用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法，保证芯片区域处理一致性，形成良好的面型，以提高大面阵红外探测器芯片质量。抛光调平装置包括：抛光盘；抛光垫，铺设于抛光盘；夹具主体，包括压力控制杆和夹具盘，压力控制杆的底端与夹具盘的上表面连接，夹具盘的下表面适于配合抛光垫对芯片进行抛光；夹具盘具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个轴向贯通孔内置一个压力块，压力块相对于轴向贯通孔轴向可动；压力块具有轴向贯通的吸气孔；驱动系统，用于驱动压力控制杆轴向移动和绕轴转动，还用于驱动压力块轴向移动；真空泵，具有多个吸气管，每个吸气管对应连通一个吸气孔；控制系统，用于控制驱动系统和真空泵。真空泵。真空泵。

【技术实现步骤摘要】
用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法


[0001]本专利技术涉及探测器制作
，尤其涉及一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法。

技术介绍

[0002]近年来，焦平面红外探测器跨入了一个以超大规模、多光谱、集成化和低成本为特征的第三代技术。超大规模探测器对传统的碲锌镉衬底尺寸要求较大，且探测器芯片与衬底材料之间的热失配问题随着尺寸的增大变得愈发突出。在硅基上分子束外延HgCdTe薄膜可有效解决上述问题，这成为大面阵红外探测器的研发热点。
[0003]为了增加红外探测器的光电转换效率，需要在钝化前引入硅基衬底的减薄工艺，以增加芯片表面的平整度与洁净度。但由于硅衬底特殊的物化性质，在经过机械磨抛工艺后，硅片将产生扭曲及翘曲，翘曲度与机械作用呈正相关；进而导致磨抛过程中硅片的边角与中心区域去除速率不一致，产生较差的面型，影响红外探测器性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法，用以提高大面阵红外探测器芯片减薄处理后的面型效果。
[0005]根据本专利技术实施例的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，包括：
[0006]抛光盘；
[0007]抛光垫，铺设于所述抛光盘；
[0008]夹具主体，包括压力控制杆和夹具盘，所述压力控制杆的底端与所述夹具盘的上表面连接，所述夹具盘的下表面适于配合所述抛光垫对芯片进行抛光；
[0009]所述夹具盘具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个所述轴向贯通孔内置一个压力块，所述压力块相对于所述轴向贯通孔轴向可动；所述压力块具有轴向贯通的吸气孔；
[0010]驱动系统，用于驱动所述压力控制杆轴向移动和绕轴转动，还用于驱动所述压力块轴向移动；
[0011]真空泵，具有多个吸气管，每个所述吸气管对应连通一个所述吸气孔；
[0012]控制系统，用于控制所述驱动系统和所述真空泵。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述夹具盘的下表面具有多条导流槽。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，所述多条导流槽包括相互交叉的横向槽和纵向槽。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述多个轴向贯通孔阵列分布。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，所述压力块具有多个所述吸气孔，所述多个吸气孔间隔排布。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述多个吸气孔阵列分布。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述夹具主体还包括夹具环，所述夹具环外套于所述夹具盘且相对于所述夹具盘轴向可动。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述夹具环通过弹簧与所述夹具盘连接。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述驱动系统还用于驱动所述抛光盘绕轴转动。
[0021]根据本专利技术实施例的抛光调平方法，所述抛光调平方法基于如上所述的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置实现；所述方法包括：
[0022]控制系统根据初始吸气参数控制真气泵，以使大面阵红外探测器芯片在所述真气泵的吸力作用下附着在夹具盘的下表面；
[0023]调整所述初始吸气参数，并设置第一压力参数，以使所述大面阵红外探测器芯片在各吸气孔的吸力作用以及各压力块的压力作用的合理作用下在所述夹具盘的下表面保持平整；
[0024]控制系统根据旋转参数以及第二压力参数控制所述驱动系统，以使所述压力控制杆在所述驱动系统的驱动作用下绕轴旋转并沿轴移动。
[0025]采用本专利技术实施例，可以实现大面阵芯片的抛光调平技术，大幅提高工作效率，有效降低芯片的翘曲度，维持较好的面型，降低损坏概率，提高成品率；所采用的装置及技术成本低廉，操作简单。
