【技术实现步骤摘要】
一种集成电路、其制备方法及电子设备
[0001]本申请涉及通信
，尤其涉及一种集成电路、其制备方法及电子设备。
技术介绍
[0002]电光调制在光互连及光通信系统中发挥着不可替代的作用，电光调制器是实现电光信号转换的关键器件。传统电光调制的实现是通过外加电场的作用，使晶体的折射率发生了变化，而由此产生的效应被称为电光效应。当晶体折射率的改变与所加电场成正比时，即电场的一次项，这种电光效应称为线性电光效应，也称为Pokels效应，线性电光效应一般发生于无对称中心的晶体中。
[0003]近年来，为了解决电子互连的带宽瓶颈，光互连逐渐替代电子线路来实现芯片间及芯片内部的信号传递。可集成在互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)芯片上的光子链路成为未来的研究方向。而作为光子链路中的重要组成部分，可集成的电光调制器越来越受到关注。硅基电光调制器具有尺寸小、成本低、与传统CMOS工艺兼容等特点，被广泛研究。由于硅是对称晶体，没有Pokels效应，高阶电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包括PN结结构；其中，所述PN结结构包括沿第一方向相邻设置的第一P型半导体区和第一N型半导体区；所述第一P型半导体区和所述第一N型半导体区的接触界面相对参考平面向所述第一P型半导体区远离所述第一N型半导体区一侧倾斜；或者，所述第一P型半导体区和所述第一N型半导体区的接触界面相对所述参考平面向所述第一N型半导体区远离所述第一P型半导体区一侧倾斜；所述参考平面与所述第一方向垂直。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一N型半导体区和所述第一P型半导体区的接触界面相对所述参考平面的倾斜角度大于或等于10度，且小于或等于80度。3.如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述第一P型半导体区和所述第一N型半导体区的接触界面相对所述参考平面向所述第一N型半导体区远离所述第一P型半导体区一侧倾斜；所述PN结结构还包括位于所述第一N型半导体区上的第二P型半导体区，且所述第二P型半导体区与所述第一P型半导体区相接触。4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第二P型半导体区的掺杂浓度等于所述第一P型半导体区的掺杂浓度。5.如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述第一P型半导体区和所述第一N型半导体区的接触界面相对所述参考平面向所述第一P型半导体区远离所述第一N型半导体区一侧倾斜；所述PN结结构还包括位于所述第一P型半导体区上的第二N型半导体区，且所述第二N型半导体区与所述第一N型半导体区相接触。6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述第二N型半导体区的掺杂浓度等于所述第一N型半导体区的掺杂浓度。7.如权利要求1
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6任一项所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括脊型光波导，所述脊型光波导包括脊部和分别位于所述脊部两侧的第一基部和第二基部；所述PN结结构设置在所述脊型光波导的所述脊部；所述第一基部包括第三N型半导体区，所述第三N型半导体区的掺杂浓度大于所述第一N型半导体区的掺杂浓度；所述第二基部包括第三P型半导体区，所述第三P型半导体区的掺杂浓度大于所述第一P型半导体区的掺杂浓度。8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述第一基部还包括第四N型半导体区，所述第四N型半导体区位于所述第三N型半导体区上，且所述第四N型半导体区的掺杂浓度大于所述第三N型半导体区的掺杂浓度；所述第二基部还包括第四P型半导体区，所述第四P型半导体区位于所述第三P型半导体区上，且所述第四P型半导体区的掺杂浓度大于所述第三P型半导体区的掺杂浓度。9.如权利要求7或8所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括：输入波导，与所述输入波导连接的具有多个分支的分束器，与所述分束器的每个分支连接并用于将信号合束的合束器，以及与所述合束器连接的输出波导；所述分束器的每个分支上均设置有所述脊型光波导，所述脊型光波导用于调制信号。10.一种电子设备，其特征在于，包括电路板和如权利要求1
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9任一项所述的集成电路，
所述电路板与所述集成电路电连接。11.一种集成电路的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中分别注入N型离子和P型离子形成沿第一方向相邻设置的第一P型半导体区和第一N型半导体区；其中，所述第一P型半导体区和所述第一N型半导体区的接触界面相对参考平面向所述第一P型半导体区远离所述第一N型半导体区一侧倾斜；或者，所述第一P型半导体区和所述第一N型半导体区的接触界面相对所述参考平面向所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁俊，杨莉，雷翔，江先鑫，胡志强，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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