基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法。该基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于绝缘衬底上。相比于其他光控太赫兹波调制薄膜，例如MoTe2薄膜，本发明专利技术碲纳米线薄膜在较低的泵浦激光功率下，能够实现宽带调制，调制深度大、灵敏度高；同时制备成本低精度高，更适合于大规模工业生产。更适合于大规模工业生产。更适合于大规模工业生产。

【技术实现步骤摘要】
基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法。

技术介绍

[0002]太赫兹(THz)波具有宽带、低光子能量和指纹特征，在无线通信、成像、生物医学等领域有着广泛的应用。然而，缺乏优秀的光电器件在一定程度上限制了太赫兹波技术的发展。二维(2
‑
Dimension，简称2D)材料具有独特的物理特性，如可调谐的能带结构、原子薄膜的厚度、强光与物质的相互作用、快速的载流子复合等，为研究基础物理和重要器件概念中的光与物质相互作用提供了一个有趣的平台。
[0003]在实现本专利技术的过程中，申请人发现：现有技术的光控太赫兹波调制芯片有较高的调制深度但调制速率较为缓慢，从而影响其在光电器件中的发展。

技术实现思路

[0004](一)要解决的技术问题
[0005]有鉴于此，本专利技术期望至少部分解决上述技术问题中的其中之一。
[0006](二)技术方案
[0007]本专利技术的第一个方面中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于所述绝缘衬底上。2.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述碲纳米线薄膜的厚度介于1nm～200nm之间，其中，碲纳米线的长度介于100nm～5000nm之间。3.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，还包括：碲纳米薄膜，形成于所述绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间；其中，所述碲纳米线薄膜形成于所述碲纳米薄膜之上。4.根据权利要求3所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述碲纳米薄膜的厚度1nm～200nm之间。5.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述绝缘衬底为：石英衬底或蓝宝石衬底。6.一种如权利要求1至5中任一项所述光控太赫兹波调制芯片的制备方法，其特征在于，包括：步骤A，准备绝缘衬底；步骤C，在所述绝缘衬底上形成碲纳米线薄膜。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C包括：子步骤C1，制备碲纳米线溶液；子步骤C2，将碲...

【专利技术属性】
技术研发人员：周庆莉，张朴婧，张旭腾，陈金禹，张存林，
申请(专利权)人：首都师范大学，
类型：发明
国别省市：