数据驱动电路制造技术

本公开提供一种数据驱动电路，所述数据驱动电路包括：电阻器串，在所述电阻器串中，多个电阻器串联连接；以及多个数据信道，连接到所述电阻器串的高电压节点、中间电压节点和低电压节点，并且配置为将数字数据信号转换成模拟数据电压。所述多个数据信道中的每一个包括：主数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点；乘法器，连接到所述主数模转换器的输出端子；子数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点中的一些；和电压合成器，连接到所述乘法器的输出端子和所述子数模转换器的输出端子。输出端子。输出端子。

【技术实现步骤摘要】
数据驱动电路
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年2月17日提交的第10
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2022
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0021107号韩国专利申请的优先权和从其获取的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0003]本公开涉及一种数据驱动电路。

技术介绍

[0004]随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性被强调。因此，诸如液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置的使用正在增加。
[0005]显示装置包括用于显示图像的多个像素。由于每个像素接收模拟数据电压并且发射具有与该模拟数据电压相对应的亮度的光，因此显示装置可以显示图像。
[0006]显示装置可以包括数据驱动电路(即，数据驱动器)以产生这样的模拟数据电压。然而，为了高图像美感，模拟数据电压的范围正在逐渐地增加，并且为此，需要数据驱动电路包括在高电压下被驱动的晶体管(例如，高电压金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(“HVMOS”))。由于HVMOS另外需要用于控制栅极电压的电平移位器，并且HVMOS自身的面积是大的，因此存在难以将数据驱动电路集成到集成芯片(“IC”)中的缺点。

