温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种低温等离子体射流阵列产生电极,包括:针簇电极、密封盖及反应腔;密封盖设置为底部敞开的半封闭式结构;密封盖密封的顶部开设有电极安装孔及气管接口;反应腔设置为顶部敞开的半封闭式结构,反应腔的顶部经密封盖的底部延伸至密封盖的内侧并与...该专利属于武汉芙丽雅电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉芙丽雅电子科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种低温等离子体射流阵列产生电极,包括:针簇电极、密封盖及反应腔;密封盖设置为底部敞开的半封闭式结构;密封盖密封的顶部开设有电极安装孔及气管接口;反应腔设置为顶部敞开的半封闭式结构,反应腔的顶部经密封盖的底部延伸至密封盖的内侧并与...