脉宽调制系统技术方案

本申请公开了一种脉宽调制系统，包括：直流电源、由直流电源供电的负载、用于控制负载上的电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管P

【技术实现步骤摘要】
脉宽调制系统


[0001]本申请涉及电路领域，尤其涉及一种脉宽调制系统。

技术介绍

[0002]在消费类电子产品应用领域，有很多应用场景是在输入电压不固定的情况下，要求输出固定的电压，以达到恒定的带载需求，比如电子烟系统，其供电一般为电池或者充电设备，随着电池的消耗，电压不断降低，但是输出需要固定的应用电压，这样才能使电子烟保持一致的加热效果。传统做法是采用闭环控制系统，该系统对输出电压进行采样并通过环路调节，实现对输出电压的精准控制，但这种系统往往较复杂，且需要搭配较多的外部器件，不太适用小外围尺寸的系统。

技术实现思路

[0003]根据本公开的实施例，提供了一种脉宽调制系统，包括：直流电源、由所述直流电源供电的负载、用于控制所述负载上的电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管P
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MOSFET开关管M0、以及用于控制所述P
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MOSFET开关管M0的关断与开启的开关控制单元，其中，所述开关控制单元连接到所述P
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MOSFET开关管M0的栅极并且用于产生用于控制所述P
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种脉宽调制系统，包括：直流电源、由所述直流电源供电的负载、用于控制所述负载上的电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管P
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MOSFET开关管M0、以及用于控制所述P
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MOSFET开关管M0的关断与开启的开关控制单元，其中，所述开关控制单元连接到所述P
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MOSFET开关管M0的栅极并且用于产生用于控制所述P
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MOSFET开关管M0的关断与开启的脉宽调制PWM信号以在所述负载上产生恒定的目标设定电压。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述开关控制单元包括跟随器、斜波信号生成器、振荡器、参考信号生成器以及比较器，其中，所述跟随器的输入端连接到所述直流电源的正极并且输出端连接到所述斜波信号生成器的第一输入端，所述振荡器的输出端连接到所述斜波信号生成器的第二输入端，所述斜波信号生成器的输出端连接到所述比较器的正极输入端，所述参考信号生成器的输出端连接到所述比较器的负极输入端，所述比较器的输出端连接到所述P
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MOSFET开关管M0的栅极，其中，所述振荡器用于生成周期为T的时钟信号并且在每个时钟的上升沿产生同周期的斜波信号重置脉冲信号，所述斜波信号生成器用于在所述斜波信号重置脉冲信号为低电平时输出斜波信号，所述比较器用于通过比较所述斜波信号和由所述参考信号生成器产生的基准参考信号来生成所述PWM信号。3.根据权利要求2所述的系统，其中，在每个时钟周期T开始时，所述斜波信号生成器由于所述斜波信号重置脉冲信号是高电平而将输出降为0，此时所述PWM信号翻转为低电平并且所述P
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MOSFET开关管M0开启；当所述斜波信号重置脉冲信号变为低电平时，所述斜波信号生成器生成所述斜波信号，在所述斜波信号等于所述基准参考信号时，所述PWM信号翻转为高电平并且所述P
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MOSFET开关管M0关断。4.根据权利要求2或3所述的系统，其中，所述跟随器包括运算放大器、电阻R1、由输入P
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MOSFET晶体管M1和输出P
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MOSFET晶体管M2形成的P
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MOSFET电流镜的所述输入P
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MOSFET晶体管M1、N型金属氧化物半导体场效应晶体管N
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MOSFET跟随器M3，其中，所述运算放大器的正极输入端连接到所述直流电源并且负极输入端连接到所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端接地，所述N
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MOSFET跟随器M3的栅极连接到所述运算放大器的输出端、源极连接到所述电阻R1的所述第一端、漏极连接到所述P
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MOSFET电流镜的输入P
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MOSFET晶体管M1；所述斜波信号生成器包括所述电流镜的输出P
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MOSFET晶体管M2、第一电容C1，其中，所述第一电容C1的第一端连接到所述输出P
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MOSFET晶体管M2并且所述第一电容C1的第二端接地，所述斜波信号生成器生成的所述斜波信号为所述的第一电容C1上的电压，所述第一电容C1与...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志琴，罗强，
申请(专利权)人：昂宝电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：