激光开孔方法及半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供一种激光开孔方法及半导体器件的制备方法。激光开孔方法包括步骤：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位置不相邻。本发明专利技术可有效避免激光开孔过程中的热累积效应，避免开孔变形及后续工艺的分层等不良，有助于提高生产良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
激光开孔方法及半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及后段封装，特别是涉及一种激光开孔方法及半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]激光开孔是半导体器件制作过程中常用的制备通孔的方法。尤其是在后段封装过程中，广泛使用激光开孔法。比如目前在绝缘基板的双面层叠有金属箔的印刷配线基板上，使用激光打孔形成贯穿印刷配线基板的孔。
[0003]激光开孔的过程通常包括，使用激光开设贯穿印刷配线基板的校准孔，对定位孔进行拍摄，并根据拍摄到的校准孔的位置决定激光的照射位置，对该照射位置照射激光而形成至印刷配线基板的孔。激光照射主要有三种模式：(a) Single pulse：单一脉冲镭射钻孔；(b) Percussion：使用多发脉冲镭射增加钻孔深
度
，但此方法会使钻孔孔径大于聚焦光斑直径；(c) Trepanning：当钻孔孔径大于聚焦光束直径，藉由移动光束轨迹加大钻孔孔径。
[0004]现有的激光开孔方法都是对同一开孔位置进行连续激光照射直至完成所需尺寸的通孔制作后再对下一个孔进行连续照射加工，以此类推，直至完成所有通孔的制作。
[0005]专利技术人经大量研究发现，这种激光对一个位置进行连续照射直至完成单个通孔加工的方法会导致照射过程中能量累积来不及散出，造成热累积效应。且随着开孔尺寸的增大，单颗孔的激光打点次数越多，激光能量越大，最终造成在开孔边缘的热累积现象越严重，不仅会造成后续工艺中布线层（RDL）和聚酰亚胺层（PI）分层，导致器件电性失效。此外，热累积还可能导致通孔发生变形，导致生产良率下降。
[0006]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种激光开孔方法及半导体器件的制备方法，用于解决现有技术中对一个位置进行连续激光照射直至完成单个孔加工的激光开孔方法会导致照射过程中能量累积来不及散出，由此在开孔边缘发生热累积，造成后续工艺中的分层以及通孔发生变形，导致器件性能下降等问题。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供一种激光开孔方法，所述激光开孔方法包括：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位
置不相邻。
[0009]可选地，n大于等于10，a和b均小于等于对应预设次数的三分之一。
[0010]可选地，各开孔的尺寸相同，a和b的大小一致，每次激光照射的能量和照射时间相同。
[0011]更可选地，每次激光照射的能量为0.2W
‑
3W。
[0012]可选地，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的方法包括对基板进行移动或对激光进行移动。
[0013]可选地，移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的同时，对之前照射的开孔位置进行冷却。
[0014]更可选地，对之前照射的开孔位置进行冷却的方法包括自然冷却和/或采用冷却气体进行吹扫的方法。
[0015]本专利技术还提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括采用如上述任一方案中所述的激光开孔方法于基板上制备出开孔，然后于开孔内制作导电结构的步骤。
[0016]进一步的，所述半导体器件的制备方法为器件封装方法，包括步骤：提供支撑基板；于支撑基板上形成牺牲层；于牺牲层上形成导电互连层；将芯片设置于导电互连层上；形成包覆芯片的塑封层；于芯片表面形成与芯片、导电互连层电连接的重新布线层；于重新布线层上形成电引出结构；将支撑基板去除以显露出牺牲层；采用如上述任一方案中所述的激光开孔方法于牺牲层中制备出若干显露出导电互连层的开孔；于开孔中形成与导电互连层电接触的导电结构。
[0017]如上所述，本专利技术提供的激光开孔方法及半导体器件的制备方法，具有以下有益效果：本专利技术经改善的流程设计，可在确保开出的孔的大小和优化之前的孔的大小一致的前提下，有效避免单个开孔在短时间内连续进行激光照射而产生的热累积效应，可避免开孔变形及后续工艺的分层等不良，有助于提高生产良率。
附图说明
[0018]图1显示为本专利技术提供的激光开孔方法于一示例中的过程示意图。
[0019]图2显示为本专利技术提供的激光开孔方法于另一方案中的过程示意图。
[0020]图3显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中提供基底的示意图。
[0021]图4显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中于基底上形成牺牲层的示意图。
[0022]图5显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中形成导电互连层的示意图。
[0023]图6显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中芯片键合的示意图。
[0024]图7显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中形成塑封层的示意图。
[0025]图8显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中对塑封层进行表面平坦化处理后的示意图。
[0026]图9显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中形成重新布线层的示意图。
[0027]图10显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中形成电引出结构的示意图。
[0028]图11显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中去除基底的示意图。
[0029]图12显示为本专利技术提供的半导体器件的制备方法中于牺牲层中形成开孔的示意图。
具体实施方式
[0030]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。如在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0031]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光开孔方法，其特征在于，所述激光开孔方法包括：将基板上待加工制备的n个开孔位置作为一组，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射，如此依次移动，直至对该组所有开孔位置进行预设次数的激光照射而在各开孔位置加工出所需尺寸的通孔，其中，预设次数为完成对应开孔位置的开孔所需的激光照射总次数，n为大于等于3的整数，a和b为小于对应预设次数的整数，且n个开孔呈多行多列阵列排布，移动打孔的过程为螺旋形移动，前一开孔位置和后一开孔位置不相邻。2.根据权利要求1所述的激光开孔方法，其特征在于，n大于等于10，a和b均小于等于对应预设次数的三分之一。3.根据权利要求1所述的激光开孔方法，其特征在于，各开孔的尺寸相同，a和b的大小一致，每次激光照射的能量和照射时间相同。4.根据权利要求3所述的激光开孔方法，其特征在于，每次激光照射的能量为0.2W
‑
3W。5.根据权利要求1所述的激光开孔方法，其特征在于，对前一个开孔位置进行a次激光照射后移动至对下一个开孔位置进行b次激光照射的方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：