[0026]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0027]通过阅读下文实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。在附图中：
[0028]图1是本专利技术实施例中抛光调平装置局部结构示意图；
[0029]图2是本专利技术实施例中抛光调平装置局部结构示意图；
[0030]图3是本专利技术实施例中夹具主体的结构示意图；
[0031]图4是本专利技术实施例中夹具主体的仰视图；
[0032]图5是本专利技术实施例中夹具主体的俯视图；
[0033]图6是本专利技术实施例中压力块与吸气孔配合作用示意图。
[0034]附图标记：
[0035]抛光台1，抛光盘2，
[0036]抛光垫3，
[0037]压力控制杆4，夹具盘5，压力块51，吸气孔510，导流槽52，真空泵6，控制系统7，夹具环8，吸/压力控制区a。
具体实施方式
[0038]下面将参照附图更详细地描述本专利技术的示例性实施例。虽然附图中显示了本专利技术的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本专利技术而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本专利技术，并且能够将本专利技术的范围完整的传达给本领域的技术人员。另外，在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和
技术，以便不模糊对本说明书的理解。
[0039]结合图1和图2所示，本专利技术实施例的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，包括：
[0040]抛光盘2；
[0041]抛光垫3，铺设于抛光盘2；
[0042]夹具主体，包括压力控制杆4和夹具盘5，压力控制杆4的底端与夹具盘5的上表面连接，夹具盘5的下表面适于配合抛光垫3对芯片进行抛光；夹具盘5的下表面和抛光盘2的上表面保证符合要求的平整度。
[0043]夹具盘5具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个轴向贯通孔内置一个压力块51，压力块51相对于轴向贯通孔轴向可动。芯片位于夹具盘5的下表面时，通过下移压力块51，压力块51突出于夹具盘5的下表面以对其相对位置处的芯片区域施加一个压力。压力块51具有轴向贯通的吸气孔510。吸气孔510可以实现对芯片区域形成一个吸力。多个压力块51配合吸气孔510形成一个吸/压力控制区a，参照图3和图4。
[0044]驱动系统，用于驱动压力控制杆4轴向移动(即靠近或远离抛光盘2)和绕轴转动(绕压力控制杆4转动)，还用于驱动压力块51轴向移动(绕压力块51中心轴转动)；
[0045]真空泵6，具有多个吸气管，每个吸气管对应连通一个吸气孔510，参照图4所示；
[0046]控制系统7，用于控制驱动系统和真空泵6。
[0047]采用本专利技术实施例，可以实现大面阵芯片的抛光调平技术，大幅提高工作效率，有效降低芯片的翘曲度，维持较好的面型，降低损坏概率，提高成品率；所采用的装置及技术成本低廉，操作简单。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，其特征在于，包括：抛光盘；抛光垫，铺设于所述抛光盘；夹具主体，包括压力控制杆和夹具盘，所述压力控制杆的底端与所述夹具盘的上表面连接，所述夹具盘的下表面适于配合所述抛光垫对芯片进行抛光；所述夹具盘具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个所述轴向贯通孔内置一个压力块，所述压力块相对于所述轴向贯通孔轴向可动；所述压力块具有轴向贯通的吸气孔；驱动系统，用于驱动所述压力控制杆轴向移动和绕轴转动，还用于驱动所述压力块轴向移动；真空泵，具有多个吸气管，每个所述吸气管对应连通一个所述吸气孔；控制系统，用于控制所述驱动系统和所述真空泵。2.如权利要求1所述的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，其特征在于，所述夹具盘的下表面具有多条导流槽。3.如权利要求2所述的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，其特征在于，所述多条导流槽包括相互交叉的横向槽和纵向槽。4.如权利要求1所述的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，其特征在于，所述多个轴向贯通孔阵列分布。5.如权利要求1所述的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，其特征在于，所述压力块具有多个所述吸气孔，所述多个吸气孔间隔排布。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾达，喻松林，李春领，刘海龙，王春红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：