敞开的半封闭式结构；密封盖密封的顶部开设有贯穿内部的电极安装孔及气管接口；反应腔设置为顶部敞开的半封闭式结构，反应腔的顶部经密封盖的底部延伸至密封盖的内侧并与密封盖密闭连接；针簇电极安装在电极安装孔内，针簇电极的放电端设置在反应腔内；反应腔的底部开设有等离子体溢出孔群，等离子体溢出孔群与针簇电极相对设置。该低温等离子体射流阵列产生电极，高压电源通过限流电阻接通针簇电极，同时气瓶中的反应气体通过密封盖气管接口注入反应腔，此时在高压电源和反应气体的综合作用下，反应气体和等离子射流将从反应腔的等离子体溢出孔喷射而出，产生单端的大面积低温等离子体射流阵列。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例提供的低温等离子体射流阵列产生电极结构示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例提供的电极安装孔及气管接口结构示意图；
[0019]图3为本专利技术实施例提供的等离子体溢出孔分布示意图；
[0020]图4为本专利技术实施例提供的又一等离子体溢出孔分布示意图；
[0021]图5为本专利技术实施例提供的针簇电极结构示意图。
[0022]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0023]1‑
针簇电极，2
‑
密封盖，3
‑
反应腔，4
‑
气管接口，5
‑
电极安装孔，6
‑
等离子体溢出孔。
具体实施方式
[0024]本专利技术针对现有技术中存在的低温等离子体射流器件难以在空气中产生大面积或大体积的稳定弥散空气低温等离子的技术问题，提供了一种低温等离子体射流阵列产生电极。
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]本专利技术实施例提供了一种低温等离子体射流阵列产生电极，如图1
‑
图5所示，其主要包括：针簇电极1、密封盖2及反应腔3。密封盖2设置为底部敞开的半封闭式结构，本实施例中，密封盖2设置为圆柱形状，密封盖2的材质为ABS工程塑料。密封盖2密封的顶部开设有贯穿内部的电极安装孔5及气管接口4，电极安装孔5设置为内螺纹结构，与针簇电极1的螺纹金属杆相配合，气管接口4设置为与气瓶的连接管道相配合的结构。反应腔3设置为顶部敞开的半封闭式结构；具体的，反应腔3设置为圆柱形状的绝缘结构，反应腔3的顶部经密封盖2的底部延伸至密封盖2的内侧并与密封盖2密闭连接；反应腔3的材质可采用透明有机玻璃，便于从外部观察反应腔3内的反应情况。针簇电极1一一对应地安装在电极安装孔5内，针簇电极1的放电端设置在反应腔3内。反应腔3的底部开设有等离子体溢出孔群，等离子体溢出孔群与针簇电极1相对设置。
[0027]本实施例中，如图1、图2及图5所示，电极安装孔5的数量大于或等于一；针簇电极1的数量和所述电极安装孔5的数量一致。例如，可开设三个电极安装孔5，三个电极安装孔5程正三角形分布，三个电极安装孔5的中间位置开设有一个气管接口4。针簇电极1设置为三个，三个针簇电极1一一对应地安装在三个电极安装孔5内。
[0028]如图1
‑
图5所示，每个等离子体溢出孔群包含至少一个等离子体溢出孔，例如本实施例中每个等离子体溢出孔群包含一个等离子体溢出孔6或七个等离子体溢出孔6。每个等离子体溢出孔群内设置的等离子体溢出孔的数量相同；等离子体溢出孔的数量的总数量m与针簇电极的总数量n满足关系式：m＝kn，其中k为大于或等于1的正整数。等离子体溢出孔6的孔径与反应腔注入的反应气体的流速有关，例如等离子体溢出孔6的孔径可设置为1
‑
2mm；每个等离子体溢出孔群中的多个等离子体溢出孔6对称分布在上方对应的针簇电极1在反应腔3的正投影上和/或周围；上述方案是形成大面积或大体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温等离子体射流阵列产生电极，其特征在于：包括：针簇电极(1)、密封盖(2)及反应腔(3)；所述密封盖(2)设置为底部敞开的半封闭式结构；所述密封盖(2)密封的顶部开设有贯穿内部的电极安装孔(5)及气管接口(4)；所述反应腔(3)设置为顶部敞开的半封闭式结构，所述反应腔(3)的顶部经所述密封盖(2)的底部延伸至所述密封盖(2)的内侧并与所述密封盖(2)密闭连接；所述针簇电极(1)安装在所述电极安装孔(5)内，所述针簇电极(1)的放电端设置在所述反应腔(3)内；所述反应腔(3)的底部开设有等离子体溢出孔群，所述等离子体溢出孔群与所述针簇电极(1)相对设置。2.根据权利要求1所述的低温等离子体射流阵列产生电极，其特征在于：所述电极安装孔(5)的数量大于或等于1；所述针簇电极(1)的数量和所述电极安装孔(5)的数量一致。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭啸龙，刘云龙，
申请(专利权)人：武汉芙丽雅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：