一种CMP后清洗方法及其相关设备技术

技术编号:38468609 阅读:21 留言:0更新日期:2023-08-11 14:45
本发明专利技术提供了一种CMP后清洗方法,包括将CMP后的第一晶圆置于有清洗液的清洗槽中清洗;将清洗后的第一晶圆从清洗槽中升起,同时通过从多道设置有第一喷射孔的第一喷射板中选择至少一道第一喷射板向第一晶圆的喷射干燥气体;从多道设置有第二喷射孔的第二喷射板中选择至少一道第二喷射板,向经过干燥工序后的第一晶圆的喷射吹扫气体;对经过吹扫工序后的第一晶圆进行沾污分布检测和分析,得到第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况,其中,第二喷射孔堵塞状况作为从多道第二喷射板中选择至少一道目标第二喷射板,对第二晶圆执行吹扫工序的依据。的依据。的依据。

【技术实现步骤摘要】
一种CMP后清洗方法及其相关设备


[0001]本专利技术涉及半导体CMP后清洗领域,尤其涉及一种CMP后清洗方法及其相关设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中,晶圆在化学机械平坦化(CMP)后,需要进行对晶圆进行清洗和干燥,以防止CMP产生的沾污物附着在晶圆上致使晶圆存在缺陷而无法成品。
[0003]当前,在CMP后,且晶圆在通过清洗液清洗后,一般会再使用干燥用气体和惰性气体对晶圆进行干燥去除水分,同时使得将水分中含有的沾污物去除,防止晶圆表面上形成水渍等缺陷。具体地,请参考图1,清洗液体、干燥用气体和惰性气体分别通过相应的输送管输送,其中,101为晶圆,103为流体输送管道,102为流体喷射方向,在清洗槽104处用清洗液清洗晶圆,然后在干燥室105处用从喷射板的喷射孔喷射干燥用气体,例如利用氮气使异丙醇雾化,去除晶圆表面的水分,进而在吹扫室106处用从喷射板的喷射孔喷射惰性气体,例如氮气,再次清扫晶圆,从而完成对晶圆的干燥。
[0004]然而,在对晶圆干燥过程中,时常发生工作员无法得知喷射板堵塞依旧照常干燥的情况,此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMP后清洗方法,其特征在于,包括:清洗工序:将CMP后的第一晶圆置于盛有清洗液的清洗槽中进行清洗;干燥工序:将清洗完成后的所述第一晶圆从所述清洗槽中慢慢升起,同时通过多道设置有第一喷射孔的第一喷射板中选择至少一道第一喷射板向所述第一晶圆的正反面喷射干燥气体;吹扫工序:从多道设置有第二喷射孔的第二喷射板中选择至少一道第二喷射板,向经过所述干燥工序后的所述第一晶圆的正反面喷射吹扫气体;检测工序:对经过所述吹扫工序后的所述第一晶圆进行沾污分布检测和分析,得到所述第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况,和/或,所述第一喷射板的第一喷射孔堵塞状况,其中,所述第二喷射孔堵塞状况作为从多道所述第二喷射板中选择至少一道目标第二喷射板,对第二晶圆执行所述吹扫工序的依据,所述第一喷射孔堵塞状况作为从多道所述第一喷射板中选择至少一道目标第一喷射板,对第二晶圆执行所述干燥工序的依据。2.根据权利要求1的所述方法,其特征在于,所述清洗工序,还包括:在所述第一晶圆进和/或出所述清洗槽的过程中,通过设置在所述清洗槽中的第三喷射板向所述第一晶圆同步喷射所述清洗液,以对所述第一晶圆进行冲洗。3.根据权利要求1的所述方法,其特征在于,所述方法包括第二预设条件,则在所述得到所述第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况,和/或,所述一喷射板的第一喷射孔堵塞状况之后,还包括:根据所述第二喷射孔堵塞状况和所述第二预设条件确定至少一道待更换第二喷射板;更换所述待更换第二喷射板;从已更换的所述第二喷射板和/或未更换的所述第二喷射板中选择所述目标第二喷射板向所述第二晶圆的正反面喷射所述吹扫气体。4.根据权利要求3的所述方法,其特征在于,所述方法包括所述第二喷射板的第二预设相似度阈值和所述第二喷射板的第二预设更换阈值,则所述根据所述第二喷射孔堵塞状况和所述第二预设条件确定至少一道待更换第二喷射板,包括:根据所述第二预设相似度阈值,从所述各道第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况的相似度中,确定所有大于或等于所述第二预设相似度阈值的相似度,从而确定与所述相似度关联的第二喷射板为第二堵塞喷射板,并确定所述第二堵塞喷射板的堵塞个数;若所述第二预设条件为所述第二堵塞喷射板的堵塞个数大于或等于所述第二喷射板的第二预设更换阈值,则将所述第二堵塞喷射板确定为所述待更换第二喷射板;若所述第二预设条件为所述第二堵塞喷射板的堵塞个数小于所述第二喷射板的预设更换阈值,则将所述第二堵塞喷射板从所述吹扫工序的所述至少一道第二喷射板中排除,并将排除所述第二堵塞喷射板后的剩余第二喷射板确定为初始第二喷射板,并执行:步骤1:从所述初始第二喷射板中选择至少一道的目标第二喷射板对所述第二晶圆执行吹扫工序,并执行所述检测工序,以得到各道所述目标第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况的相似度;步骤2:从所述各道所述目标第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况的相似度中,若确定出所有大于或等于所述第二预设相似度阈值的相似度,则将与所述相似度关联的目标第二喷射板确定为第二增幅堵塞喷射板,并确定所述第二增幅堵塞喷射板的个数,进而将所述第
二增幅堵塞喷射板和所述第二堵塞喷射板共同确定第二堵塞喷射板,并且重新确定第二堵塞喷射板的堵塞个数,或,从所述各道所述目标第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况的相似度中,若确定出所述各道所述目标第二喷射板的第二喷射孔堵塞状况的相似度全小于所述第二预设相似度阈值,则确定存在个数为零的第二增幅堵塞喷射板,并维持所述第二堵塞喷射板;步骤3:若所述第二堵塞喷射板的堵塞个数小于所述第二喷射板的预设更换阈值,则将所述第二增幅堵塞喷射板排除所述初始第二喷射板,以将排除所述第二增幅堵塞喷射板后的初始第二喷射板重新确定为初始第二喷射板,并且重新确定第二晶圆,并对重新确定的第二晶圆执行步骤1至步骤3;循环执行所述步骤1至步骤3,直至触发所述第二堵塞喷射板的堵塞个数大于或等于所述第二喷射板的预设更换阈值的条件,则跳出所述循环执行所述步骤1至步骤3,并将所述第二堵塞喷射板确定为所述待更换第二喷射板。5.根据权利要求1至4任一项的所述方法,其特征在于,则所述对经过所述吹扫工序后的所述第一晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员:夏文羽
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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