SiC外延基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够得到平坦性优异的SiC外延基板的新型的基板制造方法和平坦性优异的SiC外延基板。该SiC外延基板(1)在碳化硅基板(2)的表面具有使碳化硅外延生长而成的外延膜(3)，SiC外延基板(1)具有由外延膜(3)构成的主面(1a)和作为其相反面的主面(1b)，在主面(1b)上，满足以10mm见方的位点为基准的SBIR的最大值为0.1μm以上1.5μm以下的条件。最大值为0.1μm以上1.5μm以下的条件。最大值为0.1μm以上1.5μm以下的条件。

【技术实现步骤摘要】
SiC外延基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及在碳化硅基板的表面具有外延膜的SiC外延基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]在碳化硅(以下有时也称为“SiC”)基板的表面形成有由碳化硅构成的外延膜的SiC外延基板通常利用气相生长法进行。但是，已知在使该SiC气相生长时，也会附着于与外延膜的形成面相反的表面(背面)等上，SiC生长为突起状。
[0003]这样，一旦SiC在基板的背面生长，就会导致基板面发生变化、或者因三维生长的突起而产生凹凸，在任何情况下都会发生变化而偏离预想的基板形状，因而导致该基板的平坦性变差。因此，使用这些基板制作半导体元件时，也成为对半导体元件的特性造成不良影响的原因。
[0004]在这种情况下，需要通过对基板的背面进行研磨等，将未预定的因外延生长而形成的SiC除去的操作。在进行这样的除去操作的情况下，形成保护基板表面的保护膜、进行除去操作后，再除去该保护膜，因此SiC基板的制造工艺的工序变得复杂。
[0005]因此，提出了一种SiC基板的制造方法，其在外延生长之前，在背面形成保护膜，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC外延基板，其特征在于：在碳化硅基板的表面具有使碳化硅外延生长而成的外延膜，所述SiC外延基板具有由所述外延膜构成的第一主面和作为其相反面的第二主面，直径为150mm以上，在所述第二主面上，以10mm见方的位点为基准的SBIR的最大值为0.1μm以上1.5μm以下，并且在所述第一主面上，以10mm见方的位点为基准的SFQR的最大值为0.1μm以上1.5μm以下。2.如权利要求1所述的SiC外延基板，其特征在于：所述SBIR在0.5μm以下的位点比率为65％以上。3.如权利要求1或2所述的SiC外延基板，其特征在于：所述SFQR在0.3μm以下的位点比率为85％以上。4.如权利要求1～3中任一项所述的SiC外延基板，其特征在于：所述SiC外延基板的直径为200mm以上。5.一种SiC外延基板的制造方法，其特征在于，包括：(a)准备板状的碳化硅基板的工序；(b)在所述碳化硅基板的表面使碳化硅外延生长而形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤祯彦，池田润也，
申请(专利权)人：株式会社博迈立铖，
类型：发明
国别省市：