一种高线性度GaN晶体管及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高线性度GaN晶体管，包括衬底，以及设于衬底上的HEMT外延层、源电极、漏电极和环形栅电极；HEMT外延层包括外延源区、外延漏区和若干鳍部，若干鳍部位于外延源区和外延漏区之间，且两端分别与外延源区和外延漏区连接；源电极和漏电极分别设于外延源区和外延漏区上；环形栅电极沿横跨若干鳍部的第一方向延伸，并包覆鳍部的上、下表面及两侧面。本发明专利技术基于鳍式场效应晶体管结构，环形栅电极从上、下以及两侧四个方向包裹鳍部，增强了栅控制性能，进而保持器件的高线性度，提升器件的性能和稳定性。的性能和稳定性。的性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种高线性度GaN晶体管及制备方法


[0001]本专利技术属于半导体的
，具体涉及一种高线性度GaN晶体管及制备方法。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料GaN由于具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2
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107cm/s)、高的击穿电场(1
×
10
10
～3
×
10
10
V/cm)、较高热导率、耐腐蚀和抗辐射性能等，成为当前研究热点，具有广阔的应用前景。尤其是AlGaN/GaN异质结结构的HEMT，具有高频、高功率密度以及高工作温度的优点，是固态微波功率器件和功率电子器件的发展方向。
[0003]功率放大器的邻信道功率比(Adjacent Channel Power Ratio)是衡量发射系统线性度的常用指标，用来描述功率放大器非线性失真引起的信号带外频谱失真特性，也就是主功率泄露到邻频信道的程度。随着应用频率的升高，GaN器件的尺寸会逐渐减小，栅的控制能力受到进一步挑战，传统的二维肖特基接触栅和Fin FET结构难以维持高线性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高线性度GaN晶体管，其特征在于：包括衬底，以及设于衬底上的HEMT外延层、源电极、漏电极和环形栅电极；HEMT外延层包括外延源区、外延漏区和若干鳍部，若干鳍部位于外延源区和外延漏区之间，且两端分别与外延源区和外延漏区连接；源电极和漏电极分别设于外延源区和外延漏区上；环形栅电极沿横跨若干鳍部的第一方向延伸，并包覆鳍部的上、下表面及两侧面。2.根据权利要求1所述的高线性度GaN晶体管，其特征在于：所述环形栅电极包括下电极层和上电极层，下电极层设于所述衬底上并沿所述第一方向延伸，所述若干鳍部跨设于下电极层上，上电极层覆设于所述鳍部上并于各鳍部两侧与下电极层相接，且下电极层和上电极层电连接。3.根据权利要求2所述的高线性度GaN晶体管，其特征在于：所述下电极层为导电材料层，或由下至上包括导电材料层和第一栅介质层。4.根据权利要求3所述的高线性度GaN晶体管，其特征在于：所述导电材料层为石墨烯导电层。5.根据权利要求2所述的高线性度GaN晶体管，其特征在于：所述上电极层为栅金属层，或由下至上包括第二栅介质层和栅金属层。6.根据权利要求5所述的高线性度GaN晶体管，其特征在于：还包括介质钝化层，所述介质钝化层覆盖所述源电极和漏电极之间的HEM...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶晶，谭杰利，钟杰斌，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：