微差压传感器和电子烟制造技术

本实用新型专利技术提供一种微差压传感器和电子烟，所述微差压传感器包括：基板组件，其包括第一基板，所述第一基板具有第一表面和第二表面，第一表面面向所述微差压传感器的内部空间，第二表面面向外部空间，第一基板设有在厚度方向上贯通所述第一基板的第一通孔；功能组件，其位于第一基板的第一表面上，所述功能组件包括MEMS芯片，MEMS芯片与第一通孔相对；膜片组件，其包括第一膜片，所述第一膜片与基板组件相接触以用于遮挡所述第一通孔。本实用新型专利技术可防止冷凝液或者烟油通过第一通孔直接进入微差压传感器的内部空间，从而提高微差压传感器的防水防油能力。感器的防水防油能力。感器的防水防油能力。

【技术实现步骤摘要】
微差压传感器和电子烟


[0001]本技术涉及电子烟
，尤其涉及一种微差压传感器和电子烟。

技术介绍

[0002]微差压传感器是安装在电子烟产品里用来控制电子烟工作的一个重要元器件，在使用过程中烟油容易通过进气孔进入到微差压传感器的内部空间，并且也会出现冷凝液回流至微差压传感器，导致电子烟启动失灵，进而产生误触发或者不触发的问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种微差压传感器和电子烟，用以解决现有技术中因烟油和冷凝液导致电子烟启动失灵，产生误触发或者不触发的问题。
[0004]第一方面，本技术提供一种微差压传感器，所述微差压传感器包括：
[0005]基板组件，其包括第一基板，所述第一基板具有第一表面和第二表面，所述第一表面面向所述微差压传感器的内部空间，所述第二表面面向外部空间，所述第一基板设有在厚度方向上贯通所述第一基板的第一通孔；
[0006]功能组件，其位于所述第一基板的第一表面上，所述功能组件包括MEMS芯片，所述MEMS芯片与所述第一通孔相对；
[0007]膜片组件，其包括第一膜片，所述第一膜片与所述基板组件相接触以用于遮挡所述第一通孔。
[0008]在本技术一实施例中，所述第一膜片位于所述第一基板的第一表面上。
[0009]在本技术一实施例中，所述第一基板的第一表面设置第一凹槽，所述第一膜片嵌入所述第一凹槽以使得靠近所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第一表面相平。
[0010]在本技术一实施例中，所述第一基板的第二表面设置第二凹槽，所述第一膜片嵌入所述第二凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第二表面相平。
[0011]在本技术一实施例中，所述微差压传感器还包括壳体，所述膜片组件还包括第二膜片，其中
[0012]所述壳体，其位于所述第一基板的第一表面上并与所述第一基板形成所述内部空间，所述壳体设有在厚度方向上贯通所述壳体的第二通孔；
[0013]所述第二膜片，其与所述壳体相接触以用于遮挡所述第二通孔。
[0014]在本技术一实施例中，所述第二膜片位于所述壳体远离所述MEMS芯片的表面上。
[0015]在本技术一实施例中，所述第二膜片位于所述壳体靠近所述MEMS芯片的表面上。
[0016]在本技术一实施例中，所述壳体在远离所述MEMS芯片的表面上设有第三凹
槽，所述第二膜片嵌入所述第三凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述壳体的远离所述MEMS芯片的表面相平。
[0017]在本技术一实施例中，所述基板组件还包括：
[0018]第二基板，其贴合于所述第一基板的第二表面，所述第二基板设有在厚度方向上贯通所述第二基板且与所述第一通孔相连通的第三通孔，所述第一膜片位于所述第二基板远离所述MEMS芯片的表面上以用于遮挡所述第三通孔。
[0019]在本技术一实施例中，所述第一膜片和所述第二膜片均为透气网布材料，且厚度均在0.05mm～0.2mm之间。
[0020]在本技术一实施例中，所述第一膜片和所述第二膜片的表面均设有防油纳米镀层。
[0021]在本技术一实施例中，所述功能组件还包括ASIC芯片，所述ASIC芯片位于所述第一基板的所述第一表面上，并通过信号线与所述MEMS芯片电连接，所述ASIC芯片通过所述信号线与所述第一基板电连接。
[0022]第二方面，本技术还提供一种电子烟，包括如第一方面任一项所述的微差压传感器。
[0023]本技术提供的微差压传感器和电子烟，通过设置第一膜片，第一膜片与基板组件相接触以用于遮挡该基板组件上的第一通孔，可以直接挡住冷凝液或者烟油，防止冷凝液或者烟油通过所述第一通孔直接进入微差压传感器的内部空间，从而提高微差压传感器的防水防油能力。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之一；
[0026]图2是本技术提供的膜片的结构示意图；
[0027]图3是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之二；
[0028]图4是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之三；
[0029]图5是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之四；
[0030]图6是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之五；
[0031]图7是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之六；
[0032]图8是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之七；
[0033]图9是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之八；
[0034]图10是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之九；
[0035]图11是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十；
[0036]图12是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十一；
[0037]图13是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十二；
[0038]图14是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十三；
[0039]图15是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十四；
[0040]图16是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十五；
[0041]图17是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十六；
[0042]图18是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十七；
[0043]图19是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十八；
[0044]图20是本技术提供的微差压传感器的结构示意图之十九；
[0045]附图标记：
[0046]10：基板组件；20：功能组件；30：膜片组件
[0047]40：壳体；
[0048]101：第一基板；1011：第一表面；1012：第二表面；
[0049]102：第一通孔；103：第一凹槽；104：第二凹槽；
[0050]105：第三凹槽；106：第二通孔；107：第二基板；
[0051]108：第三通孔；
[0052]201：MEMS芯片；202：ASIC芯片；203：信号线；
[0053]301：第一膜片；302：第二膜片；303：无胶区域；
[0054]304：有胶区域。
具体实施方式
[0055]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器包括：基板组件，其包括第一基板，所述第一基板具有第一表面和第二表面，所述第一表面面向所述微差压传感器的内部空间，所述第二表面面向外部空间，所述第一基板设有在厚度方向上贯通所述第一基板的第一通孔；功能组件，其位于所述第一基板的第一表面上，所述功能组件包括MEMS芯片，所述MEMS芯片与所述第一通孔相对；膜片组件，其包括第一膜片，所述第一膜片与所述基板组件相接触以用于遮挡所述第一通孔。2.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一膜片位于所述第一基板的第一表面上。3.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一基板的第一表面设置第一凹槽，所述第一膜片嵌入所述第一凹槽以使得靠近所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第一表面相平。4.根据权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一基板的第二表面设置第二凹槽，所述第一膜片嵌入所述第二凹槽以使得远离所述MEMS芯片的膜片表面与所述第一基板的第二表面相平。5.根据权利要求1～4任一项所述的微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器还包括壳体，所述膜片组件还包括第二膜片，其中所述壳体，其位于所述第一基板的第一表面上并与所述第一基板形成所述内部空间，所述壳体设有在厚度方向上贯通所述壳体的第二通孔；所述第二膜片，其与所述壳体相接触以用于遮挡所述第二通孔。6.根据权利要求5所述的微差压传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，梅嘉欣，李刚，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：