一种薄膜晶体管有源层材料制造技术

一种薄膜晶体管有源层材料包括：半导体主体以及掺杂源，半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，掺杂源用于对非晶金属氧化物材料掺杂，掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于含氟量。本申请通过对非晶金属氧化物材料制成的有源层进行氟元素与氢元素的掺杂，钝化有源层中的缺陷，提高迁移率，提高电学稳定性，提高器件的性能。提高器件的性能。提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管有源层材料


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种薄膜晶体管有源层材料、掺杂方法以及薄膜晶体管。

技术介绍

[0002]基于非晶金属氧化物的薄膜晶体管(TFT)，如铟镓氧化锌(IGZO)TFT，正在被寻求作为平板显示和其他应用中基于硅的TFT的替代品。非晶金属氧化物TFT的相对优点是其透明性、大的开/关电流比、较高的载流子迁移率、相对较低的加工温度等。但是有源层采用非晶金属氧化物材料的TFT的电学性能在偏置、温度和照明应力下的长期稳定性和可靠性仍被认为是商业化过程中有待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术主要解决的技术问题是现有的TFT采用非晶金属氧化物材料作为有源层存在性能不足和性能不稳定的问题。
[0004]根据第一方面，一种实施例中提供一种薄膜晶体管有源层材料，包括：
[0005]半导体主体以及掺杂源，半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，掺杂源用于对非晶金属氧化物材料掺杂，掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管有源层材料，其特征在于，包括：半导体主体以及掺杂源，所述半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，所述掺杂源用于对所述非晶金属氧化物材料掺杂，所述掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，所述有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于含氟量。2.如权利要求1所述的有源层材料，其特征在于，所述含氢量与含氟量的比例为大于或等于1.5：1。3.如权利要求2所述的有源层材料，其特征在于，所述含氧量为55％
‑
85％。4.如权利要求1所述的有源层材料，其特征在于，所述半导体主体为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化镓锌或氧化铟铜。5.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括源极、漏极、栅极、栅介质层以及有源层；所述源极与漏极分别与所述有源层的第一表面接触，所述栅介质层与所述有源层的第二表面接触，所述栅极形成在所述栅介质层上方或下方；所述有源层采用权利要求1
‑
4中任一项所述的有源层材料制成。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅TFT、底栅TFT、双栅TFT或者EMMO TFT。7.一种薄膜晶体管有源层的掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆磊，陈文龙，韩子娟，王焱鑫，巫礼杰，张盛东，廖聪维，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：