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本发明提供了一种CMP后清洗方法，包括将CMP后的第一晶圆置于有清洗液的清洗槽中清洗；将清洗后的第一晶圆从清洗槽中升起，同时通过从多道设置有第一喷射孔的第一喷射板中选择至少一道第一喷射板向第一晶圆的喷射干燥气体；从多道设置有第二喷射孔的第二...
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