一种等离子体产生方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体产生方法及装置，方法包括以下步骤：(1)设置一基底层，在所述基底层上设置第一膜层，将所述基底和第一膜层进行固定；(2)在所述第一膜层上，设置至少一通液蛇形沟道。设置第二膜层，在所述第二膜层靠近所述隔气薄膜的一侧设置通气蛇形沟道，所述通气蛇形沟道形状与所述通液蛇形沟道形状至少存在部分重合；所述第二膜层的蛇形通气沟道通过所述导电玻璃连接高压电源通电产生低温等离子体；控制所述通液蛇形沟道进液，使所述低温等离子体透过所述隔气薄膜与所述通液蛇形沟道中的液体进行反应。本发明专利技术采用蛇形气道的方式，使得装置反应效率大大增加，能够在同等面积下，尽可能多地产生更多的等离子体，效率高且稳定。效率高且稳定。效率高且稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体产生方法及装置


[0001]本专利技术涉及微流控领域，特别是涉及一种等离子体产生方法以及装置。

技术介绍

[0002]等离子体是一种很好的导电体，利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提供了新的技术和工艺。
[0003]现有技术中的等离子体产生方法，都是采用微流控
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等离子体装置，都是先产生等离子体气泡。这些装置的不足是气泡的产生比较难控制，必须通过精密气泵和液泵的相互配合，这就导致很难精准地调控气泡的大小。这些装置只有在产生气泡的前提下才能够进一步转变成微等离子体气泡。在难以精确调控气泡大小的前提下，对于等离子体的产生存在不确定性和不稳定性。

技术实现思路

[0004]有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种等离子体产生方法以及产生装置，使得能够稳定控制产生等离子体。
[0005]基于上述技术问题，本专利技术提供了一种等离子体产生方法，包括以下步骤：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体产生方法，其特征是：包括以下步骤：(1)设置一基底层，在所述基底层上设置第一膜层，将所述基底和第一膜层进行固定；(2)在所述第一膜层上，设置至少一通液蛇形沟道；(3)在所述通液体蛇形沟道上，设置至少一隔气薄膜；(4)在所述隔气薄膜上，设置第二膜层，在所述第二膜层靠近所述隔气薄膜的一侧设置通气蛇形沟道，所述通气蛇形沟道形状与所述通液蛇形沟道形状至少存在部分重合；(5)在所述第二膜层上，设置至少一导电玻璃；(6)所述第二膜层的蛇形通气沟道通过所述导电玻璃连接高压电源通电产生低温等离子体；控制所述通液蛇形沟道进液，使所述低温等离子体透过所述隔气薄膜与所述通液蛇形沟道中的液体进行反应。2.如权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征是：所述步骤(1)中，将所述基底和第一膜层进行固定，包括以下步骤：(11)将所述第一膜层与所述基底层进行plasma处理；(12)将所述第一膜层与所述基底层进行120℃加热20min。3.如权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征是：所述步骤(4)中，将所述第一膜膜层与所述第二膜膜层进行固定，包括以下步骤：(41)将所述第一膜层与所述第二膜层进行plasma处理；(42)将所述第一膜层与所述第二膜层进行120℃加热20min。...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鑫，曾晓怡，刘羽，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：