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本发明公开了一种高线性度GaN晶体管，包括衬底，以及设于衬底上的HEMT外延层、源电极、漏电极和环形栅电极；HEMT外延层包括外延源区、外延漏区和若干鳍部，若干鳍部位于外延源区和外延漏区之间，且两端分别与外延源区和外延漏区连接；源电极和漏电...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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