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SiC外延基板及其制造方法技术
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文档序号:38466180
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本发明提供一种能够得到平坦性优异的SiC外延基板的新型的基板制造方法和平坦性优异的SiC外延基板。该SiC外延基板(1)在碳化硅基板(2)的表面具有使碳化硅外延生长而成的外延膜(3),SiC外延基板(1)具有由外延膜(3)构成的主面(1a)...
该专利属于株式会社博迈立铖所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社博迈立铖授权不得商用。
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