一种用于金属硅的真空熔炼炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于金属硅的真空熔炼炉，包括：支架框、炉体、感应线圈和石墨坩埚；所述支架框内连接有炉体，所述炉体上方连接有炉盖，所述感应线圈一端连接有导线，所述导线一端连接有控制柜；石墨坩埚，设置在所述感应线圈内，所述炉体一侧连接有联通组件，所述联通组件一端连接有抽真空泵，所述联通组件另一端连接有扩散泵。通过水泵将外部冷水，输送至铜盘内，对石墨坩埚内的金属硅，进行散热，使金属硅定向凝固，并结合喷管喷出的气体，进而使两种工艺在同一炉内进行，能够有效提高提纯的效率，通过定位销卡入定位槽的同时，T型板插入矩形槽，并且在扭簧的作用下，能够自行复位，进而便于将石墨坩埚安装在炉体内。进而便于将石墨坩埚安装在炉体内。进而便于将石墨坩埚安装在炉体内。

【技术实现步骤摘要】
一种用于金属硅的真空熔炼炉


[0001]本技术涉及金属硅提纯设备
，具体为一种用于金属硅的真空熔炼炉。

技术介绍

[0002]金属硅提纯的方式多种多样，其中物理法即冶金法，是通过精炼炉冶炼造渣和真空熔炼炉提纯，定向凝固等工艺将高纯度金属硅提纯至太阳能级金属硅，现有的物理法提纯金属硅中使用的真空熔炼炉还存在一定缺陷，就比如；
[0003]由于熔渣和氧化精炼，对金属硅中含有的铁元素祛除不明显，因此须借助于真空熔炼炉对精炼后的金属硅进行进一步的精炼提纯，才能够达到更高纯度的要求，并且需要再次配合定向凝固，才能够得到4N级纯度的多晶硅，在使用物理法对金属硅进行提纯时，真空熔炼和定向凝固工艺，一般两个不同的炉内进行，导致提纯加工效率较低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于金属硅的真空熔炼炉，以解决上述
技术介绍
提出的目前市场上使用物理法提纯金属硅时，真空熔炼和定向凝固工艺被分在两个不同的炉内进行，提纯效率较低的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于金属硅的真空熔炼炉，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于金属硅的真空熔炼炉，包括：支架框(1)、炉体(2)、感应线圈(4)和石墨坩埚(7)，其特征在于；所述支架框(1)内连接有炉体(2)，所述炉体(2)上方连接有炉盖(3)，所述炉体(2)内壁上连接有感应线圈(4)，所述感应线圈(4)一端连接有导线(5)，所述导线(5)一端连接有控制柜(6)；石墨坩埚(7)，设置在所述感应线圈(4)内，所述炉体(2)一侧连接有联通组件(8)，所述联通组件(8)一端连接有抽真空泵(9)，所述联通组件(8)另一端连接有扩散泵(26)。2.根据权利要求1所述的一种用于金属硅的真空熔炼炉，其特征在于：所述石墨坩埚(7)包括：定位销(701)、定位槽(702)、通孔(703)、贯穿轴(704)、扭簧(705)、放置腔(706)、T型板(707)、矩形槽(708)、圆形腔(709)，所述石墨坩埚(7)端部下方连接有定位销(701)，所述定位销(701)卡合连接在定位槽(702)内，所述定位槽(702)开设在炉体(2)端部上表面。3.根据权利要求2所述的一种用于金属硅的真空熔炼炉，其特征在于：所述石墨坩埚(7)端部开设有通孔(703)，所述通孔(703)内连接有贯穿轴(704)，所述贯穿轴(704)外周面上连接有扭簧(705)，所述扭簧(705)连接在放置腔(706)内壁上，所述放置腔(706)开设在通孔(703)内周面上。4.根据权利要求3所述的一种用于金属硅的真空熔炼炉，其特征在于：所述贯穿轴(704)末端连接有T型板(707)，所述T型板(707)末端贯穿矩形槽(708)连接在圆形腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄肃鹏，姜生芹，
申请(专利权)人：济南鹏程硅业有限公司，
类型：新型
国别省市：