一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：(1)采用直槽刀对气体分配盘进行加工，得到直槽；(2)采用左偏刀对步骤(1)得到的所述直槽的内圆进行加工，然后采用右偏刀对所述直槽的外圆进行加工，得到O型密封槽。本发明专利技术提供的加工方法有效解决了气体分配盘O型密封槽的加工问题，并且提高了O型密封槽的密封性。并且提高了O型密封槽的密封性。并且提高了O型密封槽的密封性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中常用到化学气相沉积技术，即将含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。化学气相沉积技术是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
[0003]在化学气相沉积镀膜的过程中，晶圆位于气体分配盘下方。在化学气相沉积时，气体分配盘需保证良好的密封性，从而保证沉积过程的稳定性。如果密封不好会导致气体分配盘的表面倾斜，进而导致镀膜不均匀，最终影响芯片的使用性能。
[0004]CN113953777A公开了一种密封轴承密封圈槽加工方法，该方法包括：将套圈装夹至工装上，然后依次进行套圈车成型、车沟道、热处理、粗磨各表面、硬车密封圈槽和稳定处理。该方法虽然能够加工密封圈槽，但是不适用于加工精密度较高的半导体元件，无法满足半导体元件的使用要求。
[0005]因此，提供一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法具有重要意义。

技术实现思路

[0006]针对以上问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法，与现有技术相比，本专利技术提供的加工方法通过使用特定形状的直槽刀、左偏刀和右偏刀，并控制加工过程中的加工参数，有效解决了气体分配盘O型密封槽的加工问题，并且提高了O型密封槽的密封性。
[0007]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0008]本专利技术提供一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：
[0009](1)采用直槽刀对气体分配盘进行加工，得到直槽；
[0010](2)采用左偏刀对步骤(1)得到的所述直槽的内圆进行加工，然后采用右偏刀对所述直槽的外圆进行加工，得到O型密封槽。
[0011]本专利技术中，通过依次采用直槽刀、左偏刀和右偏刀对气体分配盘进行加工，在加工过程中通过对刀具尺寸的设计以及加工参数的控制，有效解决的气体分配盘O型密封槽的加工问题，并且提高了O型密封槽的密封性。
[0012]优选地，所述直槽刀加工时的主轴转速为300
‑
400r/min，例如可以是300r/min、305r/min、310r/min、315r/min、320r/min、325r/min、330r/min、335r/min、340r/min、345r/min、350r/min、355r/min、360r/min、365r/min、370r/min、375r/min、380r/min、385r/min、390r/min或395r/min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0013]优选地，所述直槽刀的切削速度为0.06
‑
0.07mm/r，例如可以是0.06mm/r、0.062mm/r、0.064mm/r、0.066mm/r、0.068mm/r或0.07mm/r，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0014]本专利技术中，优选控制直槽刀的切削速度在特定范围，能够进一步提升加工精度，进而提高O型密封槽的密封性。
[0015]优选地，步骤(1)所述直槽刀的包括刀柄、刀头和刀片。
[0016]优选地，所述直槽刀的刀柄长度为100
‑
150mm，例如可以是100mm、105mm、110mm、115mm、120mm、125mm、130mm、135mm、140mm、145mm或150mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0017]优选地，所述直槽刀的刀柄宽度为10
‑
20mm，例如可以是10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm、16mm、17mm、18mm、19mm或20mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0018]优选地，所述直槽刀的刀头侧面与轴线的夹角为40
‑
50
°
，例如可以是40
°
、42
°
、44
°
、46
°
、48
°
或50
°
，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0019]优选地，所述直槽刀的刀片插入刀头中。
[0020]优选地，所述直槽刀的刀片露出刀头部分的长度为3
‑
5mm，例如可以是3mm、3.2mm、3.4mm、3.6mm、3.8mm、4mm、4.2mm、4.4mm、4.6mm、4.8mm或5mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0021]优选地，所述直槽刀的刀片侧面与轴线的夹角为5
‑7°
，例如可以是5
°
、5.2
°
、5.4
°
、5.6
°
、5.8
°
、6
°
、6.2
°
、6.4
°
、6.8
°
或7
°
，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0022]本专利技术中，优选控制直槽刀的刀片侧面与轴线的夹角，能够进一步提升加工精度，进而提高O型密封槽的密封性。
[0023]优选地，步骤(2)所述左偏刀加工时的主轴转速为300
‑
400r/min，例如可以是300r/min、305r/min、310r/min、315r/min、320r/min、325r/min、330r/min、335r/min、340r/min、345r/min、350r/min、355r/min、360r/min、365r/min、370r/min、375r/min、380r/min、385r/min、390r/min或395r/min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0024]优选地，所述左偏刀的切削速度为0.04
‑
0.05mm/r，例如可以是0.04mm/r、0.042mm/r、0.044mm/r、0.046mm/r、0.048mm/r或0.05mm/r，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0025]本专利技术中，优选控制左偏刀的切削速度，能够进一步提升加工精度，进而提高O型密封槽的密封性。
[0026]优选地，步骤(2)所述左偏刀包括刀柄、刀头和刀片。
[0027]优选地，所述左偏刀的刀柄长度为100
‑
150mm，例如可以是100mm、105mm、110mm、115mm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：(1)采用直槽刀对气体分配盘进行加工，得到直槽；(2)采用左偏刀对步骤(1)得到的所述直槽的内圆进行加工，然后采用右偏刀对所述直槽的外圆进行加工，得到O型密封槽。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述直槽刀加工时的主轴转速为300
‑
400r/min；优选地，所述直槽刀的切削速度为0.06
‑
0.07mm/r。3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述直槽刀的包括刀柄、刀头和刀片；优选地，所述直槽刀的刀柄长度为100
‑
150mm；优选地，所述直槽刀的刀柄宽度为10
‑
20mm；优选地，所述直槽刀的刀头侧面与轴线的夹角为40
‑
50
°
；优选地，所述直槽刀的刀片插入刀头中；优选地，所述直槽刀的刀片露出刀头部分的长度为3
‑
5mm；优选地，所述直槽刀的刀片侧面与轴线的夹角为5
‑7°
。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述左偏刀加工时的主轴转速为300
‑
400r/min；优选地，所述左偏刀的切削速度为0.04
‑
0.05mm/r。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述左偏刀包括刀柄、刀头和刀片；优选地，所述左偏刀的刀柄长度为100
‑
150mm；优选地，所述左偏刀的刀柄宽度为10
‑
20mm；优选地，所述左偏刀的刀片插入刀头中；优选地，所述左偏刀的刀片露出刀头部分的长度为3
‑
5mm；优选地，所述左偏刀中，刀片前端两个侧面之间的夹角为40
‑
44
°
。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述右偏刀加工时的主轴转速为300
‑
400r/min；优选地，所述右偏刀的切削速度为0.04
‑
0.05mm/r。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述右偏刀包括刀柄、刀头和刀片；优选地，所述右偏刀的刀柄长度为100
‑
150mm；优选地，所述右偏刀的刀柄宽度为10
‑
20mm；优选地，所述右偏刀的刀片插入刀头中...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，昝小磊，朱锦程，
申请(专利权)人：宁波江丰芯创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：