【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:该高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(3)、迁移区(14)、分离电极、上基片(7)、中间基片(17)、下基片(20)和检测单元(10);所述的上基片(7)和中间基片(17)构成第一气体通道(6),中间基片(17)和下基片(20)构成第二气体通道(12);所述的迁移区位于第二气体通道(12)内,迁移区内设有迁移区上电极(13)和迁移区下电极(11),检测单元(10)位于迁移区的后端;所述的离子源(3)位于第一气体通道(6)的入口处;所述分离电极由上分离电极(4)和下分离电极(15)组成,上分离电极(4)位于上基片(7)上,紧邻离子源(3)出口;下分离电极(15)位于下基片(20)上;所述的中间基片(17)上设有离子通道(16),下分离电极(15)通过离子通道(16)与上分离电极(4)对称布置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王晓浩,唐飞,李华,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。