一种微环谐振腔的硅基电光调制器制造技术

本发明专利技术涉及一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其包括：微环谐振腔以及直波导，微环谐振腔包括内环和外环，所述内环与所述外环均为封闭的圆环，且所述内环与所述外环的圆心位于同一点，所述内环与所述外环上均设有掺杂区，掺杂区包括P型掺杂区与N型掺杂区；所述直波导沿所述外环的径向设置于所述外环的一侧，且所述直波导与所述外环耦合，以在所述直波导的两端形成输入端和直通端。改变掺杂区的掺杂浓度，可以改变波导的折射率与吸收系数，从而实现微环的调谐与调制。并且在仿真及设计过程中，通过选取合适的同心圆内环与外环的参数，可以实现双环互耦合，以调节谐振腔由于工艺技术限制等原因造成的后向散射带来的谐振分裂情况。等原因造成的后向散射带来的谐振分裂情况。等原因造成的后向散射带来的谐振分裂情况。

【技术实现步骤摘要】
一种微环谐振腔的硅基电光调制器


[0001]本专利技术涉及光通信器件
，特别涉及一种微环谐振腔的硅基电光调制器。

技术介绍

[0002]过去二十多年里，受移动互联网、高清流媒体、物联网、云计算等需求增长的推动，第五代技术标准(5G)应运而生，通信数据交换呈爆炸式增长。通信系统需要高速率、大带宽以及低能耗的功能模块及器件，就必须使用更小制程的芯片来满足以上要求。
[0003]与CMOS工艺兼容的硅基光子平台满足以上要求，是目前最具有前景的光子集成平台之一。硅光子芯片的众多单元中，微环谐振腔是十分常见的结构，具有体积小、Q值高、波长选择性强等特点，是集成硅基光电子学的关键元件，已广泛应用在硅光子学领域的滤波、调制、延时、光电震荡器以及生物传感器等各种功能器件中。
[0004]相关技术中，在硅光芯片的加工工艺流程中，芯片的尺寸极小，掩膜版缺陷以及大量离子轰击将会增加波导侧壁粗糙度，这不仅会带来额外的传播损耗，而且还会带来随机后向散射。这种后向散射，将引发环形波导中顺时针和逆时针传播模式耦合，造成谐振峰的劈裂，影响微环调制器的调制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于，其包括：微环谐振腔(1)，所述微环谐振腔(1)包括内环(11)和外环(12)，所述内环(11)与所述外环(12)均为封闭的圆环，且所述内环(11)与所述外环(12)的圆心位于同一点，所述内环(11)与所述外环(12)上均设有掺杂区(13)；直波导(2)，所述直波导(2)沿所述外环(12)的径向设置于所述外环(12)的一侧，且所述直波导(2)与所述外环(12)耦合，以在所述直波导(2)的两端形成输入端和直通端。2.如权利要求1所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：所述掺杂区(13)具有N型掺杂区(131)和P型掺杂区(132)，N型掺杂区(131)和P型掺杂区(132)形成PN结。3.如权利要求2所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：所述P型掺杂区(132)包括相连接的P型重掺区(1321)和P型轻掺区(1322)，所述N型掺杂区(131)包括相连接的N型重掺区(1311)和N型轻掺区(1312)。4.如权利要求3所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：所述N型轻掺区(1312)和所述P型轻掺区(13...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乾圣，胡晓，肖希，王磊，刘阳，徐路，陈代高，张红广，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：