技术实现思路

[0007]技术方面要提供一种可以由具有小的面积的低电压MOSFET(“LVMOS”)构成并且因此可以被容易地集成的数据驱动电路、以及一种包括所述数据驱动电路的显示装置。
[0008]根据本公开的实施例，一种数据驱动电路包括：电阻器串，在所述电阻器串中，多个电阻器串联连接；以及多个数据信道，连接到所述电阻器串的高电压节点、中间电压节点和低电压节点，并且配置为将数字数据信号转换成模拟数据电压。所述多个数据信道中的每一者包括：主数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点；乘法器，连接到所述主数模转换器的输出端子；子数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点中的一些；和电压合成器，连接到所述乘法器的输出端子和所述子数模转换器的输出端子。
[0009]所述电压合成器可以通过合成所述乘法器的输出电压和所述子数模转换器的输出电压产生所述模拟数据电压。
[0010]所述乘法器的所述输出电压可以是与所述数字数据信号的最高有效位(“MSB”)相对应的电压，并且所述子数模转换器的所述输出电压可以是与所述数字数据信号的最低有效位(“LSB”)相对应的电压。
[0011]所述电压合成器可以包括：采样电容器；第一开关，配置为连接所述子数模转换器的所述输出端子和所述采样电容器的第一电极；放大器；第二开关，配置为连接所述采样电容器的第二电极和所述放大器的第一输入端子；第三开关，配置为将所述高电压节点、所述
中间电压节点和所述低电压节点中的一者连接到所述放大器的第二输入端子；第四开关，配置为连接所述乘法器的所述输出端子和所述放大器的所述第二输入端子；以及第五开关，配置为连接所述采样电容器的所述第一电极和所述放大器的所述第一输入端子。
[0012]所述第一开关和所述第三开关可以在接收到第一开关信号时接通，所述第四开关可以在接收到所述第一开关信号的反相信号时接通，所述第二开关可以在接收到第二开关信号时接通，并且所述第五开关可以在接收到所述第二开关信号的反相信号时接通。
[0013]所述电压合成器还可以包括：第一偏移反相器，配置为将所述第二开关连接到所述放大器的所述第一输入端子和所述放大器的所述第二输入端子中的一者，并且将所述第三开关连接到所述放大器的所述第一输入端子和所述放大器的所述第二输入端子中的另一者；以及第二偏移反相器，定位在所述放大器内部，并且连接在所述放大器的所述第一输入端子与所述放大器的所述第二输入端子之间。
[0014]当所述第一偏移反相器和所述第二偏移反相器接收到所述第一开关信号时，所述第一偏移反相器和所述第二偏移反相器可以使所述放大器的输入偏移电压反相并且将所述输入偏移电压施加到所述采样电容器的所述第二电极。
[0015]所述乘法器可以输出与所述乘法器的输入电压的N倍相对应的输出电压，所述乘法器可以包括N
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1个电容器，并且N可以是大于1的整数。
[0016]所述N
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1个电容器可以包括：第一电容器、第二电容器和第三电容器，所述乘法器还可以包括：第六开关，配置为连接所述乘法器的输入端子和所述第一电容器的第一电极；第七开关，配置为连接所述第一电容器的第二电极和参考电源；第八开关，配置为连接所述第一电容器的所述第二电极和所述乘法器的所述输入端子；第九开关，配置为连接所述第一电容器的所述第一电极和所述第二电容器的第一电极；第十开关，配置为连接所述第二电容器的第二电极和所述参考电源；第十一开关，配置为连接所述第二电容器的所述第二电极和所述乘法器的所述输入端子；第十二开关，配置为连接所述第二电容器的所述第一电极和所述第三电容器的第一电极；第十三开关，配置为连接所述第三电容器的第二电极和所述参考电源；第十四开关，配置为连接所述第三电容器的所述第二电极和所述乘法器的所述输入端子；以及第十五开关，配置为连接所述第三电容器的所述第一电极和所述乘法器的所述输出端子。
[0017]所述第六开关、所述第七开关、所述第十一开关、所述第十二开关和所述第十三开关可以在时钟信号是第一逻辑电平时接通，并且所述第八开关、所述第九开关、所述第十开关、所述第十四开关和所述第十五开关可以在所述时钟信号是不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平时接通。
[0018]根据本公开的实施例，一种显示装置包括：像素，配置为接收模拟数据电压并且显示与所述模拟数据电压相对应的图像；以及数据驱动器，配置为将所述模拟数据电压传送到所述像素。所述数据驱动器包括：电阻器串，在所述电阻器串中，多个电阻器串联连接；以及多个数据信道，连接到所述电阻器串的高电压节点、中间电压节点和低电压节点，并且配置为将数字数据信号转换成模拟数据电压。所述多个数据信道中的每一者包括：主数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点；乘法器，连接到所述主数模转换器的输出端子；子数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点中的一些；和电压合成器，连接到所述乘法器的输出端子和所述子数模转换
器的输出端子。
[0019]所述电压合成器可以通过合成所述乘法器的输出电压和所述子数模转换器的输出电压产生所述模拟数据电压。
[0020]所述乘法器的所述输出电压可以是与所述数字数据信号的MSB相对应的电压，并且所述子数模转换器的所述输出电压可以是与所述数字数据信号的LSB相对应的电压。
[0021]所述电压合成器可以包括：采样电容器；第一开关，配置为连接所述子数模转换器的所述输出端子和所述采样电容器的第一电极；放大器；第二开关，配置为连接所述采样电容器的第二电极和所述放大器的第一输入端子；第三开关，配置为将所述高电压节点、所述中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据驱动电路，其中，所述数据驱动电路包括：电阻器串，在所述电阻器串中，多个电阻器串联连接；以及多个数据信道，连接到所述电阻器串的高电压节点、中间电压节点和低电压节点，并且配置为将数字数据信号转换成模拟数据电压，其中，所述多个数据信道中的每一者包括：主数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点；乘法器，连接到所述主数模转换器的输出端子；子数模转换器，连接到所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点中的一些；以及电压合成器，连接到所述乘法器的输出端子和所述子数模转换器的输出端子。2.根据权利要求1所述的数据驱动电路，其中，所述电压合成器通过合成所述乘法器的输出电压和所述子数模转换器的输出电压产生所述模拟数据电压。3.根据权利要求2所述的数据驱动电路，其中，所述乘法器的所述输出电压是与所述数字数据信号的最高有效位相对应的电压，并且所述子数模转换器的所述输出电压是与所述数字数据信号的最低有效位相对应的电压。4.根据权利要求1所述的数据驱动电路，其中，所述电压合成器包括：采样电容器；第一开关，配置为连接所述子数模转换器的所述输出端子和所述采样电容器的第一电极；放大器；第二开关，配置为连接所述采样电容器的第二电极和所述放大器的第一输入端子；第三开关，配置为将所述高电压节点、所述中间电压节点和所述低电压节点中的一者连接到所述放大器的第二输入端子；第四开关，配置为连接所述乘法器的所述输出端子和所述放大器的所述第二输入端子；以及第五开关，配置为连接所述采样电容器的所述第一电极和所述放大器的所述第一输入端子。5.根据权利要求4所述的数据驱动电路，其中，所述第一开关和所述第三开关在接收到第一开关信号时接通，所述第四开关在接收到所述第一开关信号的反相信号时接通，所述第二开关在接收到第二开关信号时接通，并且所述第五开关在接收到所述第二开关信号的反相信号时接通。6.根据权利要求5所述的数据驱动电路，其中，所述电压合成器还包括：第一偏移反相器，配置为将所述第二开关连接到所述放大器的所述第一输入端子和所述放大器的所述第二输入端子中的一者，并且将所述第三开关连接到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亨根，林圭完，姜炅求，金贤植，郑金东，郑文在，
申请(专利权)人：韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：