本申请涉及一种雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备。所述电路包括雾化片、自耦变压器、扫频电路和供电电源，通过雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；自耦变压器的第一端分别连接第一雾化端、地线，自耦变压器的第三端连接第二雾化端；扫频电路的输出端连接自耦变压器的第二端，扫描电路的控制端用于连接处理芯片；供电电源连接扫频电路的供电端。进而在处理芯片向扫频电路输出PWM信号时，能够实现驱动雾化片喷雾。在电路待机状态，扫频电路处于关闭状态，进而能够避免雾化片与电极片通过电解池形成回路，有效解决了电极片和雾化片在同一水箱中避免雾化片电化学腐蚀，同时提高整体电路效率和减小整体电路体积。高整体电路效率和减小整体电路体积。高整体电路效率和减小整体电路体积。
【技术实现步骤摘要】
雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备
[0001]本申请涉及微孔雾化
，特别是涉及一种雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备。
技术介绍
[0002]电解自来水不仅能产生氢气和氧气，同时还能产生次氯酸、臭氧、羟基自由基等氧化物质，如果把陶瓷雾化片和电解水相结合，不仅能对水起到杀菌消毒的目的，同时还能使空气和包含氧化物质的雾化水滴充分接触，实现空气杀菌消毒的目的。由于水的导电性，电解用的电极片和雾化用的雾化片容易形成电解池，从而造成雾化片腐蚀。
[0003]现有的技术方案中，通过采用用隔板将电解水腔和雾化水腔隔开，这种方法虽然避免了电极片和雾化片通过水形成电解池，但是雾化的水腔不能和氧化物质接触，容易滋生细菌；通过在雾化片驱动电路设置双绕组变压器，这种方法虽然避免了与电极片形成电流回路，但是双绕组变压器体积较大，效率较低，发热严重，不适合微孔雾化片。
[0004]目前微孔雾化片采用的是自耦变压器，由于在待机状态，依然会造成雾化片和电极片形成电解池回路，导致雾化片发生电化学腐蚀。
技术实现思路
[0005]基于此，有必要针对上述现有的电解雾化方案中，依然会造成雾化片和电极片形成电解池回路，导致雾化片发生电化学腐蚀的问题，提供一种能够实现电极片和雾化片在同一水箱时避免雾化片电化学腐蚀，同时提高整体电路效率和减小整体电路体积的雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备。
[0006]第一方面，本申请提供一种雾化片驱动电路，包括：
[0007]雾化片，雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；
[0008]自耦变压器，自耦变压器的第一端分别连接第一雾化端、地线，自耦变压器的第三端连接第二雾化端；
[0009]扫频电路，扫频电路的输出端连接自耦变压器的第二端，扫描电路的控制端用于连接处理芯片；
[0010]供电电源，供电电源连接扫频电路的供电端。
[0011]可选的，扫频电路包括PMOS管、第一电阻和第二电阻；
[0012]PMOS管的栅极分别连接第一电阻的第一端、第二电阻的第二端，PMOS管的源极分别连接供电电源、第二电阻的第一端，PMOS管的漏极耦接自耦变压器的第二端；第一电阻的第二端连接处理芯片的PWM信号端。
[0013]可选的，扫频电路还包括第三电阻；第三电阻连接在自耦变压器的第二端与PMOS管的漏极之间。
[0014]可选的，雾化片驱动电路还包括采样电路；采样电路的输入端连接扫频电路的输出端，采样电路的输出端连接处理芯片的采样端。
[0015]可选的，采样电路包括第一二极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容和第二电容；
[0016]第一二极管的阳极连接扫频电路的输出端，第一二极管的阴极连接第四电阻的第一端，第四电阻的第二端分别连接第一电容的正极、第五电阻的第一端；第一电容的负极连接第二电容的正极，第二电容的负极连接地线；第五电阻的第二端连接第六电阻的第一端，第六电阻的第二端连接地线，处理芯片的采样端连接在第五电阻的第二端与第六电阻的第一端之间。
[0017]可选的，雾化片为微孔雾化片。
[0018]第二方面，本申请提供一种雾化片防腐蚀装置，包括：处理芯片、电解单元和如上述任意一项的雾化片驱动电路；
[0019]处理芯片分别连接电解单元、雾化片驱动电路。
[0020]可选的，电解单元包括电极片和电解驱动电路；
[0021]电解驱动电路的输出端连接电极片，电解驱动电路的控制端连接处理芯片。
[0022]可选的，雾化片防腐蚀装置还包括供电电池；供电电路分别连接处理芯片、电解单元、雾化片驱动电路。
