用于膜调制器设备的设计和制造方法技术

一种调制器，用于根据接收到的电信号调制来自光源的光。所述调制器配置有膜结构，且包括在所述膜结构内的区域中掺杂以形成半导体结的多个半导体层。介电材料层设置在所述调制器的所述半导体结和基底衬底之间。器的所述半导体结和基底衬底之间。器的所述半导体结和基底衬底之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于膜调制器设备的设计和制造方法


[0001]本专利技术涉及用于电光电路中的基于半导体的RF信号调制器。

技术介绍

[0002]人们普遍预计，由于数据消费应用数量的增加和5G移动网络的升级，未来几年数据流量将继续增长。为了支持骨干光网络中不断增长的流量，高速、低成本、低功耗的光器件对于支持100G Gbaud以上的波特率至关重要。
[0003]在现有的调制器中采取了一些不同的方法。然而，每个现有调制器都需要在带宽、相电压(Vπ)、损耗和温度灵敏度的组合之间进行权衡。
[0004]希望开发一种高速混合集成调制器。

技术实现思路

[0005]根据第一方面，提供了一种用于根据接收到的电信号调制来自光源的光的调制器，其中，所述调制器配置有膜结构，并包括：在所述膜结构内的区域中掺杂以形成半导体结的多个半导体层；设置在所述半导体结和基底衬底之间的介电材料层。所述介电材料可以是苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)基聚合物。膜结构优化了光学约束并提高了调制器的效率，特别是通过在结和基底之间提供介电材料层。高效调本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于根据接收到的电信号调制来自光源的光的调制器，其特征在于，所述调制器配置有膜结构，所述调制器包括：在所述膜结构内的区域中掺杂以形成半导体结的多个半导体层(104、108)；设置在所述半导体结和基底衬底(102)之间的介电材料层(114)。2.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述半导体结的所述半导体层以平面配置设置，并包括p型半导体层(104)、未掺杂半导体层(106)和第一n型半导体层(108)。3.根据权利要求1或2所述的调制器，其特征在于，所述半导体层包括选自元素周期表的III族至V族的材料。4.根据上述权利要求中任一项所述的调制器，其特征在于，所述调制器包括设置在所述半导体结的p型半导体层和所述调制器的电极之间的第二n型半导体层(202)。5.根据上述权利要求中任一项所述的调制器，其特征在于，所述半导体层形成N
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PIN结，使得所述调制器是N
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PIN平面结相位调制器。6.根据权利要求1至4中任一项所述的调制器，其特征在于，所述半导体层形成NIP
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N结，使得所述调制器是NIP
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N平面结相位调制器。7.根据权利要求4至6中任一项所述的调制器，其特征在于，所述半导体结的所述第二n型半导体层和所述p型半导体层互补地设置，使得所述两层与阳极(110)直接接触。8.根据权利要求4至7中任一项所述的调制器，其特征在于，所述第二n型半导体层与所述阳极直接接触，并从所述调制器的外边缘向后倾斜，使得所述阳极与所述第二n型半导体层的相应边缘重叠，并另外与设置在所述第二n型半导体层的相对侧上的所述p型半导体层直接接触。9.根据权利要求4至7中任一项所述的调制器，其特征在于，所述p型半导体层被成形为包裹在所述第二n型半导体层的边缘周围，使得所述p型半导体层和所述第二n型半导体层都与所述调制器的所述阳极直接接触。10.根据上述权利要求中任一项所述的调制器，其特征在于，所述调制器在所述半导体结的所述第一n型半导体层的相邻部分具有连接到其上的阴极(112)。11.根据权利要求1至8中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯托，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：