引脚(2a、2b)贯通金属管座(1)。支承块(3)安装在金属管座(1)之上。电介质基板(4)安装于支承块(3)的侧面。信号线路(5a、5b)形成于电介质基板(4)。信号线路(5a、5b)的一端与引脚(2a、2b)连接。半导体光调制元件(6)安装于电介质基板(4)。导电线(8a、8b)将信号线路(5a、5b)的另一端与半导体光调制元件(6)连接。半导体光调制元件(6)具有相互分离的多个光调制器(6b、6c)。6c)。6c)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光光源装置
[0001]本公开涉及具备半导体光调制元件的激光光源装置。
技术介绍
[0002]SNS、视频共享服务等的普及正在全球范围内推进，数据传输的大容量化正在加速。伴随于此，为了在有限的安装空间应对信号的高速大容量传输化，而正推进光收发器的高速化以及小型化。
[0003]作为搭载有半导体光调制元件的现有的激光光源装置，公开了将贯通金属管座的引脚和AC
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GND转换为共面线路，并连接到安装在温度控制模块上的半导体光调制元件的装置(例如，参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特愿2011
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518381号公报
[0005]在现有的激光光源装置中，使用具有单一的光调制器的半导体光调制元件，向半导体光调制元件的电信号输入方式为单层驱动方式。若缩短光调制器的长度，则能够实现宽频带化。但是，尺寸的缩短化与消光比处于折中的关系。因此，若想缩短光调制器的尺寸来进行宽频带化，则存在无法确保充分的消光比的问题。
技术实现思路
[0006]本公开是为了解决上述那样的课题而做出的，其目的在于获得在确保充分的消光比的同时能够实现宽频带化的激光光源装置。
[0007]本公开所涉及的激光光源装置的特征在于，具备：金属管座；引脚，贯通上述金属管座；支承块，安装在上述金属管座之上；电介质基板，安装于上述支承块的侧面；信号线路，形成于上述电介质基板，一端与上述引脚连接；半导体光调制元件，安装于上述电介质基板；以及导电线，将上述信号线路的另一端与上述半导体光调制元件连接，上述半导体光调制元件具有相互分离的多个光调制器。
[0008]在本公开中，半导体光调制元件具有相互分离的多个光调制器。由此，各光调制器的长度比以往缩短，因此静电电容变小。因此，相对于频带的增益提高而能够实现宽频带化。另外，通过多个光调制器能够确保与以往的一个光调制器同等的消光比。
附图说明
[0009]图1是表示实施方式1所涉及的激光光源装置的立体图。
[0010]图2是表示实施方式1所涉及的半导体光调制元件的光调制器部的俯视图。
[0011]图3是表示实施方式1所涉及的激光光源装置的电路结构的图。
[0012]图4是表示现有的激光光源装置的频率响应特性的三维电磁场模拟结果的图。
[0013]图5是表示实施方式1所涉及的激光光源装置的频率响应特性的三维电磁场模拟结果的图。
[0014]图6是表示实施方式2所涉及的激光光源装置的电路结构的图。
[0015]图7是表示实施方式3所涉及的激光光源装置的一部分的俯视图。
[0016]图8是沿着图7的I
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II剖切的剖视图。
[0017]图9是实施方式4所涉及的激光光源装置的一部分的剖视图。
[0018]图10是实施方式5所涉及的激光光源装置的一部分的剖视图。
[0019]图11是表示实施方式5所涉及的激光光源装置的立体图。
[0020]图12是表示实施方式7所涉及的激光光源装置的剖视图。
[0021]图13是表示实施方式8所涉及的激光光源装置的侧视图。
具体实施方式
[0022]参照附图对实施方式所涉及的激光光源装置进行说明。对相同或者对应的构成要素标注相同的附图标记，有时省略重复说明。
[0023]实施方式1
[0024]图1是表示实施方式1所涉及的激光光源装置的立体图。金属管座1例如是由在Cu等热传导率高的材料的表面实施了Au镀层等的金属材料构成的板状的管座基部。
[0025]引脚2a、2b、2c贯通金属管座1。支承块3安装在金属管座1之上。支承块3例如为由在Cu等热传导率高的材料的表面实施了Au镀层等的金属材料的块。
[0026]电介质基板4安装于支承块3的侧面。电介质基板4例如为氮化铝(AlN)等陶瓷板。差动驱动用信号线路5a、5b及接地导体5c为形成于电介质基板4的Au镀层及金属化图案。差动驱动用信号线路5a、5b为共面线路或微带线路，阻抗与信号发生器的输出阻抗同等。接地导体5c例如通过SnAgCu焊料等而与金属管座1连接。