[0023]第三方面，本申请提供一种雾化设备，包括上述任意一项的雾化片防腐蚀装置。
[0024]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0025]上述的雾化片驱动电路中，雾化片驱动电路包括雾化片、自耦变压器、扫频电路和供电电源，通过雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；自耦变压器的第一端分别连接第一雾化端、地线，自耦变压器的第三端连接第二雾化端；扫频电路的输出端连接自耦变压器的第二端，扫描电路的控制端用于连接处理芯片；供电电源连接扫频电路的供电端。进而在处理芯片向扫频电路输出PWM信号时，扫频电路工作，使得自耦变压器的第一端和第二端之间形成交流信号，根据电磁感应原理，在自耦变压器的第一端和第二端间的线圈周围产生交变磁场，该交变磁场又会在自耦变压器的第一端和第三端产生感应电压，同时利用线圈匝数比与感应电压之间的线性比例关系，从而在自耦变压器的第二端和第三端之间得到与PWM信号同频率的高压交流信号，将此信号加载雾化片两端，实现驱动雾化片喷雾。在待机状态，即处理芯片不向扫频电路输出PWM信号时，扫频电路处于关闭状态，使供电电源和自耦变压器之间断开，进而能够避免雾化片与电极片通过电解池形成回路，有效解决了电极片和雾化片在同一水箱中避免雾化片电化学腐蚀，同时提高整体电路效率和减小整体电路体积。
附图说明
[0026]图1为本申请实施例中雾化片驱动电路的第一结构示意图。
[0027]图2为本申请实施例中雾化片驱动电路的第二结构示意图。
[0028]图3为本申请实施例中雾化片驱动电路的电路示意图。
[0029]图4为本申请实施例中雾化片防腐蚀装置的结构框图。
[0030]图5为本申请实施例中电解驱动电路的电路结构图。
[0031]图6为本申请实施例中供电电池的电路结构图。
[0032]附图标记：
[0033]雾化片驱动电路10；雾化片100；自耦变压器200；扫频电路300；供电电源400；采样电路500；电解单元20；处理芯片30；PMOS管Q1；第一二极管D1；第一电阻R1；第二电阻R2；第三电阻R3；第四电阻R4；第五电阻R5；第六电阻R6；第一电容C1；第二电容C2。
具体实施方式
[0034]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0035]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0036]另外，术语“多个”的含义应为两个以及两个以上。
[0037]为了解本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种雾化片驱动电路，其特征在于，包括：雾化片，所述雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；自耦变压器，所述自耦变压器的第一端分别连接所述第一雾化端、地线，所述自耦变压器的第三端连接所述第二雾化端；扫频电路，所述扫频电路的输出端连接所述自耦变压器的第二端，所述扫频电路的控制端用于连接处理芯片；供电电源，所述供电电源连接所述扫频电路的供电端。2.根据权利要求1所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述扫频电路包括PMOS管、第一电阻和第二电阻；所述PMOS管的栅极分别连接所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第二端，所述PMOS管的源极分别连接所述供电电源、所述第二电阻的第一端，所述PMOS管的漏极耦接所述自耦变压器的第二端；所述第一电阻的第二端连接所述处理芯片的PWM信号端。3.根据权利要求2所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述扫频电路还包括第三电阻；所述第三电阻连接在所述自耦变压器的第二端与所述PMOS管的漏极之间。4.根据权利要求1
‑
3任意一项所述的雾化片驱动电路，其特征在于，还包括采样电路；所述采样电路的输入端连接所述扫频电路的输出端，所述采样电路的输出端连接所述处理芯片的采样端。5.根据权利要求4所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述采样电路包...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇波，张亚飞，吴鸿斌，
申请(专利权)人：深圳创新设计研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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