[0027]半导体光调制元件6安装于电介质基板4。半导体光调制元件6为将分布反馈型激光二极管6a和两个电场吸收型光调制器6b、6c单片集成而得到的光调制器集成型激光二极管(EAM
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LD)。电场吸收型光调制器6b、6c例如具有InGaAsP系量子阱吸收层。
[0028]差动驱动用信号线路5a、5b的一端分别通过焊料7a、7b而与引脚2a、2b连接。焊料7a、7b由SnAgCu等材料构成。由Au等构成的导电线8a、8b分别将差动驱动用信号线路5a、5b的另一端与半导体光调制元件6的电场吸收型光调制器6b、6c连接。由Au等构成的导电线8c将引脚2c与分布反馈型激光二极管6a连接。引线接合例如使用超声波振动压接。
[0029]金属管座1将支承块3、电介质基板4及半导体光调制元件6固定。支承块3将电介质基板4及半导体光调制元件6固定。电介质基板4将半导体光调制元件6固定。通常，电介质基板4承担电绝缘功能以及热传递功能。在半导体光调制元件6中产生的热量经由金属管座1、支承块3及电介质基板4向金属管座1的Z轴负方向侧的冷却部件(未图示)散热。
[0030]分布反馈型激光二极管6a经由引脚2c及导电线8c被供电，射出激光。电信号从引脚2a、2b被输入，经由焊料7a、7b传递到差动驱动用信号线路5a、5b后，经由导电线8a、8b施加到半导体光调制元件6的多个光调制器6b、6c。相互连接的金属管座1、支承块3及电介质基板4的接地导体5c作为AC接地发挥作用，输入到引脚2a、2b的电信号与金属管座1电磁耦合。
[0031]分布反馈型激光二极管6a所射出的激光被电场吸收型光调制器6b、6c依次调制。调制后的激光从半导体光调制元件6的发光点沿着与芯片端面垂直且与芯片主面平行的光轴放射。
[0032]图2是表示实施方式1所涉及的半导体光调制元件的光调制器部的俯视图。电场吸收型光调制器6b、6c和透明波导9设置在InP基板10之上。电场吸收型光调制器6b、6c的半导体层通过绝缘层11相互绝缘分离。电场吸收型光调制器6b、6c的吸收层通过透明波导9而光学连接。电场吸收型光调制器6b的p型电极与p型电极焊盘6bp通过供电线12电连接。电场吸收型光调制器6c的p型电极与p型电极焊盘6cp通过供电线13电连接。
[0033]电场吸收型光调制器6b的n型电极焊盘6bn与电场吸收型光调制器6c的p型电极焊盘6cp通过导电线等而连接，电场吸收型光调制器6b与电场吸收型光调制器6c串联连接。电场吸收型光调制器6b的p型电极焊盘6bp和电场吸收型光调制器6c的n型电极焊盘6cn分别与差动驱动用信号线路5a、5b线连接。
[0034]图3是表示实施方式1所涉及的激光光源装置的电路结构的图。从信号发生器14输出的差动电信号经由差动本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光光源装置，其特征在于，具备：金属管座；引脚，贯通所述金属管座；支承块，安装在所述金属管座之上；电介质基板，安装于所述支承块的侧面；信号线路，形成于所述电介质基板，一端与所述引脚连接；半导体光调制元件，安装于所述电介质基板；以及导电线，将所述信号线路的另一端与所述半导体光调制元件连接，所述半导体光调制元件具有相互分离的多个光调制器。2.根据权利要求1所述的激光光源装置，其特征在于，所述多个光调制器的吸收层通过透明波导而光学连接，所述多个光调制器依次调制激光。3.根据权利要求1或2所述的激光光源装置，其特征在于，所述信号线路具有将差动信号向所述半导体光调制元件供给的第一差动驱动用信号线路及第二差动驱动用信号线路，所述多个光调制器相互串联地连接在所述第一差动驱动用信号线路与第二差动驱动用信号线路之间。4.根据权利要求1或2所述的激光光源装置，其特征在于，所述信号线路具有将差动信号向所述半导体光调制元件供给的第一差动驱动用信号线路及第二差动驱动用信号线路，所述多个光调制器具有：第一光调制器，连接在所述第一差动驱动用信号线路与接地点之间；和第二光调制器，连接在所述第二差动驱动用信号线路与接地点之间。5.根据权利要求1～4中任一项所述的激光光源装置，其特征在于，还具备与所述半导体光调制元件并联连接的匹配电...
【专利技术属性】
技术研发人员：中野诚二，冈田规男，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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